Контрольные вопросы

1. Что такое равновесные и неравновесные носители зарядов?

2. Дайте определение диффузионной длины пробега и времени жизни неосновных носителей заряда.

3. Объясните схему генерации и рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике.

4. Объясните принцип работы измерительной установки.

5. Почему напряжение между зондами 2 и 3 можно считать пропорциональным концентрации неравновесных носителей заряда?

6. В чем преимущество четырехзондового метода измерения сопротивления полупроводников?

7. Перечислить условия применения четырехзондового метода измерения удельного сопротивления.

8. Почему при измерении удельного сопротивления необходимо изменять направление тока?

Литература

1. Практикум по полупроводниковым приборам / Под ред. К.В. Шалимовой. М.: Высшая школа, 1968.

2. Спецфизпрактикум по физике полупроводников. Ч. 1 / Под ред. В.С. Вавилова. Изд-во МГУ, 1974.

3. Лысов В.Ф. Практикум по физике полупроводников. М.: Просвещение, 1978.

4. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963.

5. Петровский И.И. Электронная теория полупроводников. Мн.: Изд-во БГУ, 1973.

6. Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963.

17