
- •Isbn 978-5-7883-0841-8
- •Isbn 978-5-7883-0841-8
- •Список использованных обозначений и сокращений
- •1. Физико-техническая специфика и проблематика нанотехнологий
- •1.1. Смысловое содержание понятия технология применительно к изделиям наноинженерии
- •1.1.1. Определение понятия антропогенной технологии
- •1.1.2. Какие макроскопические состояния «любит природа».
- •1.1.3. Общие стохастические принципы анализа нанотехнологий
- •1.2. Термодинамика процесса упорядочения материальных сред
- •1.2.1. Свободная энергия термодинамической системы как компромисс между энтропией и внутренней энергией
- •1.2.2. Анализ атомной упорядоченности с позиции принципа термодинамического равновесия физических систем
- •1.2.3. Время релаксации системы к состоянию термодинамического равновесия
- •1.2.4. Формирование требований к допустимой концентрации атомных дефектов в изделиях наноинженерии
- •1.3. Общие принципы проведения идеализации реальных объектов и процессов нанотехнологий
- •Смысловое содержание понятия «идеализация» применительно к физическим системам
- •Идеализация потенциальных энергетических диаграмм атомно-молекулярных систем
- •Идеализация состояния системы – «адиабатическое приближение»
- •Идеализация граничных и начальных условий в гетерофазных структурах
- •Время релаксации индивидуального физико-химического процесса
- •2. Формальные модели нанотехнологий
- •2.1. Классификация элементарных физико-химических процессов нанотехнологий
- •2.2. Формальное представление элементарных физико-химических процессов с позиции модели «рождение-гибель»
- •2.2.1. Классификация физико-химических процессов
- •2.2.2. Общие принципы создания моделей физико-химических процессов
- •2.3. Формальное представление нанотехнологий с позиции «векторно-броуновской» модели
- •2.3.1. Основополагающие представления
- •2.3.2. Взаимосвязь с физическими моделями технологических процессов
- •2.3.3. Специфика применения в технологических приложениях
- •2.4. Фактор необратимости реальных физико-химических процессов
- •2.5. Формальное представление нанотехнологии с позиции «стохастической» модели
- •2.5.1. Цели и задачи «стохастической» модели нанотехнологии
- •2.5.2. Определение понятия «микро- и нанотехнология» в стохастическом представлении
- •2.5.3. Показатели качества нанотехнологий на атомном уровне рассмотрения
- •2.5.4. Показатели качества технологий на микро- и макроскопическом уровне рассмотрения
- •2.5.5. Стохастические показатели качества реальных микро- и нанотехнологий
- •2.5.6. Информационный потенциал и дефицит микро- и нанотехнологий
- •2.5.7. Взаимосвязь информационного запас качества технологии и ресурса изделия наноинженерии
- •2.6. Формальные модели нанотехнологий основанные на вычислительных экспериментах с атомным уровнем разрешения
- •2.6.1. Предпосылки использования вычислительных экспериментов в технологической практике создания наноразмерных структур
- •2.6.2. Классификация методов моделирования технологических процессов
- •3. Физические основы моделирования нанотехнологий методами вероятностных клеточных автоматов
- •3.1 Основные принципы работы вероятностных клеточных автоматов.
- •3.2 Топологическая структура полигона моделирования.
- •3.3. Основные принципы временной дискретизации при моделировании процессов эволюции систем
- •3.4. Специфика моделирования процесса эволюции систем методами вероятностных клеточных автоматов
- •3.5. Общие принципы построения вычислительных алгоритмов вероятностных клеточных автоматов
- •Примеры моделирования нанотехнологий методами вероятностных клеточных автоматов
- •Часть 1
- •443086 Самара, Московское шоссе, 34.
- •443086 Самара, Московское шоссе, 34.
