Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОЭ лекция1.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
187.9 Кб
Скачать

Тема 1. Основы физики полупроводников

Лекция 1.1. Особенности строения полупроводников

Твердые вещества по их способности проводить электрический ток делятся на три группы: проводники (металлы), диэлектрики (изоляторы) и полупроводники. По способности проводить электрический ток и зависимости электропроводности от температуры полупроводники значительно ближе к диэлектрикам, чем к проводникам. Причины такого сходства диэлектриков и полупроводников кроются в построении их атомной структуры.

Атом вещества состоит из ядра и перемещающихся вокруг него электронов. Ядро имеет положительный заряд, а электроны — отрицательный. Электроны в атоме группируются в оболочки, находящиеся на некоторых расстояниях от ядра. Электроны внешней оболочки связаны с ядром значительно слабее электронов внутренних оболочек. Такие электроны называются валентными, и они обеспечивают соединение атомов в молекулы или кристаллы.

В проводниках электронные оболочки атомов сильно перекрываются и валентные электроны перестают быть жестко связанными с какими-либо определенными атомами. Такие электроны могут свободно перемещаться в объеме вещества, совершая при отсутствии внешнего электрического поля хаотическое тепловое движение.

При наличии внешнего электрического поля эти электроны получают некоторое поступательное движение, которое называют их дрейфом. Дрейф отрицательно заря­женных электронов происходит в направлении, обратном направлению силовых линий электрического поля, и образует электрический ток.

Число свободных электронов в металлах достаточно велико и практически не зависит от температуры. Однако с повышением температуры увеличивается число столкновений электронов при их тепловом перемещении, и электропроводность металлов понижается.

В диэлектриках электроны внешней оболочки достаточно жестко связаны с ядром и не могут свободно перемещаться даже при повышении температуры. В связи с этим внешнее электрическое поле не приводит к появлению в диэлектриках заметного электрического тока. Однако при высокой напряженности электрического поля может произойти отрыв валентных электронов и их лавинное размножение, которое называется пробоем диэлектрика.

Химически чистые полупроводники при температуре абсолютного нуля ведут себя так же, как диэлектрики, и их электропроводность равна нулю. Однако с повышением температуры тепловые колебания атомов полупроводников приводят к увеличению энергии валентных электронов, которые могут оторваться от атомов и начать свободное перемещение. Поэтому при нормальной комнатной температуре полупроводники в отличие от диэлектриков имеют некоторую электропроводность. С повышением температуры растет число оторвавшихся электронов, поэтому электропроводность полупроводников повышается.

Электропроводность полупроводников, связанную с нарушением валентных связей, называют их собственной проводимостью.

На электропроводность полупроводников большое влияние оказывают примеси. При наличии примесей происходит появление избыточных валентных электронов, которые легко освобождаются от атомов и превращаются в свободные заряды. Следует отметить, что содержание примесей может быть весьма незначительным, однако повышение электропроводности при этом может быть весьма существенным. Так, например, для германия наличие всего 0,001% примесей приводит к увеличению электропроводности в 104 раз.

Электропроводность полупроводников, обусловленную наличием примесей, называют его примесной проводимостью. Примесная проводимость полупроводников может во много раз превышать их собственную проводимость.

В соответствии с зонной теорией твердого тела электроны, связанные с изолированным атомом, могут иметь только определенные дискретные уровни энергии и, следовательно, могут занимать только дискретные орбиты, между которыми располагаются зоны запрещенных энергий.