Ответы на вопросы к зачету по дисциплине фхотэс

1. Классификация интегральных микросхем.

17. Диаграмма плавкости двухкомпонентной системы с простой эвтектикой (компоненты не растворимы в твердом состоянии).

2. Профильно-технологическая схема (пример).

18. Диаграмма плавкости двухкомпонентной системы с неограниченной взаимной растворимостью в жидком и твердом состоянии. («Сигара»)

3. Методы полупроводниковой технологии.

19. Диаграмма плавкости твердых растворов с ограниченной растворимостью эвтектического типа.

4. Диффузионное легирование. Законы диффузии.

20. Диаграмма плавкости твердых растворов с ограниченной растворимостью перитектического типа.

5. Распределение концентрации примеси при диффузии из бесконечного источника примеси. (Пример распределения примеси в приборе).

21. Диаграмма плавкости двухкомпонентной системы с образованием химического соединения.

6. Распределение концентрации примеси при диффузии из ограниченного источника примеси. (Пример распределения примеси в приборе).

22. Фазовые превращения в бинарной системе при изотермической диффузии. Переходный эпитаксиальный слой.

7. Механизмы диффузии.

23. Примеры использования диаграмм состояния бинарных систем.

8. Влияние температуры на коэффициент диффузии.

24. Термодинамическая модель Гиббса - Фальмера механизма зарождения и роста пленок.

9. Техника выполнения диффузионного легирования.

25. Особенности роста пленок.

10. Процессы взаимодействия ионов с веществом.

26. Эпитаксиальное наращивание пленок.

11. Механизмы потерь энергии при взаимодействии иона с веществом.

27. Молекулярно - лучевая эпитаксия.

12. Распределение пробега имплантированных ионов в твердом теле.

28. Марки монокристаллического кремния и эпитаксиальных структур на его основе.

13. Каналирование ионов.

29. Кинетика термического окисления кремния.

14. Образование и отжиг радиационных дефектов.

30. Химическое осаждение диэлектрических пленок.

15. Ядерное (трансмутационное) легирование.

31. Плазмохимическое осаждение диэлектрических пленок.

16. Фазовые превращения однокомпонентных систем. Правило фаз Гиббса.

32. Термическое и электронно-лучевое вакуумное осаждение пленок.

1. Классификация интегральных микросхем.

Интегральная микросхема это микроэлектронное изделие, состоящее из активных (транзисторов) и пассивных (диодов, резисторов, конденсаторов) элементов, а также из соединяющих их проводников, которое изготавливается в едином технологическом процессе в объеме полупроводника или на поверхности диэлектрического основания, заключено в корпус и представляет собой неразделимое целое. Иногда ее называют интегральной схема, иногда микросхемой, соответственно, возможны сокращенные обозначения ИМС, ИС, МС.

По технологии изготовления микросхемы делятся на три разновидности: полупроводниковые (самые распространенные), пленочные (почти не выпускаются) и гибридные (выпускают немного и выпуск сокращают).

В полупроводниковых микросхемах все элементы и их соединения изготавливаются в объеме (внутри) и частично на поверхности полупроводника. Иногда полупроводниковую микросхему называют твердотельной схемой, что является буквальным переводом с английского языка (solid state).

В пленочной микросхеме все элементы и их соединения выполнены в виде пленок из проводящих и диэлектрических материалов на диэлектрическом основании. В этих микросхемах нет транзисторов и диодов.

В гибридных микросхемах пассивные элементы и соединительные проводники изготавливают по пленочной технологии, а бескорпусные транзисторы и диоды, изготовленные отдельно по полупроводниковой технологии, соединяют тонкими проводами диаметром 0,04 мм с контактными площадками.

По функциональному назначению микросхемы делятся на две категории:

– аналоговые, обрабатывающие сигналы, изменяющиеся по закону непрерывной функции;

– цифровые, обрабатывающие цифровые сигналы.

Транзисторы, применяющиеся в цифровых микросхемах, бывают двух типов:

– обычные (n–p–n или p–n–p) биполярные транзисторы;

– полевые (униполярные) транзисторы.