4 Задание
4.1 Для схемы с увеличенной разрядностью описать режим записи и чтения заполнив соответствующие графы таблицы 1.
4. 2 Для схемы с увеличенным числом ячеек памяти описать режим записи и чтения заполнив соответствующие графы таблицы 1.
4.3 Для схемы с увеличенной разрядностью и адресностью описать режим записи и чтения заполнив соответствующие графы таблицы 1.
5 Порядок выполнения
5.1 Познакомится с обозначением микросхемы памяти и назначением выводов.
Назначение выводов микросхемы:
– А0, А1, А2, А3 – адресные входы. Разрядность адреса определяется числом ячеек памяти, т.е. максимально возможным числом хранимых в микросхеме памяти слов. Адрес является номером ячейки, к которой идет обращение. Разрядность адреса n и число ячеек N связаны соотношением N=2n .
Рисунок 3. Микросхема ОЗУ
– CS- вход разрешения или запрета работы микросхемы;
– R/W- вход задающий вид выполняемой операции (при единичном
значении – чтение, при нулевом – запись);
–D0,D1,D2,D3 – входы или выходы для подключения шины данных.
Для микросхемы памяти характерна такая последовательность сигналов. Прежде всего, подается адрес ячейки, которую необходимо выбрать. Затем разрешается работа микросхемы сигналом CS и подается строб чтения/записи W/R (взаимное положение сигналов CS и W/R может быть различным).
5.2 Открыть папку «index». Выбрать пункт «Увеличение разрядности». Используя анимации рассмотреть режимы записи и чтения. Для одного из режимов по указанию преподавателя заполнить соответствующие графы таблицы 1.
5. 3 Выбрать пункт «Увеличение числа ячеек памяти». Используя анимации рассмотреть режимы записи и чтения. Для одного из режимов по указанию преподавателя заполнить соответствующие графы таблицы 1.
5.4 Выбрать пункт «Увеличение разрядности и адресности». По аналогии с предыдущими пунктами заполнить графы таблицы 1.
6 Содержание отчета
6.1 Цель занятия.
6.2 Оборудование и программное обеспечение
6.3 Условное обозначение микросхемы с назначением выводов.
6.4 Заполненная таблица
6.5 Выводы по работе
7 Контрольные вопросы
7.1 Назначение регистров и дешифраторов в структурной схеме модуля оперативной памяти.
7.2. Пояснить, что представляет собой куб памяти в структурной схеме модуля оперативной памяти.
7.3. Дать определение разрядности и глубины адресного пространства микросхемы памяти.
7.4. Дать понятие банка памяти.
7.5. Назначение выводов микросхемы ОЗУ.
7.6 Пояснить включение микросхем для увеличение разрядности.
7.7 Пояснить включение микросхем для увеличение числа ячеек памяти.
7.8 Пояснить включение микросхем для увеличение разрядности и адресности.
Таблица 1
Режим |
Число микро схем памяти |
Разрядность ША//ШД |
Код на ША |
Код на ШД |
Коды на выводах микросхем L1,L2,L3,L4 в которые произошла запись или из которых произошло считывание ( режимы записи 1, 2 и считывания 1, 2 ) |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
__ CS |
А0
А0 |
А1
А1 |
А2
А2 |
А3
А3 |
__ CS |
А0
А0 |
А1
А1 |
А2
А2 |
А3
А3 |
__ W/R |
D0
D0 |
D1
D1 |
D2
D2 |
D3
D3 |
D0
D0 |
D1
D1 |
D2
D2 |
D3
D3 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
Увеличение разрядности кода данных |
|
|
|
|
L1 |
L2 |
|
L1 |
L2 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
Увеличение числа ячеек памяти |
|
|
|
|
L1 |
L2 |
|
L1 |
L2 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
Увеличение разрядности и адресности |
|
|
|
|
L1 |
L2 |
|
L1 |
L2 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
L3 |
L4 |
|
L3 |
L4 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||