Министерство общего и профессионального образования российской федерации

ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра «ПТЭиВС»

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему: «Технология изготовления плат полупроводниковых интегральных схем»

Дисциплина: «Материаловедение»

Выполнила студентка группы 21-В Костенюкова Н.Н.

Руководитель Мосина Е.В

Курсовая работа защищена с оценкой__________________

Орел, 2001

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ОРЛОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

КАФЕДРА «ПТЭиВС»

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

Студентка КОСТЕНЮКОВА Н.Н. Группа 21-В

Вариант №7

Исходные данные:

1. Материал: Монокристаллический кремний.

2. Размеры заготовки: D=250 мм

3. Типоразмер кристалла: №9 10х16 мм.

4. Толщина заготовки: l=0,25 мм.

5. Годовой план:Q= 800000

6. Выход годного по сборке (ВГС):G₁= 84%

7. Выход годного по кристаллу (ВГК): G₂= 75%

8. Выход годного по обработке (ВГО): G₃= 55%

СОДЕРЖАНИЕ

Кафедра «ПТЭиВС» 1

Орел, 2001 2

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ 2

Студентка КОСТЕНЮКОВА Н.Н. Группа 21-В 2

Введение 5

Часть I. Аналитический обзор 6

1.1. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПОДЛОЖКАМ 6

1.2. ХАРАКТЕРИСТИКА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 7

1.3. ОБОСНОВАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 8

Свойства 9

Единица измерения 9

Германий 9

Кремний 9

1.4. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 9

1.4.1. Получение кремния полупроводниковой чистоты 9

Получение особо чистого кремния осуществляется по 10

1.4.2. Выращивание монокристаллов 11

1.5. МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 14

1.5.1. Калибровка 14

1.5.2. Ориентация 15

1.5.3. Резка 17

1.5.4. Шлифовка и полировка 19

1.5.5. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек 21

1.6. ОПЕРАЦИИ РАЗДЕЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК НА ПЛАТЫ 22

1.6.1. Алмазное скрайбирование 23

1.6.2. Лазерное скрайбирование 24

1.7. РАЗЛАМЫВАНИЕ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ 24

Часть II. Расчет 27

30

Заключение 31

ПРИЛОЖЕНИЕ А 32

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 33

Введение

Появление микроэлектроники связано с достижениями в области фундаментальных и прикладных наук. Первые интегральные микросхемы (ИМС), созданные в начале 60-х годов в результате успехов в области полупроводниковой и пленочной электроники, постоянно совершенствовались и в настоящее время являются элементарной базой для микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры.

За короткий исторический срок современная микроэлектроника стала одним из важнейших направлений научно-технического прогресса. Создание больших и сверхбольших интегральных микросхем, микропроцессоров и микропроцессорных систем позволило организовать массовое производство электронных вычислительных машин высокого быстродействия, различных видов электронной аппаратуры, аппаратуры управления технологическими процессами, систем связи, систем и устройств автоматического управления и регулирования.

Микроэлектроника продолжает развиваться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.

В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных полупроводниковых интегральных микросхем достигают мм². чем больше площадь кристалла, тем более многоэлементную ИС можно на ней разместить. При одной и той же площади кристалла можно увеличить количество элементов, уменьшая их размеры и расстояния между ними.