
- •Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (тусур)
- •«Проектирование усилителя низкой частоты»
- •Техническое задание
- •1. Исходные данные к проекту
- •2. Перечень вопросов подлежащих проработке
- •3. Перечень графического материала
- •Содержание
- •Введение
- •Разработка структурной схемы усилителя низкой частоты
- •Расчёт выходного каскада
- •Расчет предоконечного каскада
- •Расчет параметров схемы в статическом режиме
- •Р исунок 6 – Выходная вах транзистора кт815г
- •4.2. Расчет параметров схемы в динамическом режиме
- •Р исунок 7 – Входная вах транзистора кт815г
- •5. Расчет входного каскада
- •Основные показатели выходной цепи транзистора по переменному току
- •6. Проектирование цепи обратной связи
- •7. Проектирование источника вторичного электропитания
- •8. Схема электрическая принципиальная унч
- •9. Перечень элементов
- •10. Список литературы
Разработка структурной схемы усилителя низкой частоты
Рисунок 2 - Структурная схема усилителя низкой частоты
Для определения числа каскадов необходимо произвести расчет приблизительного значения коэффициента усиления УНЧ из данных технического задания по формуле:
где
;
находится из соотношения для мощности
, поступающей в нагрузку
:
Коэффициент усиления может быть выражен в логарифмических единицах – децибелах (дБ)
Обычно
для усилителей низкой частоты коэффициент
усиления одного каскада принимают
равным 20 – 26 дБ. Ориентировочное число
каскадов можно определить, полагая все
каскады одинаковыми
.
Число каскадов выбираем n=3.
Расчёт выходного каскада
Рисунок 3 - Схема выходного каскада
По
заданным
и
амплитуды напряжения и тока нагрузки
определяются соотношениями:
Напряжение источника питания выбирается из условия:
где
обычно
задается до начала расчета и для
кремниевых транзисторов принимается
.
Из ряда Е24 для источников питания выбираем значение: Е=48 В
Ток
покоя выходных транзисторов выбирают
порядка 5% от тока нагрузки
, что позволяет обеспечить высокий КПД
каскада:
При этом среднее значение тока выходных транзисторов в номинальном режиме определяется выражением:
где
коэффициент
соответствует углу отсечки
,который
характеризует режим работы класса АВ.
Средняя мощность, потребляемая выходным каскадом от источника питания:
Вт
КПД выходного каскада рассчитывается по формуле:
Соотношения для выбора выходных транзисторов определяются следующими неравенствами:
A
По данным значениям выбираем p-n-p транзистор KT814Г и транзистор n-p-n KT815Г с параметрами:
,
,
,
.
Рассчитаем ток покоя базы, а так же максимальный ток базы:
,
По
входным характеристикам и известным
значениям токов базы находятся изменение
амплитуды входного напряжения и
напряжение в рабочей точке :
Рисунок 4 – Входная ВАХ транзистора КТ815Г
,
.
Следовательно, амплитуда напряжения на базах VT1 и VT2 составит:
Требуемая амплитуда напряжения сигнала на входе выходного каскада:
Рассчитаем
емкость разделительного конденсатора
в цепи нагрузки
:
Из ряда E24: Сн=180 мкФ
Расчет предоконечного каскада
Рисунок 5 - Схема предоконечного каскада
Сопротивление
резистора
рассчитывается по формуле:
Из ряда E24: R5=270 Ом
Ток коллектора в рабочей точке предоконечного каскада:
Диоды
VD1
и VD2
выбираем таким образом, чтобы при токе
прямое падение напряжения на них
составляло
.
Выбираем диоды типа: D818E
Соотношения, для выбора транзистора предоконечного каскада:
По данным значениям выбираем транзистор КТ815Г n-p-n структуры c параметрами:
,
,
,
.
Напряжение в рабочей точке транзистора VT3:
где
- напряжение насыщения коллектор –
эмиттер,
- выходное напряжение предоконечного каскада (равно входному напряжению выходного каскада),
-
допустимая нестабильность напряжения
в рабочей точке в заданном диапазоне
температур (выбирается равной 1 В).