- •Физический практикум по электромагнетизму
- •Содержание
- •1. Цепи постоянного тока
- •Передача электроэнергии по линии
- •1. Эффективность передачи электроэнергии
- •2. Распределение нпряжения в линии
- •3. Экспериментальная установка
- •4. Измерения
- •5. Представление результатов
- •Цепь постоянного тока
- •1. Методы расчёта цепей
- •1.1. Правила Кирхгофа
- •1.2. Метод узловых потенциалов
- •1.3. Метод контурных токов
- •3. Измерения
- •Нелинейные элементы в цепи постоянного тока
- •1. Теоретическое введение
- •1.1. Понятие о нелинейных элементах (нэ)
- •1.2. Статическое и дифференциальное сопротивления
- •1.3. Вольт-амперные характеристики
- •1.4. Графический расчёт простейших нелинейных цепей
- •1.5. Стабилизатор напряжения
- •2. Экспериментальная установка
- •3. Программа работы
- •3.1. Снятие вольт-амперных характеристик
- •3.2. Расчёт и испытание стабилизатора напряжения
- •4. Представление результатов
- •1. Назначение осциллографа
- •2. Блок-схема осциллографа с1-65а
- •2.1. Входной делитель и усилитель канала y
- •2.2. Генератор развёртки
- •2.3. Блок синхронизации
- •2.4. Усилитель канала х
- •2.5. Калибратор
- •3. Некоторые технические хароактеристики
- •4. Ручки управления
- •4 .1. Ручки управления элт
- •4.2. Ручки управления канала y
- •4.3. Ручки управления синхронизацией
- •4.4. Ручки управления развёрткой
- •4.5. Ручки управления калибратором
- •5. Программа работы
- •5.1. Установка исходного состояния осциллографа
- •5.2. Включение осциллографа
- •5.3. Работа с калибратором
- •5.4. Измерения параметров синусоидального напряжения
- •5.5. Измерение параметров импульсного напряжения
- •5.6. Представление результатов
- •Мостовые измерения
- •1. Идея метода
- •1.1. Мост постоянного тока
- •1.2. Мост переменного тока
- •1.2.1. Баланс моста на переменном токе
- •1.2.2. Измерение ёмкостей конденсаторов
- •1.2.3. Измерение индуктивностей катушек
- •2. Оценки точности мостовых измерений
- •2.1. Мост постоянного тока
- •2.2. Мост переменного тока
- •3. Экспериментальная установка
- •4. Программа работы
- •4.1. Измерения сопротивлений резисторов
- •4.2. Измерения ёмкостей конденсаторов
- •4.3. Измерения индуктивностей
- •4.4. Оценки точности измерений
- •4.5. Определение взаимной индуктивности катушек
- •Определение удельного заряда электрона из закона «трёх вторых»
- •1. Введение
- •2. Вольт-амперная характеристика
- •2.1. Плоский диод
- •2.2. Цилиндрический диод
- •3. Экспериментальная установка
- •4. Программа работы
- •4.1. Измерения
- •4.2. Обработка результатов
- •Измерение малых сопротивлений
- •1. Теоретическое введение
- •1.1. Проблема измерения малых сопротивлений
- •1.2. Метод шунта
- •1.3. Простой мост
- •1.4. Метод двойного моста
- •1.5. Оценки точности измерений
- •2. Экспериментальная установка
- •3. Программа работы
- •3.1. Измерения сопротивлений методом шунта
- •3.2. Измерения сопротивлений двойным мостом
- •2.2. Магнитные измерения
- •Магнитное поле земли
- •1. Структура магнитного поля земли
- •2. Установка и метод
- •3. Измерения
- •Измерения баллистическим гальванометром
- •1. Теория баллистического гальванометра
- •1.1. Гальванометры
- •1.2. Устройство баллистического гальванометра
- •1.3. Принцип действия баллистического гальванометра
- •1.4. Принцип измерения ёмкости
- •1.5. Принцип измерения магнитного поля
- •1.6. Принцип измерения взаимной индуктивности
- •2. Лабораторная установка
