3.5. Малосигнальные параметры бт

Рассмотренные в предыдущем разделе модели и эквивалентные схемы избыточны для большинства случаев работы усилительных каскадов, т.к. точность расчетов невысока, а сложность моделей большая. Поэтому предпочтительней линейные модели транзисторов. Как известно, такие модели получаются на основе методов линеаризации и тем точнее, чем меньше диапазон изменения сигналов. Поэтому параметры линеаризованной модели называются малосигнальными, а по сути - они дифференциальные. Для схемы с ОБ эквивалентная малосигнальная схема представлена на рис 7.

Рис.7. Малосигнальная эквивалентная схема транзистора

для включения по схеме с ОБ.

Дифференциальные параметры схемы: сопротивление эмиттера, коэффициент передачи базового тока и емкость эмиттера вычисляются по соответствующим формулам.

r _{э диф}= U_эб/I_э_т/I_э, при U_кб =const (14)

I_кI_э, при U_кб=const (15)

Cэ=Q_нб/U_эб, (16)

где Q_нб - заряд неосновных носителей в базе транзистора. В предположении о тонкой базе и линейном распределении плотности зарядов оценим величину дифференциальной емкости эмиттера.

P=Po(W-x)/W;

Суммарный заряд накопленный в базе можно определить как:

S-площадь перехода, q-единичный заряд, W-толщина базы. С другой стороны эмиттерный ток, примерно равен току в базе и есть диффузионный ток т.е.:

____________

1. Ильин В.Н. Основы автоматизации схемотехнического проектирования. - М.: Энергия, 1979. -392 с.