
- •1.Электронная теория проводимости. Основные понятия и соотношения.
- •2.Электронная теория проводимости. Классиф. Веществ по проводимости.
- •3. Виды электрической проводимости и их характеристики.
- •4. Основные методы измерения удельного сопротивления. Условия применимости метода Ван-дер-Пау.
- •5. Основные методы ИзмерениЯ удельного сопротивления. Условия применения 2х-зондовОго методА.
- •6. Измерение удельного сопротивления однозондовым методом
- •7.Измерение удельного сопротивления 4-х- зондовым методом
- •8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления.
- •9. . Измерение подвижности и концентрации носителей заряда
- •10. Эффект Холла
- •11. Измерение эдс Холла.
- •12. Измерение эдс Холла методом Ван-дер-Пау
- •13. Методы измерения тока Холла.
- •14. Измерение подвижности методом магнитосопротивления
- •15.Виды диэлектриков и диэлектрическая проницаемость различных в-в.
- •16. Измерение диэлектрической проницаемости методом баллистического гальванометра.
- •17.Изменения диэлектрической проницаемости мостовым методом.
- •18.Измерения диэлектр. Проницаем. Жидкости
- •19. Измерения диэлектрической проницаемости жидкости абсолютным методом.
- •20.Измерение диэлек. Прониц. Порошков м-дом погружения.
- •21. Измерения диэлектрической проницаемости (дп) порошков методом прямого измерения.
- •22.Измерения диэлектрической проницаемости твердых тел.
12. Измерение эдс Холла методом Ван-дер-Пау
Д
анный
метод применяется для плоских образцов
произвольной формы, на периферии которых
создают 4 точечных контакта. 2-а контакта
используются для пропускания тока через
образец, а между оставшимися 2-мя
контактами замеряют ЭДС Холла.
Постоянная Холла в этом методе определяется по соотношению:
RH = (d•ΔRABCD)/B, где d – толщина плоского образца; ΔRABCD – изменение сопротивления образца, вызванное включением магнитного поля ΔRABCD = ΔUBD/ IAC. ΔUBD – изменение потенциала между зондами В и D при включении магнитного поля. Чтобы определить подвижность носителей заряда, надо измерить удельное сопротивление образца по методу Ван-дер-Пау. μ = RH /ρ.
13. Методы измерения тока Холла.
Режим измер. тока Холла (ТХ) имеет место при Ez=0,т.е холловские грани образца закорочены. Теорет. это выпол-ся в беск-ном образце,т.е. длина парал-да >>его линейного размера,практически реализ-ся в диске Карбино(1 эл-д размещ. в центре диска в виде оси, а второй- по ободу диска в виде кольца). Носители заряда под действием силы Лоренца откл-ся вдоль оси z не встреч. противод-вия поперечн. поля Ez и обр-т попер-й компонент тока j. В этом случ. угол Холла опред-ся соотнош-ем токов tgφ=-μB. Векторы результ-го тока и результ-го поля Ez откл-ся в разные стороны относ-но оси х. Тогда составл-щая jz=μjxB. В режиме ТХ прим-ся м-ды измер. jz в разрыве токов электрода, в дан. сл. измер-ные вел-ны Ux,Ix,Iz.пропорц-ны произвед. размеров a*b*jz. Прод. и поперечн. токи = сумме I-ов, протек. вдоль ток-ых конт-ов Ix=Ix1+Ix2,Iz анал-но. По изм. вел-нам м.б. опред.: σ-уд. провод-сть и d- толщина образца,μ-подвижность. Пост-ую Холла м. опр.: RH=μ/σ. М-д ТХ позв-ет пров-ть измер. на > высокоомных мат-лах,чем м-д ЭДС Холла. Этому спос-ет такое соотн-
14. Измерение подвижности методом магнитосопротивления
Для определения концентрации и подвижности носителей заряда необходимо измерить проводимость образца и постоянную Холла. Измерения обычно проводят следующим образом: на верхней грани образца размещают два зонда 1 и 2 вдоль направления линий тока, а со стороны нижней грани устанавливают зонд 3, встречный одному из них. С помощью зондов 1 и 2 измеряют проводимость образца по двухзондовому методу, а зонды 1 и 3 служат для измерения холловской разности потенциалов.
Ez=Uн/b – холловское электрическое поле
j=I/S=I/bd – плотность тока
Холловская разность потенциалов:
U н/b=Rн*I*B/bd Uн=Rн*IB/d Rн=Uн*d/IB
Метод магнитосопротивления: на исслед. образец наносятся омические контакты большой площади и через ник протекают электрический ток Ix (вдоль оси х). В поперечном магнитном поле (вдоль оси z) в образце возникает холловский ток Iy. В данном случае холловский ток не компенсируется холловской разностью потенциалов, так как при геометрии образца, когда d/L<<1, токовые контакты закорачивают холловское поле.
L
+
d
Результирующий ток в образце будет направлен под некоторым углом к току Iх, что приведет к изменению сопротивления μ образца вдоль оси х.
μm=1/B* - магниторезистивная подвижность
где В – индукция магнитного поля; R(B) - изменение сопротивление образца, вызванное магнитным полем с индукцией В; R(0) – сопротивление образца.
Для того чтобы метод геом. магнитосопротивления обеспечивал высокую точность измерений, сопротивление контактов должно быть минимальным и пренибрежимо малы по сравнению с сопротивлением исследуемого образца.