32

Министерство образования и науки Российской Федерации

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра «ПТЭ и ВС»

Курсовая работа

На тему: «Технология изготовления плат тонкоплёночных гибридных интегральных схем»

Дисциплина: «Материаловедение и материалы электронных средств»

Выполнил Митюрёв Д.Н.

Группа 32– В Шифр 2205

Факультет ЭиП

Курсовая работа защищена с оценкой _____________

Руководитель: Косчинская Е.В._________

Орёл 2004г.

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра «ПТЭ и ВС»

Задание на курсовую работу

Студент Митюрёв Д.Н. шифр 2205 группа 32 – В

Вариант №21

Таблица 1 – Исходные данные

1	Материал	Стекло С - 48
2	Размер заготовки	S = 60 × 48 мм
3	Типоразмер платы	№10 10 × 12 мм
4	Толщина платы l	0,4 мм
5	Годовой план N	1500000 штук
6	Выход годного по обработке	V1 = 80%
7	Выход годного по плате	V2 = 83%

Содержание

Введение 5

Часть 1 Аналитический обзор 7

Требования к подложкам ИМС 7

Характеристика материала 8

Обоснование применения материала 12

2. Технология получения материала. 15

3. Процесс механической обработки материала 18

Резка слитков на подложки 18

Шлифовка 20

Таблица 5 – Микропорошки для шлифовки подложек стекла С-48 21

2. Процесс разделения 22

Скрайбирование 22

Механическое скрайбирование 22

Лазерное скрайбирование 23

Ломка подложек на платы 24

Часть 2 Расчётное задание 26

Определение суммарного припуска на механическую обработку 26

Определение исходной толщины заготовки 26

Определение исходной массы заготовки и массы обработанной пластины 26

Определение количества плат, получаемых из 1 подложки: 27

Определение количества материала, необходимого для выпуска годового плана: 27

Определение исходной массы материала 27

Определение полезной массы материала 27

Определение коэффициента использования материала 28

Заключение 29

Список литературы 32

Введение

В настоящее время микроэлектроника является важнейшим направлением в создании средств вычислительной техники, радиотехники и автоматики.

Основополагающая идея микроэлектроники – конструктивное объединение элементов электронной схемы – приводит к тесной взаимосвязи схемотехнических, конструкторских и технологических решений при создании интегральных микросхем (ИМС). Главная задача всех этапов проектирования – это обеспечение высокой надежности ИМС. Это заключается в устойчивой работе при низких уровнях мощности (малая допустимая мощность рассеяния), в условиях сильных паразитных связей (высокая плотность упаковки) и при ограничениях по точности и стабильности параметров элементов. Потенциальная надежность ИМС оценивается с учетом возможностей выбранного структурно-топологического варианта ИМС и его технологической реализации.

Конструктор определяет оптимальную топологию, выбирает материалы и технологические методы, обеспечивающие надежные электрические соединения, а также защиту от окружающей среды и механических воздействий с учетом технологических возможностей и ограничений. Подбирается наилучшая структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные, типовые процессы и обеспечивать высокую производительность труда, минимальные трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований.

Для обеспечения качества и надежности ИМС должны быть разработаны методы контроля на всех этапах производства, в частности входного контроля основных и вспомогательных материалов и комплектующих изделий, контроля в процессе обработки, межоперационного контроля полуфабрикатов и выходного контроля готовых изделий.

В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем.

Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) – это интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными, т.е. компонентами. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации ГИМС определяется количеством используемых навесных компонентов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. ГИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки не оказывает влияния на электрические связи элементов.

ГИМС заняли доминирующее положение в устройствах СВЧ, причем, как показывает опыт, для устройств, работающих на частотах до 1 ГГц, с успехом можно применять толстопленочную технологию, поскольку она не требует жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок. Для устройств, работающих на более высоких частотах, когда необходимо обеспечить прецизионное нанесение пленочных элементов очень малых размеров, предпочтительнее тонкопленочная технология. ГИМС применяются также в тех случаях, когда требуется получить конденсаторы большой емкости или резисторы, предназначенные для работы с большими электрическими мощностями.