4.2. Организация накопителя зу.
Накопитель является основной частью ЗУ. Состоит он из отдельных запоминающих элементов, число которых равно числу бит хранимой информации.
У каждого запоминающего элемента имеется определённый номер (адрес), который должен быть указан при каждом обращении к ЗУ.
Таким образом, в полупроводниковых ЗУ используется адресный принцип хранения информации.
К накопителю запоминающий элемент подключается с помощью адресных и разрядных линий (проводников).
Адресные линии используются для выделения одного или совокупности запоминающих элементов, которым устанавливается режим считывания или записи.
По разрядным линиям передаётся записываемая или считываемая информация.
В современных ЗУ функции записи и считывания совмещаются на одной разрядной линии.
При построении накопителей используются в основном два способа объединения запоминающих элементов – словарный и матричный.
Словарная организация предусматривает одновременное обращение к нескольким находящимся в строке запоминающим элементам (к одному слову).
ЛЕКЦИЯ 13
Структура накопителя со словарной организацией имеет вид:
РЛ РЛ РЛ Адрес выбираемой строки
определяется подачей
разреша-
ЗЭ11
ЗЭ12
… ЗЭ1n
ющего сигнала на соответству-
ющую адресную линию.
ЗЭ21
ЗЭ22
… ЗЭ2n
Выделение отдельного за-
поминающего элемента выб-
ранной строки осуществляется
ЗЭm1 ЗЭm2 … ЗЭmn разрядными линиями.
В накопителе матричного
Разрядная линия типа обеспечивается обраще-
ние к каждому запоминающе-
му элементу независимо от
ЗЭ11 ЗЭ12 ЗЭ1n других.
Структура накопителя с та-
кой организацией имеет вид:
Выбор нужного запомина-
ющего элемента задаётся пе-
ресечением соответствующих
адресных линий по координа-
там X и Y, на которые поданы
разрешающие сигналы.
Адресные
линии Y
РЛK
…РЛ1
Путём наслаивания одноразрядных нако- пителей формируется К-разрядный накопи- тель: АЛ Х
С
оответствующие
адресные линии (АЛ)
АЛ Y
одноразрядных накопителей соединяются
параллельно. В результате образуется
mn
К-разрядных ячеек.