- •3. Измерения и расчёты
- •3.1. Измерение ёмкости конденсатора
- •3.2. Измерение магнитного поля катушки
- •3.3. Измерение взаимной индуктивности обмоток
- •3.4. Расчёты полей в соленоиде
- •Определение параметров конденсаторов и катушек
- •1. Введение
- •2. Метод
- •2.1. Определение ёмкости конденсатора
- •2.2. Определение индуктивности катушки
- •2.3. Определение взаимной индуктивности катушек
- •3. Лабораторная установка
- •4. Измерения
- •4.1. Измерение ёмкости конденсатора
- •4.2. Измерение индуктивности катушек
- •4.3. Измерение взаимной индуктивности
- •Изучение свойств ферромагнетиков
- •1. Магнитное поле в веществе
- •1.1. Намагничивание вещества
- •1.2. Магнитное поле в веществе и вектор н
- •1.3. Связь между векторами м, в и н
- •1.4. Размерности
- •2. Основные характеристики ферромагнетиков
- •2.1. Кривая намагничивания
- •2.2. Магнитная проницаемость
- •2.3. Гистерезис
- •2.4. Потери энергии при перемагничивании ферромагнетика
- •2.5. Природа ферромагнетизма
- •3. Снятие гистерезисных петель
- •3.1. Метод
- •3.2. Экспериментальная установка
- •3.3. Программа измерений
- •3.4. Обработка результатов
- •Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
- •1. Введение
- •2. Идея метода
- •3 . Движение электрона в скрещенных полях
- •3.1. Плоский диод
- •3.2. Цилиндрический диод
- •4. Причины уменьшения точности метода
- •5. Экспериментальная установка
- •6. Программа работы
- •6.1. Измерения
- •6.2. Обработка результатов
- •Эффект холла
- •1. Электрические особенности полупроводников
- •2. Элементарная теория эффекта холла
- •3. Лабораторная установка
- •3.1. Состав лабораторной установки
- •3.2. Гальванометр
- •3.3. Образец
- •3.4. Катушки электромагнита
- •4. Программа измерений
- •4.1. Домашняя подготовка
- •4.2. Измерение удельной проводимости
- •4.3. Измерения эдс Холла
- •5. Обработка и представление результатов
- •Определение ампера
- •1. Теоретические сведения
- •1.1 Определение магнитного поля
- •1.2. Действие магнитного поля на ток (сила Ампера)
- •1.3. Закон Био-Савара
- •1.4. Взаимодействие параллельных проводов с токами.
- •2. Идея метода
- •3. Лабораторная установка
- •4. Программа работы
- •4.1. Измерения
- •4.2. Обработка результатов
2. Вольт-амперная характеристика
ВАКУУМНОГО ДИОДА
2.1. Плоский диод
Рассмотрим простейшую модель вакуумного диода, когда два его электрода – катод и анод – являются парой параллельных плоскостей, находящихся на расстоянии d друг от друга. катод подогревается и с него происходит эмиссия электронов (термоэлектронная эмиссия).
Пусть Uа – потенциал анода относительно катода. В плоской модели диода потенциал U в каждой точке межэлектродного пространства будет функцией координаты х, направленной от катода к аноду, причём U(0)=Uк=0, U(d)=Uа.
Поставим задачу: определить аналитический вид вольт-амперной характеристики (ВАХ) I(Ua) плоского вакуумного диода. Для упрощения задачи будем предполагать, что выполнены следующие два условия.
Условие 1: эмиссионная способность катода неограниченно велика, так что при не слишком большом потенциале анода Uа испущенные катодом электроны не успевают все «подбираться» анодом и часть их возвращается на катод; тогда вблизи катода постоянно будет существовать электронное облако – отрицательный объёмный заряд; в этом случае говорят, что диод работает в режиме объёмного заряда.
Условие 2: начальные скорости испущенных катодом электронов нулевые, т.е. υ│х=0=0.