2.5.5. Стохастические показатели качества реальных микро- и нанотехнологий
Ввиду сложности определения параметра Ni прямыми теоретическими (конструктором изделия) и экспериментальными методами, проведем его оценку на основе использования традиционных производственных показателей. Из всей совокупности последних в качестве параметра, определяющего взаимосвязь между параметрами Ht и Hi, уместно рассматривать вероятность выхода годных изделий. Представляется очевидным, что в первом приближении вероятность выхода годных изделий P зависит от соотношения между избирательностью технологии t и избирательностью i , заложенной конструктором изделия для безусловного (P = 1) достижения функционального качества устройства (на практике, как правило, выполняется условие t < i ):
|
|
(2.34) |
С учетом выражения (2.30) и (2.34) для необходимой энтропии единичного размещения hi, при условии i >> 1 (что имеет место для случаев микро- и нанотехнологий) имеем
|
|
(2.35) |
В табл. 2.9 представлены значения параметров i и hi, в зависимости от уровня технологии и вероятности выхода годных устройств.
Т а б л и ц а 2.9. Зависимость избирательности и энтропии единичного размещения hi от уровня технологии и вероятности выхода годных устройств (при значении m=100)
№
|
Уровень технологии |
Показатель |
Вероятность выхода годных устройств |
||||
10-3 |
10-2 |
10-1 |
0,5 |
1,0 |
|||
1 |
Перспективный (нано: t = 1010) |
hi |
1,510-12 |
1,41011 |
1,310-10 |
610-10 |
1,210-9 |
i |
1013 |
1012 |
1011 |
21010 |
1010 |
||
2 |
Высокий (микро: t = 108) |
hi |
1,310-10 |
1,210-9 |
1,110-8 |
5,210-8 |
10-7 |
i |
1011 |
1010 |
109 |
210-8 |
10-8 |
Согласно данным табл. 2.9 следует, что достижение приемлемой в промышленной практике эффективности производства (Р > 0,1) возможно для изделий с показателями i 1011 и 109 соответственно для перспективного и высокого уровней технологии.
В табл. 2.10 представлены значения Ni в зависимости от объема и вероятности выхода годных устройств, полученные на основании данных табл. 2.9.
Т а б л и ц а 2.10. Зависимость количества реализаций Ni от физического объема и вероятности выхода годных устройств (при m= 100)
№ |
Уровень технологии |
Объем, мкм3 |
Вероятность выхода годных устройств |
||||
10-3 |
10-2 |
10-1 |
0,5 |
1,0 |
|||
1 |
Перспективный (нанотехнологии: t = 1010) |
1 |
31 |
(14) |
(130) |
(620) |
(103 ) |
10-3 |
1,00 |
1,03 |
1,34 |
4,23 |
15,8 |
||
10-6 |
1,00 |
1,00 |
1,00 |
1,00 |
1,00 |
||
2 |
Высокий (микротехнологии: t = 108) |
1 |
(130) |
(103 ) |
(104 ) |
(104 ) |
(105 ) |
10-3 |
1,34 |
15,8 |
(11) |
(52) |
(102 ) |
||
10-6 |
1,00 |
1,00 |
1,02 |
1,12 |
1,26 |
Примечание: запись вида (14) означает, что lgNi = 14.
Наличие в табл. 2.10 значений Ni близких единице свидетельствует о том, что для данных позиций конструктором закладывается, а технологу необходимо реализовать (при приемлемой вероятности выхода годных изделий) практически вырожденные конструкции, которым соответствуют единичные реализации размещения атомов. В то же время следует отметить, что для современных устройств (V > 1 мкм3) количество реализаций Ni при P > 0,1 достигает значений Ni >10130.
В свете вышеизложенного весьма важным моментом является установление взаимосвязи между сложностью изделия (закладываемой конструктором на этапе проектирования) и уровнем технологии, необходимым для обеспечения заданного выхода годных изделий. Указанная взаимосвязь может быть установлена на основании выражений (2.31) ,(2.33) и (2.34) в виде
|
|
(2.36) |
Последнее
выражение позволяет определить
эффективность согласования конструкторских
решений
(параметр С)
с технологическими
возможностями
изготовления устройств (параметр К)
для типичных производственных ситуаций,
удовлетворяющих условию
.
Это условие позволяет обеспечить
нормировку параметра P
в виде 0 <P
<1. При
выполнении условия
(что
представляется маловероятным для случая
микро- и нанотехнологий) имеет место: P
= 1.