
- •Фильтр верхних частот.
- •Компенсированный делитель напряжения.
- •Пассивный полосовой фильтр.
- •Мост Вина- Робинсона.
- •Модуль и фазовый сдвиг определяются как:
- •Двойной т- образный фильтр.
- •Колебательный контур.
- •Вольт- амперная характеристика p-n- перехода.
- •Частотные свойства p-n-перехода.
- •Устройство полупроводниковых диодов.
- •Точечные диоды.
- •Основные параметры полупроводниковых диодов.
- •Выпрямительные диоды.
- •Высокочастотные диоды.
- •Импульсные диоды.
- •Маркировка диодов.
- •Лавинные диоды.
- •Стабилитроны.
- •Маркировка стабилитронов.
- •Туннельные диоды.
- •Основные параметры туннельных диодов.
- •Маркировка туннельных диодов.
- •Устройство и принцип работы транзисторов.
- •Принцип работы транзистора.
- •Усилительные свойства транзисторов.
- •Схемы включения транзисторов.
- •Статические характеристики транзисторов.
- •Параметры транзисторов.
- •Влияние температуры на характеристики и параметры транзисторов.
- •Динамические характеристики транзистора.
- •Полевые транзисторы.
- •Входные характеристики пт.
- •Еще о типах пт: n- канальные и p- канальные транзисторы.
- •Общая классификация пт.
- •Основные схемы на пт.
- •Транзисторные усилители.
- •Классификация усилителей.
- •Основные качественные показатели.
- •Выходные и входные данные.
- •Коэффициент усиления.
- •Коэффициент полезного действия.
- •Искажения сигнала усилителя.
- •Динамический диапазон и уровень собственных шумов.
- •Рабочий диапазон частот.
- •Собственные помехи усилителя.
- •Схемы усилительных каскадов.
- •Стабилизация рабочей точки.
- •Схемы межкаскадной связи.
- •Режимы усилителей.
- •Каскады предварительного усиления.
- •Каскады мощного усиления.
- •Обратная связь в усилителях.
- •Эмиттерный повторитель.
- •Широкополосный усилитель.
- •Фазоинверсные каскады.
- •Фазочувствительные усилители- преобразователи электрических сигналов.
- •Дифференциальный усилитель.
- •Применение дифференциальных схем в усилителях постоянного тока с однополюсным выходом.
- •Использование токового зеркала в качестве активной нагрузки.
- •Дифференциальные усилители как схемы расщепления фазы.
- •"Сторожа". Усилители на пт.
- •Обратные связи
- •Операционный усилитель.
- •Основные схемы включения оу.
- •Нелинейные схемы.
- •Общие сведения.
- •Усилители среднего тока. Фазочувствительные усилители.
- •Усилители постоянного тока.
- •Балансная схема усилителя постоянного тока.
- •Избирательные усилители.
- •Выпрямители.
- •Однофазный однополупериодный выпрямитель.
- •Однофазный двухполупериодный выпрямитель с нулевой точкой.
- •Однофазный двухполупериодный выпрямитель.
- •Трехфазная мостовая схема выпрямления.
- •Стабилизаторы напряжения и тока.
- •Параметрический стабилизатор.
- •Компенсационные стабилизаторы.
- •Импульсные стабилизаторы постоянного напряжения (испн)
- •Модуляция. Амплитудная модуляция.
- •Импульсные способы передачи информации.
- •Формирователи импульсов.
- •Триггеры.
- •Управление триггерами.
- •Условные графические обозначения.
- •Мультивибратор. Запуск мультивибратора.
- •Процессы при установившихся колебаниях мультивибратора.
- •Одновибратор.
- •Блокинг- гегнератор.
- •Блокинг- генератор в ждущем режиме.
- •Одновибратор на операционном усилителе.
Высокочастотные диоды.
Это приборы универсального назначения:
для выпрямления тока в широком диапазоне частот (до нескольких сотен МГц) ,
для модуляции,
детектирования
и других нелинейных преобразований.
В качестве высокочастотных диодов в основном используются точечные диоды. Высокочастотные диоды имеют те же параметры, что и выпрямительные диоды, но диапазон их рабочих частот гораздо шире.
Импульсные диоды.
В качестве импульсных диодов в основном используются точечные диоды. Импульсные диоды в основном предназначены для преобразования импульсных сигналов (в детекторах видеосигналов в телевизионных приемниках, в ключевых и логических устройствах и др.) и характеризуются следующими основными параметрами:
импульсное прямое напряжение Uпр.п- пиковое прямое напряжение на диоде при заданном импульсе прямого тока;
импульсное обратное напряжение Uобр.и.- пиковое обратное напряжение на диоде, включающее как однократные выбросы, так и периодически повторяющиеся;
общая емкость диода Сд- емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении и частоте;
время установления прямого напряжения tуст- интервал времени с момента подачи импульса прямого тока на диод (при нулевом смещении) до достижения заданного напряжения на диоде;
время восстановления обратного сопротивления tвосст- интервал времени с момента прохождения тока через нуль после переключения диода из состояния заданного тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения заданного обратного тока;
заряд переключения Qпк- часть накопленного заряда, вытекающего во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное.
К максимально допустимым параметрам относятся:
максимально допустимый прямой ток Iпр.мах,
максимальная рабочая температура,
минимальная рабочая температура.
Маркировка диодов.
В соответствии с ГОСТ 10862-72 диодам присваиваются обозначения из четырех элементов:
первый элемент- буква или цифра, обозначающая исходный материал:
Г или 1- германий,
К или 2- кремний,
А или 3- соединения галлия);
второй элемент- буква, указывающая подкласс приборов:
А- сверхчастотные,
Б- приборы, с объемным эффектом (Ганна),
В- варикапы,
Г- генераторы шума,
Д- выпрямительные, универсальные и импульсные,
И- туннельные,
К- стабилизаторы тока,
Л- излучающие,
Н- тиристоры триодные,
Ц- выпрямительные столбы и блоки;
третий элемент- число, первая цифра которого обозначает классификационный номер, а последующие три цифры (от 1 до 999)- порядковый номер разработки (кроме стабилитронов);
четвертый элемент- буква, указывающая разновидность прибора данного типа (для стабилитронов- очередность разработки).
Пример маркировки: КД215А- кремниевый (К) выпрямительный (Д) средней мощности (2), порядковый номер разработки 15, группы А.
Лавинные диоды.
У выпрямительного диода запорный слой не обладает строго однородной структурой, имеются отдельные микроплощадки с повышенной удельной проводимостью. При обратном напряжении плотность тока в этих микроплощадках оказывается большой и в малых участках полупроводника выделяется значительное количество энергии. Происходит местный перегрев, который способствует тепловому пробою P-N- перехода.
В лавинных диодах применяют монокристаллы кремния с высокой однородностью структуры. В таких кристаллах специальной технологией создается искусственно равномерно по всей площади большое количество микроплощадок с повышенной проводимостью обратного тока, поэтому нагрев объема кристалла обратным током происходит по всему сечению перехода и местное повышение температуры его отдельных участков практически исключается. В следствии равномерного распределения обратного тока в лавинном диоде может выделяться и рассеиваться энергия в сотни раз большая, чем в обычном диоде с такими же номинальными параметрами.