
- •1. Основные параметры и свойства плазмы
- •2. Элементарные процессы в плазме
- •3. Характеристика процессов плазмо- и ионно-химического травления
- •4. Представления о химической связи и кинетике химических реакций
- •5. Механизм формирования химически активной плазмы
- •7. Направленность процессов пхт и ихт
- •8. Зависимость скорости травления от параметров процессов пхт и ихт
- •9. Оборудование для ихт и пхт
Физико-химические основы плазменной обработки микроэлектронных структур
Ионно-плазменные методы обработки материалов получили широкое распространение в технологии ЭА благодаря своей универсальности и ряду преимуществ по сравнению с другими технологическими методами. Универсальность методов ионно-плазменной обработки определяется тем, что с их помощью можно осуществить различные технологические процессы: очистку подложек, напыление слоев, травление с целью создания заданного рисунка интегральных микросхем и т.д. К преимуществам методов относится возможность напыления и травления (в том числе реактивных) при невысоких температурах и без применения жидких химических реагентов и растворителей (сухой способ).
В основе ионно-плазменных методов обработки лежит процесс взаимодействия атомных частиц (нейтральных атомов, положительных и отрицательных ионов) с поверхностью твердого тела. Обычно источником бомбардирующих частиц служит плазма. Она является тем "реагентом", который обеспечивает процессы распыления и травления слоев твердого тела.
1. Основные параметры и свойства плазмы
Основой, объединяющей ионно-плазменные процессы обработки материалов, является использование низкотемпературной газовой плазмы низкого давления. Такая плазма представляет собой слабо ионизированный газ, состоящий из смеси стабильных и возбужденных атомов и молекул, продуктов диссоциации молекул – радикалов, электронов, положительно и отрицательно заряженных ионов.
Основные параметры, характеризующие плазму, как технологическую среду:
ne и ni – концентрация соответственно электронов и ионов в плазме;
– степень ионизации (отношение концентрации ионов к полной концентрации частиц);
Те – электронная температура;
Ее и Еi – энергия направленного движения соответственно электронов и ионов;
дебаевский радиус экранирования rD, характерный размер, на котором происходит экранировка внесенного электрического заряда и где электрическая нейтральность плазмы может нарушаться
(1.1)
где Те – в эВ; ne - см-3; rD- в см..
Этот вид плазмы поддерживается за счет внешнего электрического поля. Ионизация в ней осуществляется путем соударения электронов с нейтральными атомами или молекулами. Заряженные частицы (электроны и ионы) ускоряются полем и отдают энергию нейтральным частицам при соударениях, в основном упругих. Энергия выделяется в такой плазме в виде джоулева тепла.
При упругих столкновениях частицы близких масс интенсивно обмениваются энергией. Массы ионов и нейтральных атомов примерно равны между собой, но много больше массы электрона. Поэтому равновесное (максвелловское) распределение скоростей гораздо быстрее устанавливается внутри каждого класса частиц, чем между этими классами, и средняя кинетическая энергия электронов оказывается много больше, чем у ионов, а эта последняя - больше средней кинетической энергии нейтральных атомов. Нужно еще учесть, что средняя длина свободного пробега электронов больше таковой для ионов, поэтому внешнее поле интенсивнее "снабжает" их энергией. Все это приводит к тому, что в газоразрядной плазме сосуществуют три компоненты с различными температурами: электроны - Тe, ионы - Ti и нейтральные частицы - Tn, при этом Te >> Ti > Tn . В этом смысле газоразрядная плазма термически неравновесна (неизотермическая плазма). Низкотемпературной принято считать плазму с Ti < 105 K.
Если температура всех компонентов плазмы одинакова, то плазма называется изотермической, а в противном случае – неизотермической.
Основную роль в процессах передачи энергии играют неупругие столкновения электронов, приводящих к возбуждению атомов и молекул, их ионизации и диссоциации. Основным процессом создания активных частиц плазмы инертных газов является ионизация. При образовании плазмы многоатомного газа основными являются процессы возбуждения и диссоциации. Число образующихся ионов относительно мало.
Говоря о диффузии заряженных частиц в газоразрядной плазме, необходимо отметить, что классические выражения для коэффициентов диффузии электронов и ионов
(1.2)
справедливы лишь в том случае, когда рассматриваемая совокупность заряженных частиц не является плазмой, т.е. характерный размер rD и эффекты экранировки отсутствуют. В случае, когда выполняется обратное неравенство>>rDразличие в тепловых скоростях ионов и электронов приводит к разделению зарядов и возникновению электрического поля, ориентированного в направлении диффузии частиц. Это поле ускоряет диффузионное движение ионов и замедляет диффузию электронов. В результате этого ионы и электроны диффундируют с одинаковой скоростью, определяемой коэффициентом так называемойамбиполярной диффузии, величина которого выражается через коэффициенты диффузии и подвижности ионовiи электроновес помощью соотношения
(1.3)
В условиях газового разряда обычно выполняются неравенства i<<е иDi << De. Поэтому выражение дляDa можно упростить:
(1.4)
Таким образом, при наличии неоднородностей плазма диффундирует как целое с подвижностью, определяемой подвижностью электронов и температурой электронов.
При отсутствии электрического поля движение заряженных частиц в однородной плазме является равновероятным по всем направлениям. При наложении электрического поля на частично ионизованную газовую среду распределение скоростей заряженных частиц перестает быть изотропным, что приводит к появлению направленного перемещения всей массы частиц данного сорта, называемому дрейфом.
Электроны в электрическом поле набирают
энергию в интервале между столкновениями
и отдают их при упругих и неупругих
столкновениях с атомами и молекулами
газа. Рассматривая изменение количества
движения электрона в направлении
электрического поля ~ meue
за время между столкновениями,
в отсутствие неупругих столкновений
можно получить приближенное выражение
для скорости дрейфа электронов
(1.5)
где е– подвижность электронов.
В случае слабого электрического поля функция распределения электронов не зависит от его величины. Скорость дрейфа в этом случае выражается точной формулой Ланжевена
,
(1.6)
где р0– давление нейтрального газа, приведенное к нормальным условиям, т.е.
;
(1.7)
е1– длина свободного пробега электронов при давлении 133 Па; Та– температура нейтральных частиц.
Ионы при столкновении с тяжелыми частицами очень сильно теряют свою энергию. Если считать, что они останавливаются после каждого столкновения с нейтральными частицами, то среднюю скорость их дрейфа в направлении электрического поля можно выразить как
(1.8)
где zi – заряд ионов.
Плотность тока заряженных частиц в плазме определяется их плотностью, зарядом и скоростью дрейфа, т.е.
(1.9)
где n – концентрация заряженных частиц сорта;z - их заряд в единицах электронного заряда е. В простейшем случае, когда плазма состоит из электронов, ионов и нейтральных частиц, с учетом выражений (1.8) и (1.9) плотность тока в плазме можно представить в виде
(1.10)
Так как me<<mi, тоi <<e и при равенствеne ~ ni плотности электронных и ионных токов удовлетворяют неравенствуje >> ji, т.е. ток в плазме переносится в основном электронами.