
- •Конспект лекций
- •1 Основы зонной теории Классификация твердых тел по проводимости
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Обратное включение p-n перехода
- •3.1.2 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.3 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5 Пьезоэффект
- •6.2 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •6.3 Бцо транзисторов
- •7 Лазеры
- •7.1 Принцип работы лазера
- •7.2 Особенности лазерного излучения
- •7.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •7.4 Применение лазеров
2.2.2 Диффузионный ток
Диффузионный ток – это направленное движение НЗ, возникающее из-за разности их концентраций.
Если какую-то часть полупроводника нагреть, то в этой области возникнет повышенная концентрация зарядов (за счет термогенерации, т.е. генерации, вызванной тепловой энергией).
Но чем выше концентрация НЗ, тем больше вероятность столновения электронов друг с другом, в результате чего электроны будут как бы «выталкиваться» из области с повышенной концентрацией НЗ в область, где эта концентрация ниже.
Таким образом, НЗ стремятся к выравниванию концентраций.
Это явление получило название «диффузия» - проникновение.
3 Контактные явления
3.1 p-n переход
P-n переход – это контакт двух полупроводников с разной проводимостью.
Контакт нельзя создать простым соприкосновением двух полупроводников, т.к. при этом неизбежен слой воздуха, окислов, грязи. Для получения p-n перехода используется особая технология.
p n
d – толщина перехода
d
(0,1÷1)
мкМ (1мкМ=10-6
М)
Заштрихованная область называется приконтактной областью.
3.1.1Обратное включение p-n перехода
Переход находится под обратным напряжением, если знаки клемм источника питания противоположны знакам ОНЗ соответствующих областей перехода.
p n
0НЗ
Ө
ОНЗ
ЕВН
IОБР
ЕВНЕШН
о
о
UОБР
– поле,
вызванное потенциальным барьером
перехода.
Потенциальный барьер – это разность потенциалов, возникающая за счет наличия отрицательных ионов примеси в полупроводнике p-типа и положительных ионов примеси в полупроводнике n-типа. всегда направлено из n-области в p-область.
– поле,
вызванное внешним источником питания
.
Эти
поля совпадают по направлению
(сонаправлены), поэтому суммарное поле
будет равно:
.
Под действие суммарного поля ОНЗ начнут оттягиваться от границ перехода вглубь полупроводников. При этом толщина перехода, а, следовательно, и его сопротивление увеличатся, ток через такой контакт будет протекать очень незначительный.
Причем,
этот ток
будет
образован движением ННЗ, т.е. будет
являться
дрейфовым током.
Ток диффузии в данном случае будет
стремиться к нулю. Таким образом, ток,
протекающий через обратно смещенный
переход, будет равен:
,
где
-
тепловой
ток (т.к.
этот ток сильно зависит от температуры,
с ростом температуры он резко возрастает.).
Тепловой ток мал по величине, т.к. сопротивление обратно смещенного перехода велико.