Мост Вина- Робинсона.

Если полосовой фильтр дополнить сопротивлениями R₁ и 2R₁, то получится мост Вина- Робинсона. Омический делитель напряжения обеспечивает частотно- независимое напряжение, равное 1/3 U_e. При этом на резонансной частоте выходное напряжение равно нулю.

В отличие от полосового фильтра амплитудно- частотная характеристика на резонансной частоте имеет минимум. Схема применяется для подавления сигналов в определенной частотной области.

Модуль и фазовый сдвиг определяются как:

Двойной т- образный фильтр.

Двойной Т- образный фильтр обладает частотной характеристикой, идентичной частотной характеристике фильтра Вина- Робинсона. Он тоже пригоден для подавления сигналов в определенной частотной области. В отличие от моста Вина- Робинсона выходное напряжение снимается относительно общей точки. Для высоких и для низких частот U_a=U_e.

Модуль и фазовый сдвиг равны:

Колебательный контур.

Колебательный контур с потерями имеет следующие параметры:

• - резонансная частота без затухания ,

• - резонансная частота с затуханием ,

• 

  - затухание контура ,

• - добротность Q=1/d,

• - ширина полосы пропускания ,

• - резонансное сопротивление .

Вольт- амперная характеристика p-n- перехода.

Вольт- амперная характеристика показывает зависимость тока через P-N-переход от значения и полярности приложенного напряжения:

I=I₀(e^40U-1), (1)

где I₀- ток насыщения P-N- перехода, определяемый физическими свойствами полупроводникового материала; U- напряжение, приложенное к P-N- переходу; e=2.718- основание натуральных логарифмов.

Идеальная вольт- амперная характеристика перехода (а) и в зависимости от температуры окружающей среды (б).

Из (1) видно, что при U_пр>0.05 В, т.е. при е^40U>>I, ток через P-N- переход с увеличением напряжения резко возрастает (см рис.16, а). При отрицательных напряжениях U_обр начиная с U_обр=0.05 В величина I/e^40U<<I и ею можно пренебречь, тогда I=-I_обр=-I₀, т.е. обратный ток равен току насыщения и в определенных границах обратного напряжения остается величиной практически постоянной. Ток I₀ составляет несколько микроампер и им можно пренебречь. Дальнейшее увеличение обратного напряжения (выше U_{обр max}) приводит к электрическому пробою P-N- перехода (при U_проб), сопровождающемуся резким возрастанием обратного тока. Пробой P-N- перехода происходит под действием внутренней электростатической ионизации, в результате которой электронам сообщается энергия, достаточная для освобождения их от парно- электронных связей и преодоления потенциального барьера. Такой вид пробоя называется зенеровским (туннельным ). В результате ударной ионизации атомов полупроводника в районе P-N- перехода носителями, образующими первичный обратный ток, наступает лавинный пробой.

Свойства P-N- перехода существенно зависят от температуры окружающей среды (рис.,б). При недостаточном обеспечении теплоотвода от указанного перехода происходит его перегрев и повышение температуры вызывает увеличение тепловых колебаний электронов основного полупроводника, при этом некоторые из них приобретают энергию, достаточную для разрыва связей с атомами.