1. Расчет параметров схемы в статическом режиме

Величина сопротивления резистора в цепи эмиттера:

где - допустимое падение напряжения на эмиттерном сопротивлении.

Из ряда E24: R₂=82 Ом

Сопротивление выходной цепи постоянному току:

Проводим нагрузочную прямую постоянного тока через точку E на оси абсцисс и точку

на оси ординат и отмечаем на ней рабочую точку в режиме класса А с координатами:

Р исунок 6 – Выходная вах транзистора кт815г

, .

Ток базы в рабочей точки равен:

Коэффициент усиления транзистора по току равен:

Допустимое изменение тока коллектора:

Для заданного диапазона температур примем:

Температурное смещение выходных характеристик определяется по формуле:

где - изменение обратного тока коллекторного перехода, которым для кремниевого транзистора можно пренебречь,

- изменение температуры окружающей среды .

Допустимый коэффициент температурной нестабильности каскада:

Параллельное сопротивление базовых резисторов:

Сопротивление резисторов базового делителя:

Из ряда E24: R₄=430 Ом

Из ряда E24: R₃=75 Ом

4.2. Расчет параметров схемы в динамическом режиме

Определяем

-входное сопротивление транзистора VT1.

Сопротивление выходной цепи транзистора по переменному току (в рабочем диапазоне частот ):

Проводим нагрузочную прямую по переменному току через рабочую точку А и точку на оси абсцисс при:

Отмечаем на ней точки В и С, соответствующие полному размаху выходного напряжения амплитудой 16,21. Переносим точки В и С на входную характеристику. Для получения заданной амплитуды требуется изменение тока базы от до и напряжения от до :

Р исунок 7 – Входная вах транзистора кт815г

Входное сопротивление транзистора в точке покоя:

Входное сопротивление каскада:

Рассчитаем значение конденсатора С2. Его значение находится с помощью выражения:

Из ряда E24: C₂=12 мкФ

5. Расчет входного каскада

Рисунок 8 - Схема входного каскада

Соотношения, для выбора транзистора VT4 входного каскада:

По данным значениям выбираем транзистор КТ630Г n-p-n структуры c параметрами:

, , , , .

Для выбора тока покоя коллектора найдем амплитуду тока сигнала в цепи коллектора , определив предварительно амплитуду напряжения сигнала на входе следующего каскада .

Напряжения в рабочей точке транзистора VT4:

Величина сопротивления резистора в цепи коллектора:

падение напряжения на резисторе в цепи эмиттера: , выбрано 0,2E.

минимальный ток транзистора (1 mA).

= 0,124 В.

Из ряда E24: R₉=4,7 кОм

Ток в рабочей точке транзистора:

Величина сопротивления резистора в цепи эмиттера:

Из ряда E24: R₆=3 кОм

П о входной характеристики КТ630Г для включения с общим эмиттером, находим для тока покоя базы, необходимое напряжения смещения:

Рисунок 9 – Входная ВАХ транзистора КТ630Г

,

Задаёмся током делителя, который выбирают на порядок больше тока базы VT4, т.к. базовый делитель должен поддерживать неизменным потенциал базы, относительно земли.

Рассчитаем сопротивления базового делителя:

Из ряда E24: R₇=750 Ом

Из ряда E24: R₈=7,5 кОм

Параллельное сопротивление базовых резисторов:

Входное сопротивление каскада:

,