Для решения поставленной задачи сначала составим уравнение, описывающее распределение потенциала U(х) вдоль оси х между катодом и анодом. Исходным для этого являются три фундаментальных соотношения:
1) уравнение Пуассона для межэлектродного пространства с объёмным отрицательным зарядом ρ (ρ<0):
diυ gradU=ΔU=ρ/ε0,
которое для одномерного варианта задачи принимает вид:
ΔхU=
,
(1)
здесь ε0 – электрическая постоянная;
2) определение плотности тока j (между анодом и катодом):
j=neυ=ρυ, (2)
где п – концентрация электронов в потоке «катод-анод»;
3) закон сохранения энергии электрона (при условии υ│х=0=0):
,
где υ – скорость электрона в точке пространства с потенциалом U; отсюда следует, что
υ=
.
(3)
Подставляя скорость υ (3) в (2), а плотность ρ из (2) в (1), получаем искомое уравнение для распределения потенциала U(х):
,
(4)
где
,
.
Запишем теперь необходимые для решения этого уравнения граничные условия для потенциала U:
1) U(0)=Uк=0 (по условию задачи);
2) U(d)=Ua (потенциал анода задан);
3)
=U'(0)=0.
Последнее
граничное условие требует пояснения.
Оно означает, что вблизи катода поле
Ех=−
=0.
Покажем, что в
режиме объёмного заряда
это так. Пусть сначала катод холодный
и эмиссии нет. Тогда вблизи катода
>0.
Распределение потенциала между катодом
и анодом изобразится линией 1 (прямой),
показанной на рис. рис. 1.
П
ри
разогреве катода он начинает испускать
электроны, в пространстве образуется
отрицательный объёмный заряд ρ и линия
U(х)
начинает «провисать» (кривая 2 на рис.
1). А так как по-прежнему
>0,
то при достаточно большой эмиссионной
способности (Условие
1)
катод будет давать ещё больше электронов
и «провисание» увеличится. Однако кривая
U(х)
не может «провиснуть» ниже оси х,
например, до формы 4 (рис. 1). Действительно,
в этом случае dU/dx
вблизи катода станет меньше нуля. А так
как dU/dx=−Ех,
то вблизи катода появится тормозящее
поле, и при условии (υ)х=0=0
(Условие
2)
эмиссия прекратится. Следовательно,
равновесным распределением потенциала
U(х)
будет такое, при котором вблизи катода
(dU/dx)х=0=0
(кривая 3 на рис. 1).
Теперь найдём решение нелинейного уравнения (4). При граничных условиях U(0)=0 и U'(0)=0 оно легко интегрируется, так как домножение его слева и справа на 2U'х приводит к разделению переменных U и х. Но его решение можно найти и более коротким путём, если сразу искать его в виде степенной функции (такая интуиция приходит с опытом):
U=Ахα, (5)
где А и α – пока неизвестные числа. Для их определения подставим (5) в (4) и приравняем показатели и коэффициенты при х:
Аα(α−1)хα−2=рА−1/2х−α/2.
Это
даёт: α=4/3, А=
.
Таким образом, уравнению (4) удовлетворяет
функция
.
(6)
Легко видеть, что эта функция удовлетворяет и граничным условиям − первому и третьему. Второе же граничное условие позволяет найти плотность тока j: подставляя в (6) выражение для коэффициента р и полагая, что при х=d потенциал U=Uа, получаем:
Uа=
,
(7)
откуда
.
(8)
Если площадь катода равна S, то ток диода
I=kUa3/2, (9)
где
.
Это и есть вольт-амперная характеристика плоского вакуумного диода, работающего в режиме объёмного заряда. Видно, что она нелинейна, т.е. не подчиняется закону Ома. Формула (9) получила название закона «трёх вторых».
Если подставить j из (8) в (7), то получим и равновесное распределение потенциала U вдоль прямой катод-анод:
U=Ua
.
Видно, что оно удовлетворяет всем трём граничным условиям, и ему соответствует кривая 3 на рис. 1.
Е
сли
потенциал анода увеличить настолько,
что он превысит эмиссионную способность
катода, т.е. анод будет успевать подбирать
все
электроны, испущенные катодом, и объёмный
заряд в межэлектродном пространстве
образовываться не будет, то в диоде
наступит
режим насыщения,
когда анодный ток больше не растёт с
ростом Uа.
Ток насыщения Iнас
определяется пределом эмиссионной
способности катода, которая очень сильно
зависит от температуры катода и его
материала.
Общий вид ВАХ вакуумного диода показан на рис. 2.
