
Задача № 4
Фотодиод включен последовательно с источником питания и нагрузочным резистором RH. Обратный ток насыщения затемненного фотодиода (темновой ток) равен I0.
Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода составляет Iф1 при потоке световой энергии Ф1; Iф2 при потоке световой энергии Ф2; Iф3=0 при потоке световой энергии Ф3=0.
Вычислить и построить семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2. и Ф3 в области напряжений U от 0 до – 10 В ( при расчетах принять, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т = 300 К).
Определить напряжение холостого хода Uxx перехода диода для Ф1, Ф2 и Ф3 и значения Ф1,2 (лм), считая токовую чувствительность при монохроматическом световом потоке равной Si=1,510-2 мкА/лм.
Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода. Значения, I0, Iф1, Iф2 приведены в табл. 4.
Таблица 4
Последняя цифра |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
0 |
I0, мкА |
2 |
0,5 |
1 |
3 |
10 |
7 |
20 |
1 |
10 |
20 |
Последняя цифра |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
0 |
Rн, кОм |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
90 |
100 |
110 |
120 |
Iф1, мкА |
20 |
30 |
40 |
50 |
40 |
30 |
20 |
30 |
40 |
50 |
Iф2, мкА |
100 |
90 |
30 |
120 |
80 |
60 |
50 |
70 |
110 |
130 |
5. Рекомендуемая литература
Ф.А. Ткаченко «Техническая электроника», Мн., «Дизайн ПРО», 2000 г.
А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов, «Электронные приборы»,Мн., В.Ш,,1999.
К.С. Петров, «Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника», Питер, 2004.
А.П. Казанцев, «Материалы и компоненты радиоэлектроники», Мн., БГУИР, 2009.
В.И.Пачинин «Радиоэлектроника», Мн. «Беларусь», 2010г.
В.Г.Грановский «Радиоэлектроника», Ростов-на-Дону, «Феникс»,2000г.