41. Плотность.

Z (n)=V r / 1,66 х 10-24 M

V - объем ячейки Бравэ (см3)

r - плотность вещества

1,66 10-24 - вес атома водорода в гр.

М - молекулярный (атомный вес)

Z=n - всегда ³1 и принимает целочисленные значения.

не связана с твердостью.

42. Электрические свойства

Электропроводность – зависит от типа химической связи и от дефектности структуры. Зависимость электрических свойств полупроводниковых минералов от примесей, температуры образования, морфологических особенностей.

Магнитные свойства

А – диамагнетик

Б – парамагнетик

В –ферромагнетик

Г –скомпенсированный антиферромагнитный минерал

Д – ферромагнитный минерал

43. Полярные электрические свойства

Пьезоэлектрический эффект

Полярные оси

Пироэлектрические свойства

Только одна полярная ось

44. Рост кристаллов

Скорость роста кристаллов

Возможная скорость разрастания природных кристаллов на 1 см

Пироксен (базальтовый расплав) – 2,6 – 6 часов

Гематит (трещины в лаве Везувия) 5 часов

Галит (соляные озера) 50 часов

Арагонит (минеральные источники) ½ месяца

Сфалерит и галенит (полиметаллические руды) 6-12 лет

Ильменит (лавовый поток) 70-90 лет

Железные конкреции (дно Черного моря) 250-350 лет

Кальцит (сталактиты в пещере) 500-2000 лет

Марганцевые конкреции (дно Т.О) 300-400 тыс. лет

Доломит (илы озера Дип-Спринг, США) 200 млн. лет

45. Дефекты в кристаллах

Точечные дефекты (нульмерные):

- При повышении температуры возможна «диффузия» точечных дефектов.

Линейные дефекты (одномерные)– дислокации краевые и винтовые, линия не обязательно прямая. Краевая Д – перпендикулярна вектору сдвига, винтовая Д – параллельна вектору сдвига.

Плоские дефекты (двухмерные)– ошибки в наложении слоев, границы двойников, блоки мозаичных кристаллов, сама поверхность кристаллов.

Точечные и линейные дефекты

46. Макродефекты:

Объемные – трехмерные дефекты – пустоты, поры, включения

Образование дефектов – реакция кристалла на внешнее воздействие.

47. Генезис минералов – геологическая предыстория +зарождение + рост.

Онтогения минералов - зарождение + рост + изменения + разрушение

Причины - переохлаждение расплавов, газов, пересыщение растворов, изменение p-t условий, концентраций, жизнедеятельность организмов, электрохимические явления – в целом некоторое пороговое пересыщение– переход через критическую точку.

48. Среды минералообразования

Магма – раствор-расплав

Водные растворы -

гидротермальные и поверхностные

Коллоидные растворы

Газ - вулканические газы

Твердая среда

49. Причины - переохлаждение расплавов, газов, пересыщение растворов, изменение p-t условий, концентраций, жизнедеятельность организмов, электрохимические явления – в целом некоторое пороговое пересыщение– переход через критическую точку.

Рост кристаллов, параллельно плоским сеткам

Спиральный рост грани кристалла

Зональный рост кристаллов

Пирамиды роста