- •Физический практикум по электромагнетизму
- •Содержание
- •1. Цепи постоянного тока
- •Передача электроэнергии по линии
- •1. Эффективность передачи электроэнергии
- •2. Распределение нпряжения в линии
- •3. Экспериментальная установка
- •4. Измерения
- •5. Представление результатов
- •Цепь постоянного тока
- •1. Методы расчёта цепей
- •1.1. Правила Кирхгофа
- •1.2. Метод узловых потенциалов
- •1.3. Метод контурных токов
- •3. Измерения
- •Нелинейные элементы в цепи постоянного тока
- •1. Теоретическое введение
- •1.1. Понятие о нелинейных элементах (нэ)
- •1.2. Статическое и дифференциальное сопротивления
- •1.3. Вольт-амперные характеристики
- •1.4. Графический расчёт простейших нелинейных цепей
- •1.5. Стабилизатор напряжения
- •2. Экспериментальная установка
- •3. Программа работы
- •3.1. Снятие вольт-амперных характеристик
- •3.2. Расчёт и испытание стабилизатора напряжения
- •4. Представление результатов
- •1. Назначение осциллографа
- •2. Блок-схема осциллографа с1-65а
- •2.1. Входной делитель и усилитель канала y
- •2.2. Генератор развёртки
- •2.3. Блок синхронизации
- •2.4. Усилитель канала х
- •2.5. Калибратор
- •3. Некоторые технические хароактеристики
- •4. Ручки управления
- •4 .1. Ручки управления элт
- •4.2. Ручки управления канала y
- •4.3. Ручки управления синхронизацией
- •4.4. Ручки управления развёрткой
- •4.5. Ручки управления калибратором
- •5. Программа работы
- •5.1. Установка исходного состояния осциллографа
- •5.2. Включение осциллографа
- •5.3. Работа с калибратором
- •5.4. Измерения параметров синусоидального напряжения
- •5.5. Измерение параметров импульсного напряжения
- •5.6. Представление результатов
- •Мостовые измерения
- •1. Идея метода
- •1.1. Мост постоянного тока
- •1.2. Мост переменного тока
- •1.2.1. Баланс моста на переменном токе
- •1.2.2. Измерение ёмкостей конденсаторов
- •1.2.3. Измерение индуктивностей катушек
- •2. Оценки точности мостовых измерений
- •2.1. Мост постоянного тока
- •2.2. Мост переменного тока
- •3. Экспериментальная установка
- •4. Программа работы
- •4.1. Измерения сопротивлений резисторов
- •4.2. Измерения ёмкостей конденсаторов
- •4.3. Измерения индуктивностей
- •4.4. Оценки точности измерений
- •4.5. Определение взаимной индуктивности катушек
- •Определение удельного заряда электрона из закона «трёх вторых»
- •1. Введение
- •2. Вольт-амперная характеристика
- •2.1. Плоский диод
- •2.2. Цилиндрический диод
- •3. Экспериментальная установка
- •4. Программа работы
- •4.1. Измерения
- •4.2. Обработка результатов
- •Измерение малых сопротивлений
- •1. Теоретическое введение
- •1.1. Проблема измерения малых сопротивлений
- •1.2. Метод шунта
- •1.3. Простой мост
- •1.4. Метод двойного моста
- •1.5. Оценки точности измерений
- •2. Экспериментальная установка
- •3. Программа работы
- •3.1. Измерения сопротивлений методом шунта
- •3.2. Измерения сопротивлений двойным мостом
- •2.2. Магнитные измерения
- •Магнитное поле земли
- •1. Структура магнитного поля земли
- •2. Установка и метод
- •3. Измерения
- •Измерения баллистическим гальванометром
- •1. Теория баллистического гальванометра
- •1.1. Гальванометры
- •1.2. Устройство баллистического гальванометра
- •1.3. Принцип действия баллистического гальванометра
- •1.4. Принцип измерения ёмкости
- •1.5. Принцип измерения магнитного поля
- •1.6. Принцип измерения взаимной индуктивности
- •2. Лабораторная установка
- •3. Измерения и расчёты
- •3.1. Измерение ёмкости конденсатора
- •3.2. Измерение магнитного поля катушки
- •3.3. Измерение взаимной индуктивности обмоток
- •3.4. Расчёты полей в соленоиде
- •Определение параметров конденсаторов и катушек
- •1. Введение
- •2. Метод
- •2.1. Определение ёмкости конденсатора
- •2.2. Определение индуктивности катушки
- •2.3. Определение взаимной индуктивности катушек
- •3. Лабораторная установка
- •4. Измерения
- •4.1. Измерение ёмкости конденсатора
- •4.2. Измерение индуктивности катушек
- •4.3. Измерение взаимной индуктивности
- •Изучение свойств ферромагнетиков
- •1. Магнитное поле в веществе
- •1.1. Намагничивание вещества
- •1.2. Магнитное поле в веществе и вектор н
- •1.3. Связь между векторами м, в и н
- •1.4. Размерности
- •2. Основные характеристики ферромагнетиков
- •2.1. Кривая намагничивания
- •2.2. Магнитная проницаемость
- •2.3. Гистерезис
- •2.4. Потери энергии при перемагничивании ферромагнетика
- •2.5. Природа ферромагнетизма
- •3. Снятие гистерезисных петель
- •3.1. Метод
- •3.2. Экспериментальная установка
- •3.3. Программа измерений
- •3.4. Обработка результатов
- •Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
- •1. Введение
- •2. Идея метода
- •3 . Движение электрона в скрещенных полях
- •3.1. Плоский диод
- •3.2. Цилиндрический диод
- •4. Причины уменьшения точности метода
- •5. Экспериментальная установка
- •6. Программа работы
- •6.1. Измерения
- •6.2. Обработка результатов
- •Эффект холла
- •1. Электрические особенности полупроводников
- •2. Элементарная теория эффекта холла
- •3. Лабораторная установка
- •3.1. Состав лабораторной установки
- •3.2. Гальванометр
- •3.3. Образец
- •3.4. Катушки электромагнита
- •4. Программа измерений
- •4.1. Домашняя подготовка
- •4.2. Измерение удельной проводимости
- •4.3. Измерения эдс Холла
- •5. Обработка и представление результатов
- •Определение ампера
- •1. Теоретические сведения
- •1.1 Определение магнитного поля
- •1.2. Действие магнитного поля на ток (сила Ампера)
- •1.3. Закон Био-Савара
- •1.4. Взаимодействие параллельных проводов с токами.
