Одержання плівок для електрофізичних досліджень
Для дослідження електрофізичних параметрів найкраще використовувати підкладки, які мають великий опір і високу температуру плавлення (кварц, фарфор, скло). Якщо потрібно досліджувати оптичні властивості плівок, то необхідно для підкладок вибрати матеріал прозорий у даній області спектру. Форма зразка зумовлюється умовами наступних експериментів. Контакти для електрофізичних досліджень можна також одержувати вакуумним випаровуванням. Найчастіше для контактів використовують тонкі плівки SnO2 або Al, однак можна застосовувати й інші метали. Основна вимога до контактів: омічність, відсутність хімічної взаємодії з плівкою, механічна стійкість. Товщина плівок для фізичних досліджень може змінюватися у широкому діапазоні від анстрем до мікрон. [4] Висновок:
У дослідників, що зацікавилися в дослідженні тонких плівок, є широкий вибір методів їх виготовлення. У загальному випадку, ці методи можуть бути розбиті на два класи. Один клас об'єднує методи, засновані на фізичному випаровуванні або розпиленні матеріалу з джерела, наприклад термічного випаровування або іонне розпилення. У іншому класі зібрані методи, засновані на використанні хімічних реакцій. Сутність реакцій в цьому класі методів може бути різною: електричне розділення іонів, як наприклад при електрохімічному осадженні і анодування, або використання теплових об'єктів, як наприклад при осадженні із парової фази і термічному вирощуванні. У даній роботі була зроблена спроба зробити класифікацію методів отримання тонких плівок, засновану на такому принципі підрозділи.
Після розгляду різних методів отримання тонких плівок зроблено висновок, що немає оптимального вибору методу отримання тонких плівок. Вибір методу залежить від типу необхідної плівки, від обмежень у виборі підкладок і часто, особливо у випадку багаторазового осадження, від загальної сумісності різних процесів, що протікають при застосуванні цього методу.
Екскурсія на науково-виробниче підприємство "Карат"
На проходженні навчальної, ознайомчої практики ми відвідали науково-виробниче підприємство"Карат". На підприємстві нам провели екскурсію по цехах та лабораторіях підприємства.
Сфера дiяльностi: 1. Матеріали та пристрої для електроніки: - оптоелектроніка, квантова електроніка та оптика; - акустоелектроніка; - магнітоелектроніка; - керамічні матеріали; - кріоелектроніка; - мікроелектроніка; 2. Технологічні матеріали для монтажних робіт: - клеї та герметики; - композиції для виготовлення плат; - тепло- та струмопровідні гуми. 3. Проведення досліджень матеріалів в акредитованої Держстандартом України лабораторії.
Вирощування монокристалів із складних оксидів
Унікальне високотехнологічне обладнання дозволяє проводити як розробки технологій одержання нових монокристалічних матеріалів, починаючи з підготовки сировинних матеріалів і закінчуючи виготовленням робочих елементів пристроїв з монокристалів та плівок, так і налагоджувати в подальшому їх промисловий випуск.
Фахівцями комплексу розроблені вітчизняні технології одержання низки монокристалів великих розмірів:
· бездефектних кристалів гадоліній-галієвого гранату діаметром до 110 мм і вагою понад 16 кг, що широко використовуються в якості підкладкових матеріалів для одержання тонких плівок в магнітоелектроніці;
· чистих та легованих кристалів ніобату і танталату літію діаметром до 90 мм – найпоширеніших матеріалів, що використовується в акустоелектроніці, акустооптиці, інтегральній оптиці, пристроях лінійної та нелінійної оптики та ін.;
· сцинтиляційних кристалів вольфраматів і молібдатів свинцю, кальцію та кадмію для виготовлення високоефективних твердотільних реєстраторів високоенергетичних випромінювань в фізиці високих енергій, медичній рентгенівській томографії, приладах контролю радіоактивного забруднення повітря, води і продуктів харчування та ін.;
· кристалів з групи алюмінієвих гранатів та перовскитів, легованих рідкісноземельними елементами, для твердотільних лазерів медичного, технологічного і загальнотехнічного застосування;
· кристалів рідкісноземельних галатів як підкладок для одержання монокристалічних плівок високотемпературних надпровідників та багато інших.
Дільниця укомплектована вісьмома установками, виготовленими за ліцензією фірми LPA (Франція), які забезпечують можливості:
- вирощування кристалів складних оксидних сполук із температурами плавлення до 2000 оС;
Робота на установці для вирощування монокристалів за методом Чохральського
- одержання кристалів діаметром до 110 мм і вагою до 40 кг;
- контролю маси кристалу, що росте, ваговим методом;
- проведення технологічних процесів у різноманітних газових атмосферах;
- комп’ютерного управління процесом вирощування. [12]