
- •Раздел 1 общие сведения об усилителях
- •Тема 1.1 назначение и классификация усилителей
- •По принципу действия усилительного элемента
- •2) По роду усиливаемой величины
- •3) По диапазону частот
- •Устройство усилителя
- •Тема 1.2 основные показатели усилителя
- •Искажения в усилителях
- •Выходные показатели
- •Уровень помех
- •Раздел 2. Обратные связи в усилителях
- •Тема 2.1 виды и структурные схемы ос
- •Тема 2.2. Свойства усилителя с оос и применением обратной связи
- •Раздел 3 усилительные каскады
- •Тема 3.1. Работа транзистора в разных схемах включения
- •Тема 3.2. Составные транзисторы ( рис.21 а, б)
- •Тема 3.3. Динамический режим работы транзистора
- •Тема 3.4 питание усилительных каскадов и стабабилизации их режимов
- •Раздел 4 транзисторные усилители напряжения и мощности
- •Тема 4.1 режимы работы каскадов усиления мощности
- •Тема 4.2 оконечные каскады усиления мощности
- •Двухтактный бестрансформаторный каскад на транзисторах одного типа с общим эмиттером
- •Двухтактный бестрансформаторный каскад на разного типа транзисторах с общим коллектором
- •Двухтактный бестрансформаторный каскад на составных транзисторах разного типа с общим коллектором (схема Лина)
- •Тема 4.3 стабилизация режима в мощных усилителях
- •Тема 4.4. Защита мощных транзисторов от короткого замыкания нагрузки
- •Раздел 5. Предоконечные каскады
- •Трансформаторный предоконечный каскад
- •Фазоинверсный каскад с разделенной нагрузкой
- •Фазоинверсный каскад с эмиттерной связью
- •Раздел 6. Каскады предварительного усиления
- •Емкостная межкаскадная связь
- •Гальваническая межкаскадная связь
- •Трансформаторная межкаскадная связь
- •Резисторные каскады
- •Резисторный каскад на транзисторе с общим эмиттером и емкостной межкаскадной связью
- •Раздел 7. Вспомогательные цепи усилителя
- •Тема 7. 1 Входные цепи усилителя
- •Схемы включения звукоснимателя и микрофона
- •Схемы включения фотодиода
- •Тема 7. 2 Коррекция частотной характеристики
- •Тема 7. 3 Регулирование громкости и тембра
- •Регулирование громкости
- •Регулирование тембра
- •Тема 7. 4 Обеспечение устойчивости усилителя
- •Генерация на сверхзвуковых частотах
- •Тема 7. 5 Паразитные связи в усилителе
- •Помехи из-за паразитных связей
- •Раздел 8 интегральные микросхемы
- •Раздел 9 электроакустические приборы
- •Тема 9.1. Основные технические характеристики громкоговорителей
- •Тема 9.2. Классификация громкоговорителей
- •Тема 9.3. Устройство головки диффузорного электродинамического громкоговорителя
- •Подвижная система
- •Диффузородержатель
- •Тема 9.4. Основные электроакустические показатели диффузорных громкоговорителей Полное сопротивление
- •Частотные искажения
- •Нелинейные искажения
- •Характеристика направленности
- •Тема 9.5. Устройство головки рупорного электродинамического громкоговорителя
- •Тема 9.6. Основные электроакустические показатели рупорных громкоговорителей Полное сопротивление
- •Частотные искажения
- •Нелинейные искажения
- •Характеристика направленности
- •Тема 9.7. Двухполосные громкоговорители
- •Тема 9.8. Разделительные фильтры
- •Тема 9.9. Промышленные типы кинотеатральных громкоговорителей
Тема 4.4. Защита мощных транзисторов от короткого замыкания нагрузки
Для мощных транзисторов очень опасно замыкание входа.
При нормальной работе транзистора мощность, потребляемая от источника, распределяется между нагрузкой и коллекторным переходом, а в случае короткого замыкания нагрузки вся потребляемая мощность приходится на коллекторный переход, что может вывести транзистор из строя. В режиме В среднее значение тока, и, следовательно, потребляемой мощности пропорционально амплитуде сигнала, поэтому в случае короткого замыкания наибольшая мощность на коллекторе выделяется в номинальном режиме. Защитить транзистор предохранителем нельзя, так как транзистор сгорит быстрее, поскольку теплоемкость кристалла мала.
