- •Глава 1. Аппаратура и методы регистрации энергетического распределения вторичных электронов 7
- •Глава 2. Экспериментальное оборудование 26
- •Глава 3. Обработка спектров 41
- •Введение
- •Раздел а. Теоретические сведения
- •Глава 1. Аппаратура и методы регистрации энергетического распределения вторичных электронов
- •1.1. Поверхностная чувствительность методов электронной спектроскопии
- •1.2. Оборудование для создания сверхвысокого вакуума
- •1.4. Анализ энергии в электронной спектроскопии
- •1.5. Источники электронов и ионов
- •1.6. Электронные спектрометры
- •Глава 2. Экспериментальное оборудование
- •2.1. Описание экспериментальной установки
- •2.2. Описание виртуальной установки
- •2.3. Программа тестирования
- •Глава 3. Обработка спектров
- •3.1. Компьютерная обработка электронных спектров
- •3.2. Работа с пакетом программ origin
- •1.2. Зависимость коэффициентов вторичной электронной эмиссии и упругого отражения от энергии первичных электронов
- •1.3. Порядок выполнения работы
- •1.4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 2 Электрическое дифференцирование кривой задержки вторичных электронов
- •2.1. Электрическое дифференцирование кривой задержки вторичных электронов
- •2.2. Влияние модуляции на интенсивность регистрируемых пиков
- •2.3. Порядок выполнения работы
- •2.4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 3 Изучение плазменных колебаний в твердом теле методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронов
- •3.1. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов
- •3.2. Порядок выполнения работы
- •3.3. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 Физические основы электронной оже-спектроскопии
- •4.1 Физические основы электронной оже-спектроскопии
- •4.2. Количественный анализ в электронной оже-спектроскопии
- •4.3. Вычитание фона в электронной спектроскопии
- •4.3. Порядок выполнения работы
- •4.4.Контрольные вопросы
- •Библиографический список
2.2. Влияние модуляции на интенсивность регистрируемых пиков
Влияние амплитуды модуляции на соотношение между амплитудами первой и второй гармоник и, соответственно, N(E) и dN(E)/dE для анализатора с тормозящим полем проанализировано в работе [19], в предположении, что оже-пик имеет гауссову форму:
,
здесь i – полный ток, соответствующий данному оже-пику, s - полуширина гауссова пика на половине высоты.
Р
Рис. 32. Зависимость
ошибки амплитуды первой и второй
гармоник от амплитуды модуляции [19]
С ростом амплитуды модуляции зависимость между амплитудой первой гармоники и N(ES) становится все более нелинейной, что обусловлено вкладом членов высших порядков в уравнении ((15). При DU = s отклонение составляет приблизительно 11%. Нелинейность зависимости амплитуды второй гармоники от квадрата амплитуды модуляции связана с влиянием вклада членов высших порядков в соотношении ((16). При тех же условиях (DU = s) ошибка в максимумах зависимости dN(E)/dE равна почти 20%. Если двойная амплитуда модуляции меньше полуширины пика, то отклонения обеих величин не превышает 6%.
2.3. Порядок выполнения работы
Получить вариант задания у преподавателя.
Изучить метод электрического дифференцирования.
Ознакомиться с устройством и принципом работы экспериментальной установки.
Ознакомиться с документацией к программе для выполнения виртуальных лабораторных работ “VR_Lab”.
Запустить программу для выполнения виртуальных лабораторных работ “VR_Lab”.
Перейти в окно с установкой.
В соответствии с описанием включить виртуальную лабораторную установку.
Установить параметры записи спектров, указанные в вариантах.
Записать спектр и сохранить его формате *.dat.
Выключить виртуальную установку, закрыть программу.
Произвести компьютерную обработку полученных спектров: вычесть фон из спектров, определить энергии и интенсивности пиков, зарегистрированных в спектрах.
Произвести анализ результатов: выявить характерные особенности в спектрах N(E) и dN/dE, сравнить интегральные и дифференциальные спектры.
Оформить отчет по проделанной работе в WORD.
2.4. Контрольные вопросы
Объясните схему экспериментальной установки, назначение отдельных элементов установки.
Почему анализ вторичных электронов необходимо производить в сверхвысоком вакууме?
Объясните устройство и принцип работы анализатора задерживающего поля.
Что называется кривой задержки вторичных электронов? Назовите характерные области этой кривой, дайте каждой из них краткую характеристику.
Объясните метод электрического дифференцирования спектров распределения электронов по энергии.
Как в экспериментальной установке осуществляется процедура электрического дифференцирования?
При каких условиях регистрируется кривая распределения электронов по энергии N(E), а при каких – ее первая производная dN/dE?
Почему при регистрации слабых пиков предпочтительнее регистрировать первую производную распределения электронов по энергии?
Какому требованию должна удовлетворять амплитуда модулирующего напряжения?
