Полупроводниковые запоминающие устройства.
4.1. Классификация и основные характеристики зу.
ЗУ
Оперативные (ОЗУ)
Постоянные (ПЗУ)
Статические Динамические Масочные Однократно Репрограммируемые
(RAM) (RAMD) (ROM) (PROM) (EPROM, EEPROM)
ЗУ разделяются на оперативные (ОЗУ) и постоянные (ПЗУ).
ОЗУ предназначены для сравнительно кратковременного хранения информации. При отключении напряжения питания информация в них разрушается.
По способу хранения информации в запоминающем элементе различают:
Статические ОЗУ (сокращённо обозначаются RAM), где в качестве запоминающих элементов используются асинхронные RS-триггеры.
Динамические ОЗУ (сокращённо обозначаются RAMD), в которых хранение информации осуществляется за счёт заряда конденсаторов, сформи-рованных в структуре полупроводника.
ПЗУ предназначены для длительного хранения информации, которая сохраняется и при отсутствии напряжения питания.
ПЗУ разделяются на три группы:
Масочные ПЗУ (сокращённо обозначаются ROM), в которые информация записывается однократно в процессе изготовления.
Однократно программируемые (сокращённо обозначаются PROM), в которые информация записывается также однократно, но пользователем.
Перепрограммируемые или репрограммируемые, допускающие возможность стирания и повторной записи информации.
ПЗУ, в которых стирание информации обеспечивается электрическим путём, сокращённо обозначаются EEPROM, а ультрафиолетовым облучением – EPROM.
Все типы ЗУ изготавливаются в виде интегральных микросхем. При этом в маркировке микросхем ОЗУ используются буквы РУ. В маркировке микросхем ПЗУ типа ROM используются буквы РЕ, типа PROM – буквы РТ, типа EPROM – буквы РФ, а типа EEPROM – буквы РР.
Выходные цепи ОЗУ организуются с тремя состояниями, а ПЗУ – как с тремя состояниями, так и с открытым коллектором.
Важнейшими характеристиками ЗУ являются:
Общая ёмкость С, которая определяется числом хранимых слов N и их разрядностью m: С = Nm.
Для хранения одноразрядного слова в ЗУ отводится запоминающий элемент. М-разрядные слова хранятся в ячейках памяти, каждая из кото-рых состоит из m запоминающих элементов.
Ёмкость ЗУ измеряется в битах, байтах (1байт = 8 бит), килобитах (1Кбит = 1024 бит), килобайтах (1Кбайт = 8 Кбит = 8192 бит).
Быстродействие характеризуется временем обращения, которое определяется с момента начала записи или считывания информации до момента их завершения, включая и подготовку ЗУ к следующему обращению.
Среди других временных параметров часто приводят длительность импульсов и пауз на различных входах ЗУ, величины временных сдвигов между сигналами и т.д.
Эти параметры необходимы для обеспечения устойчивой работы мик-росхемы ЗУ.
Напряжение питания, напряжения и токи сигналов в различных режимах работы ЗУ, потребляемая мощность.
Соответствие между сигналами управления и режимами работы ЗУ.