Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться со схемой установки (рис. 3.8) и принципом работы люксметра.

2. Исследовать зависимость фототока от напряжения, которое подается на фоторезистор, при различной освещенности (200, 400 и 500 лк).

3. Исследовать зависимость фототока от освещенности фоторезистора в пределах от 100 до 500 лк через каждые 100 лк при напряжениях на фоторезисторе 20, 30, 40, 50, 60, 70 В.

4. Исследовать зависимость фототока от длины волны света при напряжениях на фоторезисторе 20, 30, 40 В.

5. Построить графики вольт-амперных , люкс-амперных (световых) и спектральных характеристик исследуемого фоторезистора. При построении спектральной характеристики необходимо учитывать, что при изменении длины волны изменяется энергия излучения. Поэтому необходимо ввести поправки. Для этого на графике зависимости фототока от длины волны необходимо построить кривую распределения энергии в спектре источника света, а потом поделить ординаты первой кривой на соответствующие ординаты второй кривой. В результате получается спектральная характеристика фоторезистора.

6. Пользуясь значениями основных параметров фоторезистора ФД-Д1, приведенных в таблице 1, вычислить интегральную и удельную чувствительность этого резистора.

Таблица 1

1	Темновое сопротивление, Ом	105 — 108
2	Максимально позволяемая мощность рассеивания, Вт	0,05
3	Максимальное рабочее напряжение, В	300
4	Площадь рабочей светочувствительной поверхности, м2	0,3∙10–4

Контрольные вопросы

1. Каковы особенности зонной структуры полупроводников, диэлектриков и металлов?

2. Что такое уровень Ферми?

3. Какие виды оптического поглощения в полупроводниках вы знаете?

4. Какой вид имеет кривая оптического поглощения в полупроводниках в общем случае? Объясните ее.

5. Что такое край собственного поглощения?

6. Сформулируйте законы теплового излучения.

7. Почему при получении спектральной характеристики фоторезистора необходим перерасчет энергий реального источника света?

8. Как проградуировать монохроматор?

9. Что такое центры захвата носителей заряда в полупроводниках?

10. От чего зависит время жизни неосновных носителей заряда в полупровод­никах?

11. Что такое спектральная чувствительность и спектральная характеристика фоторезистора?

12. Что такое интегральная чувствительность и удельная интегральная чувствительность?

13. Объясните принцип действия люксметра.

Литература

1. Лысов В.Ф. Практикум по спектроскопии полупроводников. М.: Просвещение, 1976.

2. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969.

24