Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электроника_лек.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
2.27 Mб
Скачать

Эмиттерный повторитель.

Эмиттерный повторитель (ЭП) представляет собой каскад с последовательной ООС по напряжению.

ЭП имеет большое входное сопротивление, небольшое выходное сопротивление, малую входную динамическую емкость и небольшой коэффициент гармоник. Он не дает усиления по напряжению, но усиливает по току. Его входное и выходное сопротивление, коэффициенты усиления по току и напряжению.

Коллектор транзистора подключен к источнику питания Ек. Нагрузка Rн подключена к эмиттерной цепи. Источник сигнала Uвх подсоединен между базой и общим проводом. При подаче входного сигнала токи и напряжения транзистора получают приращение. При положительном (или отрицательном) входном сигнале Uвх токи базы и эмиттера увеличиваются (или уменьшаются), возрастает (уменьшается) падение напряжения на RЭ. Приращение напряжения на нем соответствует выходному сигналу, который будет положительным (отрицательным). Таким образом полярность входного и выходного сигналов в схеме с ОК совпадают, каскад является неинвертирующим усилителем и носит название эмиттерного повторителя.

Название эмиттерный повторитель закрепилось за каскадом с ОК потому, что он передает сигнал с коэффициентом Ku близким к единице и не искажает его форму благодаря наличию ООС.

Широкополосный усилитель.

Часто требуются усилители с весьма широкой полосой пропускания частот. Такие широкополосные усилители получили название видеоусилителей (по применению в телевидении). Для нормальной работы усилителя в широкой полосе частот обычно используют схемы резистивных каскадов, т.к. они обеспечивают наилучшие частотные и фазовые характеристики. Однако с увеличением частоты усиление обычного резистивного усилителя падает в следствие шунтирующего действия входной емкости (Со). Для повышения усиления резистивного каскада и получения линейной фазовой характеристики в схему видеоусилителя включают элементы частотно- фазовой коррекции на верхних и нижних частотах. Кроме того, в широкополосных каскадах используют высокочастотные транзисторы с большой граничной частотой. Транзисторы включают по схеме с ОЭ.

Схема коррекции искажений на высоких частотах.

Эта схема содержит катушку индуктивности L, включенную последовательно с резистором выходной нагрузки Rн. Действующее сопротивление выходной нагрузки контура СоLRн может быть почти постоянным в более широкой полосе частот, чем сопротивление CoRн нагрузки некорректированного резистивного каскада. Это объясняется тем, что с увеличением частоты сопротивление индуктивной ветви контура LRн возрастает и в некотором диапазоне частот компенсирует уменьшение сопротивления емкости Со. Предельная частота в этом случае увеличивается в 1.7 раза по сравнению с некомпенсированным усилителем. При правильном выборе L усиление каскада будет почти постоянным, а фазовая характеристика схемы на верхних частотах почти линейна.

При практических расчетах, зная Со и fв можно определить Rн и L по следующим формулам:

.

Более совершенной схемой является следующая:

Эта схема сложной коллекторной коррекции. Включение второй корректирующей катушки L2 позволяет уменьшить влияние выходной емкости транзистора на частотную характеристику в области верхних частот и повысить коэффициент усиления каскада на 20-40% по сравнению со схемой простой коллекторной коррекции.

Недостатком таких схем является сложность их расчета и настройки.

Схема коррекции на нижних частотах.

Для подъема характеристики на нижних частотах и компенсации частотных и фазовых искажений в коллекторную цепь транзистора включают корректирующий фильтр СфRф. На средних частотах реактивное сопротивление конденсатора Сф очень мало и сопротивление коллекторной нагрузки будет приблизительно равно Rн.

В диапазоне нижних частот реактивное сопротивление конденсатора Сф возрастает, сопротивление нагрузки растет, в следствии чего увеличивается усиление каскада. При правильном выборе величин Rф и Сф можно обеспечить равномерное усиление в области более низких частот.