Конденсаторы к 53-14
Рисунок П..3 – Зависимость допустимой амплитуды напряжения переменной составляющей пульсирующего тока от частоты: 1) (0,1…10) мкФ 6,3 В; (0,1…6,8) мкФ 10 В; 2) (0,068… 4,7) мкФ 16 В; (0,047 …3,3) мкФ 20 В; (15 …100) мкФ 6,3 В; (10… 33) мкФ 10 В; 3) (0,033 …3,3) мкФ 30 В;
(6,8 …2,2) мкФ 16 В; (4,7… 22) мкФ 20 В; 4) (4,7… 15) мкФ 30 В.
Конденсаторы К 53-22
Рисунок П.4 - Зависимость допустимой амплитуды напряжения импульсного тока от частоты и длительности фронтов, номинальной емкости и номинального напряжения (UН=1,4 В при СН=6,8 мкФ, Uн = 6,3 В. f = 103 Гц, τф = 10 - 4 с).
Таблица П.7
Транзисторы биполярные переключательные с рассеиваемой мощностью более 1.5 Вт
Принятые обозначения:
Iк – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
Iк макс имп – максимально допустимый импульсный ток коллектора;
Uкэ макс – максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер;
U кэ нас – напряжение насыщения коллектор-эмиттер;
h21 – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;
ti – время: Р – рассасывания, В – включения. Ы – выключения,
С –спада импульса.
Тип транзистора |
Тип проводимости |
Iк (Iк макс имп), А |
Uкэ макс, (Uкэ нас ), В |
Pк макс , Вт |
h21 |
ti, мкС |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
2Т506А |
n-p-n |
2(5) |
800(0,6) |
5 |
30…150 |
2,5P |
2T506Б |
n-p-n |
2(5) |
600(0,6) |
5 |
30…150 |
3,5P |
2T812A |
n-p-n |
10(17) |
700(2,5) |
50 |
5…30 |
1,3C |
2T812Б |
n-p-n |
10(17) |
500(2,5) |
50 |
5…30 |
1,3C |
2T818A |
p-n-p |
15(20) |
100(1) |
60 |
20 |
2,5Ы |
2T818Б |
p-n-p |
15(20) |
80(1) |
60 |
20 |
2,5Ы |
2Т818В |
p-n-p |
15(20) |
60(1) |
60 |
20 |
2,5Ы |
2Т819А |
n-p-n |
15(20) |
100(1) |
60 |
20 |
2,5Ы |
2Т819Б |
n-p-n |
15(20) |
80(1) |
60 |
20 |
2,5Ы |
2Т819В |
n-p-n |
15(20) |
60(1) |
60 |
20 |
2,5Ы |
2Т827А |
n-p-n |
20(40) |
100(2) |
125 |
750…18000 |
4,5Ы |
2Т827Б |
n-p-n |
20(40) |
80(2) |
125 |
750…18000 |
4,5Ы |
2Т827В |
n-p-n |
20(40) |
60(2) |
125 |
750…18000 |
4,5Ы |
2Т830А |
p-n-p |
2(4) |
30(0,6) |
5 |
25…55 |
0,8В |
2Т830Б |
p-n-p |
2(4) |
50(0,6) |
5 |
25…55 |
0,8В |
2Т830В |
p-n-p |
2(4) |
70(0,6) |
5 |
25…55 |
0,8В |
2Т830Г |
p-n-p |
2(4) |
90(0,6) |
5 |
20…50 |
0,8В |
2Т831А |
n-p-n |
2(4) |
30(0,6) |
5 |
25…200 |
0,8В |
2Т831Б |
n-p-n |
2(4) |
50(0,6) |
5 |
25…200 |
0,8В |
2Т831В |
n-p-n |
2(4) |
70(0,6) |
5 |
25…200 |
0,8В |
2Т831Г |
n-p-n |
2(4) |
90(0,6) |
5 |
20…150 |
0,8В |
2Т841А |
n-p-n |
10(15) |
600(1,5) |
50 |
12…45 |
1,2Р |
2Т841Б |
n-p-n |
10(15) |
400(1,5) |
50 |
12…45 |
1,2Р |
2Т847А |
n-p-n |
15(25) |
650(1,5) |
125 |
8…25 |
0,8С |
Продолжение таблицы П.7
Тип транзистора |
Тип проводимости |
Iк (Iк макс имп), А |
Uкэ макс, (Uкэ нас ), В |
Pк макс , Вт |
h21 |
ti, мкС |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
2Т847Б |
n-p-n |
15(25) |
650(1,5) |
125 |
8 |
3Р |
2Т848А |
n-p-n |
15 |
400(2) |
35 |
20 |
fгр=3МГц |
2Т856А |
n-p-n |
10(12) |
950(1,5) |
75 |
10…30 |
2Р |
2Т856Б |
n-p-n |
10(12) |
750(1,5) |
75 |
10…60 |
2Р |
2Т862А |
n-p-n |
15(30) |
250(2) |
70 |
10…100 |
1Р |
2Т862Б |
n-p-n |
15(25) |
250(2) |
50 |
10…100 |
1Р |
2Т862В |
n-p-n |
10(15) |
350(1,5) |
50 |
12…50 |
2Р |
2Т862Г |
n-p-n |
10(15) |
400(1,5) |
50 |
12…50 |
2Р |
2Т866А |
n-p-n |
20(20) |
160(1,5) |
30 |
15…100 |
0,1С |
2Т867А |
n-p-n |
25(40) |
300(1,2) |
100 |
12…100 |
1,3Р |
2Т878А |
n-p-n |
25(30) |
800(1,5) |
100 |
12…50 |
2,5Р |
2Т878Б |
n-p-n |
25(30) |
800(1,5) |
100 |
12…50 |
2,5Р |
2Т878В |
n-p-n |
25(30) |
600(1,5) |
100 |
12…50 |
2,5Р |
2Т885А |
n-p-n |
40(60) |
400(2,2) |
150 |
12 |
2Р |
2Т885Б |
n-p-n |
40(60) |
500(2,5) |
150 |
12 |
2Р |
2Т887А |
p-n-p |
2(5) |
700(1,4) |
75 |
20…120 |
(0,7…5) Р |
2Т887Б |
p-n-p |
2(5) |
600(1,4) |
75 |
20…120 |
(0,7…5) Р |
2Т888А |
p-n-p |
0,1(0,2) |
900(1) |
7 |
30…120 |
1,5Р |
2Т888Б |
p-n-p |
0,1(0,2) |
600(1) |
7 |
30…120 |
1,5Р |
2Т892А |
n-p-n |
15(30) |
400(1,8) |
100 |
300 |
5Ы |
2Т892Б |
n-p-n |
15(30) |
350(1,8) |
100 |
300 |
5Ы |
Таблица П.8