
- •Ток в металлах
- •§1. Природа носителей тока в металлах.
- •§2. Классическая теория электропроводности металлов Друде-Лоренца
- •§3. Зависимость удельного сопротивления металлов от температуры
- •Ток в полупроводниках
- •§1. Собственная проводимость полупроводников.
- •§2. Примесная проводимость полупроводников.
- •§3. Контактные явления в металлах и полупроводниках
- •1. Контактная разность потенциалов.
- •2. Термоэлектрические явления
- •2 .1. Эффект Зеебека
- •2.2. Эффект Пельтье.
- •3. Односторонняя проводимость р-n перехода
- •Демонстрации. 1. Вольт-амперная характеристика диода (на эо).
- •Ток в электролитах
- •Законы Фарадея для электролиза
- •Электропроводность электролитов
- •Химические источники тока
- •1. Гальванические элементы
- •Поляризация и деполяризация электродов
- •2. Аккумуляторы
- •Ток в вакууме
- •1. Работа выхода электронов из металла. Термоэлектронная эмиссия
- •2. Вакуумный диод
- •3. Электронно-лучевая трубка
- •Ток в газах
- •1. Несамостоятельный и самостоятельный разряды
- •2. Виды самостоятельных разрядов Тлеющий разряд
- •Коронный разряд
- •Искровой разряд
- •Дуговой разряд
- •Электричество в атмосфере
- •1. Электрическое поле Земли.
- •2. Электрические токи в атмосфере.
- •3 . Роль гроз в поддержании заряда Земли.
Ток в полупроводниках
В электростатике мы делили твердые
вещества на металлы и диэлектрики. Если
посмотреть на твердые вещества с точки
зрения их способности проводить ток,
то мы увидим, что у металлов удельные
сопротивления при комнатной температуре
отличаются не столь уж сильно (значения
варьируются от
до
Ом·м),
а у диэлектриков значения
отличаются на 24 порядка! (от
до
Ом·м).
Те неметаллы, у которых удельное
сопротивление не превышает
Ом·м, называют полупроводниками.
Но отличие металлов от диэлектриков и полупроводников не только в значениях (у металлов удельное сопротивление, как правило, существенно меньше). Есть существенные качественные отличия.
1
)
Характер зависимости
от температуры. Сопротивление
диэлектриков и полупроводников при
нагревании очень быстро уменьшается.
Демонстрация: уменьшение сопротивления полупроводника при нагревании.
Это свойство используют для измерения температуры по силе тока в цепи с полупроводником. Такие приборы называют терморезисторами или термисторами.
2) полупроводника может уменьшаться при освещении.
Этот эффект используют для измерения освещенности. Приборы, в которых учитывается зависимость сопротивления полупроводников от освещения, называют фоторезисторами.
Демонстрация: фотореле: при освещении полупроводника цепь замыкается и загорается лампочка.
3) полупроводника очень сильно уменьшается при внесении определенных примесей (а металла при добавлении примесей, наоборот, увеличивается).
§1. Собственная проводимость полупроводников.
Химически чистое вещество (элемент из III, IV, V групп таблицы Менделеева) – это полупроводник с собственной проводимостью.
Как и для металлов, удельное сопротивление полупроводника можно оценить по формуле (2): . Но если у металлов концентрация носителей тока не зависит от температуры (обычно свободных электронов примерно равна концентрации ионов решетки и составляет порядка 1029 м-3), то у чистого полупроводника концентрация носителей тока сильно растет с ростом температуры, что и приводит к уменьшению сопротивления. Объясним, почему так происходит.
В
озьмем
типичный полупроводник – элемент IV
группы германий (Ge).
У каждого атома 4 валентных электрона
и 4 соседа в решетке, поэтому все валентные
электроны задействованы в парноэлектронной
(ковалентной) связи с соседними атомами
решетки.
Эти ковалентные связи при
низких температурах достаточно прочны,
и свободных электронов в кристалле
почти нет. Поэтому полупроводники при
не проводят электрический ток (
).
Э
лектропроводимость
химически чистого полупроводника
возможна в том случае, когда ковалентные
связи в кристаллах разрываются. Для
разрыва связи требуется определенная
энергия
- энергия активации. Ее значение у
различных полупроводников и диэлектриков
меняется в широких пределах (для германия
эВ).
Если эта энергия не превышает 1 – 2 эВ,
нагревание до комнатной температуры
приводит к разрыву некоторого числа
(относительно небольшого) ковалентных
связей и появлению свободных электронов.
Их число экспоненциально растет с ростом
температуры:
,
а удельное сопротивление, соответственно,
уменьшается. Разрыв связи может произойти
и при облучении светом.
После ухода электрона со
своего места в этой области кристалла
возник избыточный положительный заряд
— образовалась положительная "дырка".
Ее заряд по модулю равен заряду электрона.
На это вакантное место — дырку — может
перескочить другой электрон, что
эквивалентно перемещению дырки в
направлении, противоположном направлению
перескока электрона. В отсутствие
внешнего электрического поля свободные
электроны и дырки движутся в кристалле
полупроводника хаотически, концентрации
свободных электронов (
)
и дырок (
,
индекс «р»
– от «positiv»)
равны.
Во внешнем электрическом поле электроны перемещаются в сторону, противоположную направлению , дырки же преимущественно перемещаются в направлении – возникает ток электронов и ток дырок. Полный ток равен их сумме:
Итак, сильное уменьшение чистого полупроводника с ростом температуры, а также при освещении, связано с ростом числа носителей тока – электронов и дырок. Влияние времени свободного пробега на значительно слабее и может не учитываться.
Отличие полупроводников от изоляторов чисто количественное. Диэлектрики, у которых энергия разрыва ковалентных связей не превышает примерно 2 эВ, называют полупроводниками: они проводят ток уже при комнатой температуре.