15.Виды диэлектриков и диэлектрическая проницаемость различных в-в.

Диэлектрики — вещества, плохо проводящие электрические ток, так их удельноесопротивление находится в пределах 104 — 1018 Ом∙м. В тоже время у металлов удельноесопротивление находится в пределах 10-8‒10-6 Ом∙м. Кроме того, создаваемое внешнимиисточниками и поддерживаемое в металлах постоянное электрическое поле вызываетнаправленное перемещение зарядов, т. е. электрический ток, а в диэлектриках это полеприводит к перераспределению электрических зарядов и появлению (или изменению)электрического дипольного момента в любом объѐме вещества, т. е. его п о л я р и з а ц и и

16. Измерение диэлектрической проницаемости методом баллистического гальванометра.

Величина статической диэлектрической проницаемости ε', может быть определена по емкости, измеренной методом баллистического гальванометра, который позволяет измерять диэлектрическую прони­цаемость на постоянном токе .Данный метод основан на том, что исследуемая емкость заряжает­ся до строго определенного напряжения и затем разряжается на балли­стический гальванометр. Отклонение указателя пропорционально ко­личеству электричества, прошедшего через гальванометр (гальванометр обычно калибруется в единицах заряда). Емкость конденсатора вычис­ляют по известному заряду и напряжению на обкладках: С= Q/U.

Метод обычно применяют для веществ с малой проводимостью.

Измерения диэлектрической проницаемости в переменных полях позволяют по­лучить более широкую информацию о структуре и свойствах веществ. Мостовые методы измерения диэлектрической прони­цаемости и тангенса угла диэлектрических потерь реализуются на переменном токе и основаны на использовании различных мо­дификации моста Уитстона.

Мост питается переменным напряже­нием с некоторой частотой. При условии равновесия моста уравновешивается с помощью R₃ и С₄) величина искомой ем­кости и тангенс угла потерь определяют­ся по формулам: С_x = С₂ •( R₄ / R₃ ) и tg δ = ω•R₄•С₄.При работе простых мостов на высоких частотах возникает ряд трудностей, поэтому для измерений используются ихболее сложные модификации, двойные мосты и т. д. Мостовые схемы, работающие при высоких частотах, требуют тщательного экранирова­ния и компенсации индуктивностей и емкостей линий связи.

17.Изменения диэлектрической проницаемости мостовым методом.

Измерения диэлектрической проницаемости в переменных полях представляют значительно больший интерес. Это связано с тем, что они позволяют получить более широкую информацию о структуре и свойствах веществ. Мостовые методы измерения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь реализуются на переменном токе и основаны на использовании различных модификаций моста Уитстона (рис. 2.4).

Мост питается переменным напряжением с некоторой частотой. При условии равновесия моста (уравновешивается с помощью R₃ и С₄) величина искомой емкости и тангенс угла потерь определяются по формулам

Сх=С₂R₄/R₃

tgδ=ωR₄С₄

При работе простых мостов на высо­ких частотах возникает ряд трудностей, поэтому для измерений используются их более сложные модификации, двойные мосты и т. д. Мостовые схемы, работающие при высоких частотах, требуют тщательного экранирова­нии и компенсации индуктивностей и емкостей линий связи.

Р

K

ис 2.4 Схема измерительного моста

Схема измерений с баллистическим гальванометром

C