Вакуумне напилення металічних та діелектричних покрить

У 2007 році в рамках внутрішнього інвестиційного проекту придбане устаткування фірми "TORR INTERNATIONAL” (США) для вакуумного нанесення тонкоплівкових діелектричних і металевих покрить на робочі поверхні активних елементів оптоелектронних пристроїв методами термічного,

На дільниці напилювання металічних і діелектричних покриттів.

магнетронного та електронно-променевого розпилювання. Дільниця розташована у чистому приміщенні класу "10000". [12]

Устаткування використовується для нанесення електродів на поверхні активних елементів електрооптичних та акустооптичних пристроїв управління лазерним променем, для нанесення просвітлюючих покриттів на робочі поверхні оптичних елементів, для створення багатошарових діелектричних дзеркал лазерних резонаторів та інтерференційних фільтрів. 

Установка для напилення металічних та діелектричних покрить

Фотолітографія

Фотолітографічна лабораторія знаходиться в мікрокліматичному модулі ММКІ-32(001) виробництва НВП «Карат».

Обладнання лабораторії дає можливість проводити контактну фотолітографію на підкладках розміром від 10х10 до 240х240мм і товщиною від 1 до 20 мм.

Розроблено технології виготовлення структур розмірами від 5 мкм на основі Cr, Cu, латунь, SiO₂, Au, Ni.

Р озроблена технологія одержання зустрічно-штиркових структур використовується для виготовлення пристроїв акусто і оптоелектроніки. Відпрацьовано технологію фотолітографічних процесів виготовлення чіпів на основі епітаксійних структур арсеніду та фосфіду галію, підкладках CdHgTe, які використовуються для розробки НВЧ-електроніки, фотоприймачів, світлодіодів і лазерних структур. [12]

в лабораторії фотолітографії

кристал ніобату літію перед фотолітографією

Технологія напівпровідників а3в5 та приладів на їх основі

Діючі базові технології кристалізації епітаксійних структур

• Рідинно-фазна епітаксія (низькотемпературний та високотемпературний варіанти)

• Газофазна епітаксія (хлоридний метод)

Обладнання

· Установки рідинно-фазної епітаксії на базі модернізованих СДО 125/3, СДОМ, ЕВАРС (власна розробка), ГФЕ «Мікро» (власна розробка).

Основна продукція

• Епітаксійні структури на основі GaAs для датчиків Хола

• Епітаксійні структури на основі GaAs/AlGaAs для гетеролазерів та світло діодів, що працюють у діапазоні 630-810 нм

• Епітаксійні структури InP/InGaAsP для світлодіодів, що працюють у діапазоні 1000-1010 нм

• Епітаксійні структури GaAs/AlGaAs/InGaP для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії

• Фотоелектричні перетворювачі на базі гетероструктур GaAs/AlGaAs,GaAs/AlGaAs/InGaP з к.к.д. 20-22% за АМ 1,5, в т.ч. для концентраторних сонячних батарей.

Т ехнології, що знаходяться на стадії запуску

установка молекулярно-променевої епітаксії Discovery 180LDM

С пільно із ЗАТ НВК «НАУКА» проводяться роботи з постановки промислової МОС-гідридної технології на базі установки Discovery 180LDM, які після завершення дадуть можливість організувати виробництво сучасних нанорозмірних епітаксійних структур для над’яскравих світлодіодів, фотоелектричних тандемних фотоперетворювачів з к.к.д. 35-40%, лазерних структур та ін.

установка молекулярно-променевої епітаксії Discovery 180LDM