5. Типы оперативной памяти: fpm dram, ram edo, bedo dram, sdram и др

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) — динамическая память с быстрым стра-

ничным доступом, активно используется с микропроцессорами 80386 и 80486.

Память со страничным доступом отличается от обычной динамической памяти

тем, что после выбора строки матрицы и удержании RAS допускает многократную

установку адреса столбца, стробируемого CAS. Это позволяет ускорить блочные

передачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри одной строки

матрицы, называемой в этой системе страницей.

RAM EDO (EDO — Extended Data Out, расширенное время удержания (доступ-

ности) данных на выходе) фактически представляет собой обычные микросхемы

FPM, к которым добавлен набор регистров-«защелок», благодаря чему данные

на выходе могут удерживаться в течение следующего запроса к микросхеме. При

страничном обмене такие микросхемы работают в режиме простого конвейера:

удерживают на выходе содержимое последней выбранной ячейки, в то время как

на их входы уже подается адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет

примерно на 15% по сравнению с FPM ускорить процесс считывания последовательных массивов данных. Память типа RAM EDO имеет минимальное время обращения 45 не и максимальную скорость передачи данных по каналу процессор-память 264 Мбайт/с.

BEDO DRAM (Burst Extended Data Output, EDO с блочным доступом). Совре-

менные процессоры благодаря кэшированию команд и данных обмениваются с основной памятью преимущественно блоками слов максимальной длины. Этот вид памяти позволяет обрабатывать данные пакетно (блоками) так, что данные считываются блоками за один такт. Работает не выше 66 МГц

SDRAM (Synchronous DRAM — синхронная динамическая память) увеличивает производительность системы за счет синхронизации скорости работы ОЗУ со скоростью работы шины процессора. SDRAM также осуществляет конвейерную обработку информации, выполняя разделение массива памяти на два независимых банка, что позволяет совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом банке.

Время обращения к данным в этой памяти зависит от внутренней тактовой частоты МП и достигает 5-10 не, максимальная скорость передачи данных «процессор-память» при частоте шины 100 МГц составляет 800 Мбайт/с (фактически равна скорости передачи данных по каналу процессор-кэш). Память SDRAM дает общее увеличение производи-

тельности ПК примерно на 25%. Правда, эта цифра относится к работе ПК без

кэш-памяти, — при наличии мощной кэш-памяти выигрыш в производительности может составить всего несколько процентов.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM - SDRAM И). Вариант памяти

SDRAM, осуществляющий передачу информации по обоим фронтам тактового

сигнала. Это позволяет удвоить пропускную способность по сравнению с тради-

ционной памятью SDRAM (до 1,6 Гбайт/с при частоте шины 100 МГц). Может работать на более высокой частоте.В конце 2001 года компания Hynix Semiconductor представила образец 128 Мбит DDR SDRAM (0,16 мкм). Его тактовая частота 375 МГц — самая высокая частота для DDR SDRAM на сегодняшний день (2003 год).

DRDRAM (Direct Rambus DRAM — динамическая память с прямой шиной для RAM) — перспективный тип оперативной памяти, позволивший значительно

увеличить производительность компьютеров. Высокое быстродействие памяти

Direct RDRAM достигается рядом особенностей, не встречающихся в других типах.

В частности, применением собственной двухбайтовой шины Rambus с частотой

800 МГц, обеспечивающей пиковую пропускную способность до 1,6 Гбайт/с.

Контроллер памяти Direct RDRAM управляет шиной Rambus и обеспечивает

преобразование ее протокола с частотой 800 МГц в стандартный 64-разрядный

интерфейс с частотой шины до 200 МГц.