- •2. Идея метода
- •3. Лабораторная установка
- •4. Программа работы
- •4.1. Измерения
- •4.2. Обработка результатов
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
Цель работы – изучение движения заряженной частицы в скрещенных электрическом и магнитном полях и определение удельного заряда электрона е/m методом магнетрона.
1. Введение
Существует много методов определения удельного заряда электрона е/m, где е – заряд электрона (элементарный заряд), m – его масса. В отличие от измерения самогó элементарного заряда, определение отношения е/m технически гораздо проще, так как эта комбинация входит в уравнения движения электрона в электрическом и магнитном полях, в закон сохранения энергии, и явно выражается через легко измеряемые величины: геометрию электродов и напряжения и токи между ними.
В настоящей работе отношение е/m определяется на основе известного характера движения заряженной частицы в постоянных скрещенных полях – однородном магнитном и радиальном электрическом. Такая конфигурация скрещенных полей В и Е создаётся в магнетроне – генераторе мощных сверхвысокочастотных (СВЧ) электромагнитных колебаний; отсюда и название метода – «метод магнетрона».
2. Идея метода
П
усть
имеется цилиндрический диод, в котором
нагретым катодом является внутренний
цилиндр, а анодом – коаксиальный ему
наружный. И пусть между анодом и катодом
приложено постоянное напряжение U,
создающее в пространстве между цилиндрами
радиальное электрическое поле Е.
От горячего катода к аноду вдоль линий
поля Е,
т.е. по радиусам, полетят электроны,
образуя анодный ток I.
Если такой диод поместить в однородное магнитное поле В, направленное вдоль оси диода, то траектории электронов будут искривляться. Однако при не слишком большом поле В все испущенные катодом электроны всё равно будут достигать анода и создавать тот же самый анодный ток I (рис. 1).
При увеличении магнитного поля до некоторого критического значения Вкр электроны искривляют свои траектории настолько, что уже перестают достигать анода и возвращаются на катод (рис. 1). Ток анода до нуля. При дальнейшем увеличении магнитного поля все электроны, испущенные катодом, описывают в пространстве всё более короткие петли и возвращаются на катод, не достигнув анода. Анодный ток отсутствует. Таким образом, зависимость тока анода от величины осевого магнитного поля в диоде имеет вид, показанный на рис. 2. Как будет показано ниже, поле Вкр и удельный заряд электрона можно определить, наблюдая зависимость I(В) и регистрируя поле В=Вкр, соответствующее спаду анодного тока.
3 . Движение электрона в скрещенных полях
Рассмотрим характер движения электрона в постоянных однородных взаимно перпендикулярных полях В и Е и определим критическое магнитное поле Вкр сначала для плоского диода, а затем для цилиндрического.
3.1. Плоский диод
П
усть
между плоско-параллельными анодом и
катодом приложено постоянное напряжение
U,
создающее однородное электрическое
поле Е=U/d,
а параллельно плоскостям анода и катода
направлено постоянное магнитное поле
В,
как показано на рис. 3. И пусть катод
испускает (эмиттирует) электроны с
нулевой начальной скоростью. Общее
векторное уравнение движения электрона
в полях В
и Е
=−е(Е+υ×В)
эквивалентно трём скалярным:
Так
как в данном случае (рис. 3) ненулевыми
являются только у-компонента
поля Е
(Еу=−Е)
и z-компонента
поля В
(Вz=−В),
то из трёх уравнений остаются два:
(1)
Это означает, что в диоде электрон движется только в плоскости (ху). Уравнения (1) удобно представить в виде:
(2)
где
υх=
,
υу=
,
ω0=
− параметр, имеющий размерность [рад/с]
и называемый циклотронной
частотой.
Легко показать. что при нулевых начальных
условиях:
х(0)=у(0)=0,
решение системы (2) имеет вид:
(3)
где
.
Кривая, параметрически определяемая
уравнениями (3), называется циклоидой.
Эту траекторию описывает в пространстве
фиксированная точка на ободе колеса
радиусом R,
катящегося по плоскому катоду. На рис.
3 показаны отрезки циклоид при разных
значениях поля В.
Если поле В мало, то испущенный катодом электрон долетает по искривлённой траектории до анода. При увеличении магнитного поля траектории электронов всё более искривляются. При достижении магнитным полем некоторого критического значения В=Вкр электроны перестают долетать до анода. Вычислим это поле.
В
верхней точке критической циклоиды:
у=уmax=d.
Но из второго выражения (3) видно, что
уmax=2R,
следовательно, d=2R=
.
А так как
,
ω0=
,
то для критического поля получаем:
Вкр=
.
(4)
При В>Вкр электроны не достигают анода, вновь возвращаясь на катод.
