Министерство образования Российской Федерации
Орловский Государственный Технический Университет
Кафедра «проектирование и технология электронных и вычислительных средств»
Курсовая работа
по дисциплине «материаловедение и материалы электронных средств»
на тему «Технология изготовления плат тонкоплёночных гибридных интегральных схем»
Выполнил: Козлова Т.А.
Группа 31– В
Руководитель: Косчинская Е.В.
Орёл, 2007.
Орловский Государственный Технический Университет
Кафедра «проектирование и технология электронных и вычислительных средств»
Задание на курсовую работу.
Вариант 7.
Исходные данные:
материал
ситалл СТ 50
размеры заготовки
типоразмер платы
S = 60*48 мм
№9, 10*16 мм
толщина платы
l = 0,55 мм
годовой план
N = 800000 штук
выход годного по обработке
V1 = 84%
выход годного по плате V2= 75%
Выполнил: Козлова Т.А.
Группа 31– В
Орел, 2007
Введение
Микроэлектроника как современное направление проектирования и производства электронной аппаратуры различного направления является двигателем научно-технического прогресса. Автоматизация производств, развитие автономных систем, создание аппаратуры связи немыслимы без применения интегральных микросхем, микропроцессоров и микросборок.
Создание микроэлектронной аппаратуры явилось результатом процесса комплексной микроминиатюризации электронно-вычислительных средств, устройств автоматики. Этот процесс возник в связи с потребностями развития промышленного выпуска изделий электронной техники на основе необходимости резкого увеличения масштабов производства, уменьшая их массы, занимаемых ими объемов, повышения их эксплуатационной надежности.
Одним из основных понятий в микроэлектронике является интегральная микросхема.
Интегральная микросхема (ИМС) – конструктивно законченное микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования информации, содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, резисторов и др.), изготовленных в едином технологическом цикле. Микросхемы (МС) изготавливают групповым методом по материалосберегающим технологиям, тиражируя одновременно в одной партии до нескольких десятков тысяч МС.
В пленочной ИМС все элементы и соединения между ними выполнены виде пленок. В настоящее время методами пленочной технологии реализуются только пассивные элементы МС – резисторы, конденсаторы и индуктивности. Попытки создания пленочных транзисторов успеха не имели.
В зависимости от толщины пленок и способа создания элементов различают: тонко- и толстопленочные МС. К первым относят МС, толщина пленок в которых не превышает 1мкм (проводящая металлическая пленка называется тонкой, если ее толщина меньше длины свободного пробега в ней электронов). В толстопленочных ИМС толщина пленок 10…70 мкм.
В гибридной МС в качестве активных электрорадиоэлементов используются навесные дискретные полупроводниковые приборы, а в качестве пассивных – пленочные резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и соединяющие их пленочные проводники. Механической основой такой микросхемы является диэлектрическая подложка. Подложка также выполняет функции: изоляции элементов друг от друга, теплоотвода. Для тонкопленочных гибридных МС используют подложки из стекла, стеклокристаллического материала (ситалла) и керамики.
В данной курсовой работе рассмотрена технология изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных микросхем с использованием подложки из ситалла марки СТ50.
Аналитический обзор