Основные параметры туннельных диодов.
пиковый ток Iп- прямой ток в точке максимума вольт- амперной характеристики (Iмах), при котором di/du=0;
ток впадины Iв- прямой ток в точке минимума вольт- амперной характеристики (Imin), при котором di/du=0;
отношение токов туннельного диода Iп/Iв- отношение пикового тока к току впадины;
напряжение впадины Uв- прямое напряжение, соответствующее току впадины;
напряжение раствора Uр- прямое напряжение, больше напряжения впадины, прри котором ток равен пиковому (точка С на рис.б);
индуктивность диода Lvd- полная последовательная индуктивность диода при заданных условиях;
удельная емкость туннельного диода Сvd/Iп- отношение емкости туннельного диода к пиковому току;
дифференциальное сопротивление Rд- величина, обратная крутизне вольт- амперной характеристики;
резонансная частота туннельного диода fо- расчетная частота, при которой общее реактивное сопротивление P-N- перехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль;
напряжение пика Uп- прямое напряжение (UА), соответствующее пиковому току.
К максимально допустимым параметрам относятся:
максимально допустимый постоянный прямой ток туннельного диода Iпр.мах ;
максимально допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.мах;
максимально допустимый постоянный обратный ток Iобр.мах;
максимально допустимая рассеиваемая СВЧ мощность диода РСВЧ. мах.
Маркировка туннельных диодов.
Очередность значения букв и цифр такая же ,как и у выпрямительных диодов.
Пример:ГИ103А- германиевый (Г), туннельный (И) диод, усилительный, малой мощности (1), разработка 03, группа А.
Устройство и принцип работы транзисторов.
Основным элементом транзистора является монокристалл германия или кремния, в котором созданы три области с различной проводимостью. Две крайние области всегда имеют проводимость одинакового типа , противоположную проводимости средней области. У транзистора типа P-N-P крайние области обладают дырочной проводимостью, а средняя- электронной; у транзистора типа N-P-N крайние области имеют электронную проводимость, а средняя-дырочную.
Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов, аналогичны. Средняя область транзистора называется базой Б, одна из крайних областей- эмиттером Э, а другая- коллектором К. Из рисунка видно, что в транзисторе имеется два P-N- перехода: эмиттерный- между базой и эмиттером, и коллекторный- между базой и коллектором. Для понимания работы транзистора необходимо иметь в виду следующее: область базы очень тонкая, расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами небольшое (составляет не более 10 мкм), для преодоления которого требуется небольшая энергия носителей тока; концентрация атомов примеси в области базы во много раз меньше, чем в эмиттере.
Устройство германиевого плоскостного транзистора, изготовленного сплавным способом. На пластинку германия с электронной проводимостью, которая является базой, наплавляют с двух сторон кусочки акцепторного вещества, обычно индия. Вблизи границ сплавления в пластинке германия образуется два слоя с проводимостью Р, представляющие собой эмиттер и коллектор транзистора. На границе полупроводников с разной проводимостью появляются P-N- переходы. Пластинку помещают в кристаллодержатель, который припаивают ко дну герметизированного корпуса. Внутренние выводы эмиттера и коллектора соединяют с наружными выводами, проходящими в корпус через изолятор. Вывод базы крепится непосредственно ко дну корпуса.
Транзистор N-P-N- типа имеет аналогичное устройство- на пластину германия с Р- проводимостью с двух сторон наплавляется донорное вещество (обычно сурьма), в результате чего образуется два слоя: эмиттер и коллектор с проводимостью N.