Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Vvedenie_v_spetsialnost_A5_2_07_2012.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
19.62 Mб
Скачать

4. Полупроводниковые приборы

4.1. Полупроводниковые материалы

Полупроводники образуют широкий класс материалов, удельная электропроводность  которых имеет промежуточное значение между удельной электропроводностью металлов

и хороших диэлектриков

.

В отличие от металлов, электропроводность полупроводников увеличивается с ростом температуры, причем по экспоненциальному закону:

. (4.1.1)

Здесь – энергия активации проводимости, – постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура, – начальное значение проводимости. Выражение (4.1.1) означает, что электроны в полупроводнике связаны с атомами, с энергией связи порядка . С ростом температуры тепловое движение начинает разрывать связи электронов, и часть их, пропорциональная , становится свободными носителями зарядов.

Связь электронов может быть разорвана не только тепловым движением, но и различными внешними воздействиями: светом, потоком быстрых частиц, сильным электрическим полем и т.д. Поэтому для полупроводников характерна сильная чувствительность к внешним воздействиям, а также к содержанию примесей и дефектов в кристаллах, поскольку во многих случаях энергия для электронов, локализованных вблизи примесей и дефектов, существенно меньше, чем в идеальном кристалле данного полупроводника. Возможность в широких пределах управлять электропроводностью полупроводников изменением температуры, введением примесей и т.п. служит основой их разнообразных применений.

4.2. Электроны и дырки в полупроводниках

Так как в твердом теле атомы или ионы сближены на расстояние порядка атомного радиуса, то в нем происходит непрерывный переход валентных электродов от одного атома к другому. Это может привести к образованию ковалентной связи, если электронные оболочки атомов сильно перекрываются и переход электронов между атомами происходит быстро. Такая картина полностью применима к германию Ge и кремнию Si. Все атомы Ge нейтральны и связаны друг с другом ковалентной связью.

Однако электронный обмен между атомами не приводит непосредственно к электропроводности, так как в целом распределение электронной плотности жестко фиксировано: по 2 электрона на связь между каждой парой атомов – ближайших соседей. Чтобы создать проводимость, необходимо разорвать хотя бы одну из связей, удалив с нее электрон, перевести его в какую-либо ячейку кристалла, где все связи заполнены, и этот электрон окажется лишним. Такой электрон в дальнейшем свободно может переходить из ячейки в ячейку (они все для него эквивалентны) и, являлясь всюду лишним, переносит свой избыточный отрицательный заряд, т.е. становится электроном проводимости.

В свою очередь, разорванная связь становится блуждающей по кристаллу дыркой, поскольку в условиях сильного обмена (рис. 4.3, 4.4) электрон соседней связи быстро занимает место ушедшего. Недостаток электрона у одной из связей означает наличие у атома (или пары атомов) единичного положительного заряда, который переносится вместе с дыркой. Электроны и дырки – свободные носители заряда в полупроводнике.

Рис. 4.3. Образование подвижных электронов в германии с донорной примесью мышьяка

При разрыве ионной связи перекрытие электронных оболочек становится меньше и электронные переходы будут менее частыми. В этом случае также образуются электрон проводимости и дырка, однако разрыв полной связи требует большей затраты энергии.

Рис. 4.4. Образование дырок в германии с акцепторной примесью бора

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]