2. Задание для самостоятельной работы:

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

A

B

C

D

E

F

0

FE

FE

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

1

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

FЕ

2

FD

FD

FB

FF

F7

F7

F7

F7

F7

F7

F7

F7

EF

EF

DF

DF

3

BF

BF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

FF

Разработать блок памятью программ и данных с организацией ПЗУ К₁L₁, ОЗУ К₂L_2.

Исходные данные: дешифратор К555ИД4, ПЗУ- с организацией N₁n₁, ОЗУ- с организацией N₂n₂.

Параметры: сигналы входные и выходные- уровень ТТЛ. Адресное пространство памяти и ввода/вывода изолированно.

Варианты заданий для самостоятельной работы представлены в табл. 6.1.

3.Порядок выполнения:

1. Построить схему формирования внешних шин.

2. Разработать схему дешифрации адресного пространства.

3. Построить принципиальную электрическую схему МПС.

4. Содержание отчета:

1. Принципиальная электрическая схема микросхем памяти.

2. Таблица для определения линий дешифрации.

3. Схема дешифрации блщка памяти.

4. Физические адреса микросхем памяти.

5. Выводы.

Варианты заданий для самостоятельной работы представлены в табл. 6.1.

Таблица 6.1.Варианты заданий

	Начальные адреса		Организация модуля ПЗУ(Kxl)	Организация модуля ОЗУ(KxL)
	ПЗУ	ОЗУ
1	0000h	2000h	7к8	12к8
2	0000h	1000h	6к8	5к8
3	0000h	9000h	32к8	9к8
4	0000h	8000h	4к8	15к8
5	0000h	2000h	7к8	8к8
6	0000h	2800h	6к8	11к8
7	0000h	8000h	10к8	7к8
8	0000h	1800h	5к8	10к8
9	0000h	2400h	14к8	9к8
10	0000h	2400h	8к8	13к8
11	0000h	3000h	12к8	9к8
12	0000h	3800	13к8	4к8
13	0000h	4000h	5к8	16к8
14	0000h	3400h	9к8	6к8
15	0000h	8000h	8к8	16к8
16	0000h	3000h	10к8	9к8
17	0000h	C000h	17к8	4к8
18	0000h	2800h	6к8	11к8
19	0000h	5000h	7к8	10к8
20	0000h	А000h	30к8	1к8
21	0000h	7000h	19к8	2к8
22	0000h	1800h	5к8	18к8
23	0000h	9000h	16к8	4к8
24	0000h	4800h	9к8	2к8
25	0000h	4000h	17к8	6к8