
- •Глава 1. Аппаратура и методы регистрации энергетического распределения вторичных электронов 7
- •Глава 2. Экспериментальное оборудование 26
- •Глава 3. Обработка спектров 41
- •Введение
- •Раздел а. Теоретические сведения
- •Глава 1. Аппаратура и методы регистрации энергетического распределения вторичных электронов
- •1.1. Поверхностная чувствительность методов электронной спектроскопии
- •1.2. Оборудование для создания сверхвысокого вакуума
- •1.4. Анализ энергии в электронной спектроскопии
- •1.5. Источники электронов и ионов
- •1.6. Электронные спектрометры
- •Глава 2. Экспериментальное оборудование
- •2.1. Описание экспериментальной установки
- •2.2. Описание виртуальной установки
- •2.3. Программа тестирования
- •Глава 3. Обработка спектров
- •3.1. Компьютерная обработка электронных спектров
- •3.2. Работа с пакетом программ origin
- •1.2. Зависимость коэффициентов вторичной электронной эмиссии и упругого отражения от энергии первичных электронов
- •1.3. Порядок выполнения работы
- •1.4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 Электрическое дифференцирование кривой задержки вторичных электронов
- •2.1. Электрическое дифференцирование кривой задержки вторичных электронов
- •2.2. Влияние модуляции на интенсивность регистрируемых пиков
- •2.3. Порядок выполнения работы
- •2.4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 Изучение плазменных колебаний в твердом теле методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронов
- •3.1. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов
- •3.2. Порядок выполнения работы
- •3.3. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 Физические основы электронной оже-спектроскопии
- •4.1 Физические основы электронной оже-спектроскопии
- •4.2. Количественный анализ в электронной оже-спектроскопии
- •4.3. Вычитание фона в электронной спектроскопии
- •4.3. Порядок выполнения работы
- •4.4.Контрольные вопросы
- •Библиографический список
4.3. Вычитание фона в электронной спектроскопии
Для правильной интерпретации спектров в электронной спектроскопии, проведения качественного и количественного анализа необходимо учитывать фоновую составляющую спектра, обусловленную процессом неупругого рассеяния электронов в твердом теле. Определение энергетической зависимости числа электронов, создающих фон неупругорассеянных электронов в спектре, требует глубокого понимания всех процессов, которые приводят к появлению фоновых электронов. Это представляет достаточно сложную задачу, поэтому на ранних этапах развития количественного анализа в электронной спектроскопии были предложены методы учета фона, в большей или меньшей степени обоснованные физическими механизмами процессов.
Для грубой оценки фоновой составляющей используют линейную зависимость числа неупругорассеянных электронов от их энергии, представляющую прямую линию, проведенную через начальную и конечную точку спектра (рис. 39).
Рис.
39. Пример вычитания линейного фона
В наиболее часто используемом методе вычитания нелинейного фона, называемом методом Ширли (Shirley), фон в каждой точке связывается с неупругорассеянными электронами, которые, как предполагается, возникают исключительно из-за рассеяния электронов более высоких энергий, и, таким образом, фон оказывается пропорциональным интегральной интенсивности электронов с большей кинетической энергией.
Практический алгоритм использования метода Ширли приведен в [3] (рис. 40). Величина фона B(x) в точке х спектра, состоящего из k расположенных с одинаковым энергетическим интервалом h точек, равна:
(22)
г
Рис.
40. Вычитание фона по методу Ширли
Используя метод трапеций для определения площадей, получим:
На первом шаге вычислений фон В1(x) вычисляется для площадей P и Q, вычисленных после вычитания постоянной составляющей b (линия В1 на рис. 40). Подстановка полученных результатов для площадей P и Q в уравнение (22) приводит к фону В2, который затем используется для вычисления новых площадей P и Q, приводящих к фону В3. Этот процесс повторяется до тех пор, пока последующие итерации не приводят к существенному изменению фона. Обычно для уменьшения требуемого числа итераций начальная точка выбирается вблизи пика.
На рис. 41 в качестве практического примера вычитания фона по методу Ширли приведены результаты вычислений по этому методу для спектра представленного на рис. 39.
Рис.
41. Пример вычитания фона по методу Ширли
Для оже-электронных спектров, представленных в виде дифференциальных кривых dN/dE, Сикафус (Sickafus) предложил использовать для вычитания фона электронный аналог функции распределения электронов в диапазоне от 10 до 1000 эВ, который включает в себя как область истинно вторичной эмиссии, так и область неупругорассеянных электронов [22].
Применение электронного аналога вторичной эмиссии продемонстрировано на примере анализатора с тормозящим полем (рис. 42). В общем виде функция распределения электронов вторичной эмиссии по энергиям представлена в данной работе в виде:
,
где
А
– постоянный коэффициент, Е
– энергия вторичного электрона по
отношению к вакууму,
- определяется экспериментальными
данными, а m
лежит в диапазоне
,
где
и
меньше единицы.
Н
Рис. 42. Пример
устранения фона с помощью электронного
аналога вторичной эмиссии [22]
На верхнем рисунке (а) приведен оже-спектр (А) поверхности Ni (110) с аналогом вторичной эмиссии (В). На рис. 42 b представлена кривая, представляющая запись выходного сигнала усилителя, работающего в режиме регистрации разности сигналов двух каналов, т.е. разности спектра А и спектра В.