При этом внешних признаков перегрева нет – корпус транзистора остается холодным.
Перегрузка может быть вызвана не только коротким замыканием нагрузки, но и повышением питающего напряжения, уменьшением сопротивления нагрузки Rн или подачей на вход усилителя сигнала с частотой 15-20 Гц. Для защиты транзистора используют электронные схемы, которые срабатывают мгновенно и отключают или понижают питающее напряжение, снимают или уменьшают уровень входного сигнала или одновременно и то и другое. Чаще это схемы, которые автоматически отключают источник питания от оконечного усилителя в момент перегрузки или снимают входной сигнал с оконечного каскада. Питание или сигнал могут отключаться не полностью, а только снижаться, чтобы ток оконечных транзисторов остался номинальным. Возможны и комбинированные схемы защиты, когда ток мощных транзисторов снижается за счет уменьшения входного сигнала и одновременно понижается питающее напряжение.
Рассмотрим схему защиты оконечного каскада «Звук Т» (рис. 37) для одного плеча.
Оконечный каскад – двухтактный бестрансформаторный на составных транзисторах. Источник входного сигнала – предоконечный каскад (на схеме он показан эквивалентным генератором с внутренним сопротивлением Ruc). Транзистор защиты VТзащ включается параллельно входу плеча схемы оконечного каскада. Его
Рис.36 Схема защиты мощных транзисторов от короткого замыкания нагрузки
промежуток коллектор – эмиттер вместе с сопротивлением Ruc образуют делитель входного сигнала.
При нормальной работе транзистор защиты закрыт, и сигнал с предоконечного каскада полностью поступает на базу входного плеча. В нерабочий полупериод входного сигнала, когда транзисторы верхнего плеча закрыты и на базе отрицательная полуволна, диод VД1 закрыт, потенциал его анода ниже катода, и он отключает транзистор защиты от входа данного плеча. В случае короткого замыкания нагрузки схема отключает транзистор защиты, его сопротивление уменьшается, он шунтирует вход и входной сигнал резко уменьшается. Это, в свою очередь, ограничивает ток оконечных транзисторов, снижает потребляемую ими мощность и мощность, выделяемую на коллекторе. Элементы Rэ, R1, R2 с диодом VД2 и сопротивлением нагрузки Rн образуют плечи мостовой схемы. В одну его диагональ (эмиттер – земля, Э-з) подается выходное напряжение транзистора VТзащ - оно включает в себя падение напряжения на Rэ и выходное напряжение на нагрузке Rн. В другую диагональ (а - б) включен эмиттерный переход транзистора защиты. При нормальной работе мост сбалансирован, что достигается подбором параметров его элементов, при этом между точками а –б нет разности потенциалов, а значит нет прямого напряжения между выводами Э – Б VТзащ, и он закрыт. В случае короткого замыкания баланс моста нарушается, понижается потенциал точки (а) – Э, на эмиттерном переходе VТзащ появляется прямое напряжение, он открывается и шунтирует вход, снижая входной сигнал. Схема защиты верхнего плеча срабатывает в положительный полупериод входного сигнала, а в отрицательный она отключается диодом VД1, а срабатывает аналогичная схема нижнего плеча.
Недостатки схемы:
Низкая чувствительность и высокий уровень ограничения тока. Поэтому недопустима длительная работа устройства в режиме короткого замыкания и его следует перевести на резервный блок. Схемы защиты понижают экономичность устройства, поэтому применять их следует только в усилителях большой мощности (25 – 100 Вт). В маломощных усилителях достаточно включить последовательно в цепь входа резистор, который предотвратит полное короткое замыкание выхода и ограничит выходной ток.
Контрольные вопросы:
Какие требования предъявляются к оконечному каскаду?
Дать характеристики режимов работы оконечных каскадов;
Назначение выходного трансформатора в оконечном каскаде;
Принцип работы, назначение элементов схем оконечных каскадов. Свойства схем оконечных каскадов;
Объяснить работу схемы смещения и стабилизации режима в оконечных каскадах;
Объяснить работу схемы защиты оконечных каскадов от короткого замыкания нагрузки.