Лабораторная работа № 3
Исследование транзисторных каскадов усиления переменного тока
Цель работы: Изучение транзисторных каскадов класса усиления, расчет цепей смещения и стабилизации, испытание каскадов и измерение их параметров.
В каскадах усиления сигналов переменного тока для создания заданного режима работы транзистора, характеризующегося коллекторным током Iк и напряжением коллектор-эмиттер Uкэ, применяются разнообразные схемы цепей смещения. Эти цепи необходимы для обеспечения определенных значений Iк и Uкэ и поддерживания этих величин в заданных пределах при изменении параметров транзисторов. Во всех схемах коллекторный ток зависит от величины напряжения питания, от величин сопротивлений в цепи смещения и от температурного изменения параметров транзистора и их технологического разброса. При изменении коллекторного тока изменяется положение рабочей точки, поэтому изменяются дифференциальные параметры транзистора, а следовательно, усилительные свойства каскада. При увеличении коллекторного тока увеличивается мощность, рассеиваемая в транзисторе, а это может привести к перегреву транзистора и его повреждению.
Исходными данными для расчета транзисторных каскадов являются сопротивление нагрузки Rн и максимальная амплитуда синусоидального напряжения на нагрузке Uнm. Следовательно, оказывается заданной максимальная мощность в нагрузке и максимальная амплитуда тока Iнm. Режим каскада должен быть выбран таким образом, чтобы из всей мощности переменного тока, развиваемой каскадом, возможно большая часть была выделена в сопротивлении нагрузки, подсоединенном к транзистору через конденсатор связи С2.
Схема каскада приведена на рис. 2.
Постоянная составляющая коллекторного тока Iк протекает только по резистору R1 (рис. 2). Переменная составляющая коллекторного тока Iкm разветвляется по двум цепям: одна – конденсатор связи С2 и нагрузка, другая – резистор R1 и источник напряжения питания Еп. При заданной величине сопротивления нагрузки желательно иметь R1 максимальным, чтобы в него ответвлялась возможно меньшая часть переменной составляющей коллекторного тока.
Так как заданы величины Iнm и Uнm, то они и определяют режим транзистора, т.е. постоянные составляющие коллекторного тока Iк и напряжения коллектор-эмиттер Uкэ. Для получения заданных Iнm и Uнm Iк и Uкэ должны изменяться лишь в заранее предусмотренных пределах при изменении обратного коллекторного тока Iк0 и коэффициента усиления по току транзистора . Поддержание в заданных пределах величин Iнm и Uнm необходимо для того, чтобы во всех случаях эти величины были достаточны для получения синусоидального напряжения Uнm и тока Iнm без искажений. Это достигается соответствующим расчетом цепи смещения, которая обеспечивает требуемый ражим и заданную его стабильность. Схема цепи смещения не определяет схемы включения транзистора по переменному току. Все три схемы включения транзистора – с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором – могут быть осуществлены при неизменном режиме и неизменной схеме цепи смещения. От схемы включения транзистора по переменному току существенно зависят усилительные свойства каскада. При испытании рассчитанного каскада сравниваются свойства его при трех различных схемах включения транзистора.
Необходимо рассчитать цепь смещения транзистора, обеспечивающую требуемый режим работы и заданную стабильность и по результатам расчета смакетированть цепь смещения и проверить результаты расчета экспериментально.