
- •Статическая и динамическая память
- •Регистровая кэш-память.
- •4.Физическая структура основной памяти
- •Типы оперативной памяти: fpm dram, ram edo, bedo dram, sdram и др
- •Постоянные запоминающие устройства
- •Логическая структура основной памяти
- •8. Внешние запоминающие устройства и их характеристики.
- •Файлы и их организация
- •Управление файлами
- •Размещение информации на дисках
- •Адресация информации на диске
- •13. Накопители на жестких и гибких магнитных дисках.
- •Классификация вычислительных сетей
- •17. Физическая структуризация вс. Повторители . Концентраторы.
- •18. Логическая структуризация. Коммутаторы, шлюзы, маршрутизаторы.
- •19. Методы передачи сообщений в вс.
- •20. Протоколы.
Запоминающие устройства ПК и их характеристики. Персональные компьютеры имеют четыре уровня памяти: микропроцессорная память (МПП);
регистровая кэш-память;
основная память (ОП);
внешняя память (ВЗУ).
К основным характеристикам относятся емкость и быстродействие
Таблица 6.1. Сравнительные характеристики запоминающих устройств
Тип памяти Емкость Быстродействие
МПП Десятки байтов t обр = 0,001-0,002 мкс
Кэш-память Сотни килобайтов t обр= 0,002-0,01 мкс
ОП ,в том числе:
ОЗУ Десятки-сотни мегабайтов t обр = 0,005-0,02 мкс
ПЗУ Сотни килобайтов t обр = 0,035-0,1 мкс
ВЗУ, в том числе :
НМД Десятки-сотни гигабайтов t дост =5-ЗОмс V счит = 500-3000 Кбайт/сНГМД Единицы мегабайтов t дост = 65-100 мс V счит = 40-150 Кбайт/с
CD-ROM Сотни-тысячи мегабайтов t дост = 50-300 мс
V счит = 150-5000 Кбайт/с
Быстродействие первых трех типов запоминающих устройств измеряется временем
обращения (t обр ) к- ним, а быстродействие внешних запоминающих устройств —
двумя параметрами: временем доступа (t дост) и скоростью считывания (V счит):t обр ~ сумма времени поиска, считывания и записи информации
t дост ~~ время поиска информации на носителе;
V счит — скорость последовательного считывания смежных байтов информации.
общепринятые сокращения: с — секунда, мс — миллисекунда, мкс —
микросекунда, нc — наносекунда; 1с = 10 6 мс-= 10 6мкс = 10 9нс.
Статическая и динамическая память
Оперативная память может составляться из микросхем динамического (Dynamic
Random Access Memory — DRAM) или статического (Static Random Access
Memory — SRAM) типа.Память статического типа обладает существенно более высоким быстродейст-
вием, но значительно дороже DRAM. В статической памяти элементы (ячейки)
построены на различных вариантах триггеров — схем с двумя устойчивыми
состояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом
состоянии сколь угодно долго — необходимо только наличие питания. При обра-
щении к микросхеме статической памяти на нее подается полный адрес, который
при помощи внутреннего дешифратора преобразуется в сигналы выборки конкрет-
ных ячеек. Ячейки SRAM имеют малое время срабатывания (единицы наносе-
кунд), однако микросхемы на их основе отличаются низкой удельной емкостью
(единицы Мбит на корпус) и высоким энергопотреблением. Поэтому статиче-
ская память используется в основном в качестве микропроцессорной и буфер-
ной (кэш-память).В динамической памяти ячейки построены на основе полупроводниковых об-
ластей с накоплением зарядов — своеобразных конденсаторов, — занимающих
гораздо меньшую площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих
энергии при хранении. Конденсаторы расположены на пересечении вертикаль-
ных и горизонтальных шин матрицы; запись и считывание информации осуще-
ствляется подачей электрических импульсов по тем шинам матрицы, которые
соединены с элементами, принадлежащими выбранной ячейке памяти. При обра-
щении к микросхеме на ее входы вначале подается адрес строки матрицы, сопро-
вождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe — строб адреса строки), затем
через некоторое время — адрес столбца, сопровождаемый сигналом С AS (Column
Address Strobe — строб адреса столбца). Поскольку конденсаторы постепенно
разряжаются (заряд сохраняется в ячейке в течение нескольких миллисекунд),
во избежание потери хранимой информации заряд в них необходимо постоянно
регенерировать, отсюда и название памяти — динамическая. На подзаряд тратит-
ся и энергия, и время, и это снижает производительность системы.
Ячейки динамической памяти по сравнению со статической имеют большее время
срабатывания (десятки наносекунд), но большую удельную плотность (порядка
десятков Мбит на корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память
используется для построения оперативных запоминающих устройств основной памяти ПК.
Регистровая кэш-память.
Регистровая кэш-память — высокоскоростная память сравнительно большой
емкости, являющаяся буфером между ОП и МП и позволяющая увеличить
скорость выполнения операций. Регистры кэш-памяти недоступны для пользо-
вателя, отсюда и название кэш (cache), что в переводе с английского означает
«тайник».
В современных материнских платах применяется конвейерный кэш с блочным
доступом (Pipelined Burst Cache). В кэш-памяти хранятся копии блоков данных
тех областей оперативной памяти, к которым выполнялись последние обраще-
ния, и весьма вероятны обращения в ближайшие такты работы — быстрый до-
ступ к этим данным и позволяет сократить время выполнения очередных команд
программы. При выполнении программы данные, считанные из ОП с неболь-
шим опережением, записываются в кэш-память. В кэш-память записываются
и результаты операций, выполненных в МП.
По принципу записи результатов в оперативную память различают два типа
кэш-памяти: 1) в кэш-памяти «с обратной записью» результаты операций, прежде чем их записать в ОП, фиксируются, а затем контроллер кэш-памяти самостоятельно перезаписывает эти данные в ОП;
2) в кэш-памяти «со сквозной записью» результаты операций одновременно, параллельно записываются и в кэш-память, и в ОП.
Кэш-память бывает разных уровней:
Кэш-память L1 встраивается в основное ядро МП , начиная с МП 80486
У Pentium Pro и выше кроме кэш-памяти 1-го уровня есть и встроенная на микропроцессорную плату кэш-память 2-го уровня (L2) емкостью от 128 Кбайт до 2048 Кбайт. Эта встроенная кэш-память работает либо на полной тактовой частоте МП, либо на
его половинной тактовой частоте.Следует иметь в виду, что для всех МП может использоваться дополнительная
кэш-память 2-го (L2) или 3-го (L3) уровня, размещаемая на материнской плате
вне МП, емкость которой может достигать нескольких мегабайтов (кэш на MB
относится к уровню 3, если МП, установленный на этой плате, имеет кэш 2-го
уровня). Время обращения к кэш-памяти зависит от тактовой частоты, на кото-
рой кэш работает, и составляет обычно 1-2 такта. Время обращения к кэш-памяти зависит от тактовой частоты, на которой кэш работает, и составляет обычно 1-2 такта. Так, для кэш-памяти L1 МП Pentium характерно время обращения 2-5 не, для кэш-памяти L2 и L3 это время доходит до 10 нс. Пропускная способность кэш-памяти зависит и от времени об-
ращения, и от пропускной способности интерфейса и лежит в широких пределах
от 300 до 3000 Мбайт/с.
Использование кэш-памяти увеличивает производительность сис-
темы. Чем больше размер кэш-памяти, тем выше быстродействие, но эта зависи-
мость нелинейная. Для современных ПК рост производительности, как правило, практически прекращается после 1 Мбайт кэш-памяти L2. Создается кэш-память на основе микросхем статической памяти.