Раскройте понятие о полевом транзисторе.
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного к току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
Принцип действия основан на: использовании носителей одного знака, электронов или дырок.
Транзисторы делятся на 2 группы: 1) транзисторы с управляющим p-n-переходом или переходом в металл полупроводник; 2) транзисторы с управлением по средством изолированного перехода (затвора): а) транзисторы с индуцируемым каналом; б) транзисторы со встроенным каналом
Опишите тиристоры, их устройство, свойства, применение.
Тиристором называется управляемый полупроводниковый (кремниевый) диод.
Тиристор состоит из четырёх последовательно чередующихся областей с p-n-переходами. К крайнему слою подключается анод источника постоянного тока, который называется анодом тиристора, а средняя область называется базой. База тиристора используется для управления его работой. Управляющий электрод может быть подключён к любой из баз тиристора и называется управляющим электродом.
Диодный тиристор имеет два электрода (анод и катод) и называется диристором, а трёхэлектродный тиристор называется трипистором. Триписторы, имеющие двухстороннюю проводимость, называются симисторами. Симисторы работают в положительном и отрицательном полупериодах переменного тока.
Раскройте понятие динистор.
Диристор – это диодный тиристор, который имеет два электрода (анод и катод).
Динистор – это двухэлектродный прибор диодного типа, имеющий три p-n перехода. Крайняя область p называется анодом. Другая крайняя область n — катодом.
Опишите условно-графические обозначения и буквенно-цифровые обозначения полупроводниковых приборов.
Условно-графические обозначения.
Буквенно-цифровые обозначения полупроводниковых приборов на основе государственного стандарта
ГОСТ 11 336.919-81
Диоды
Первый элемент
Г(1) - для германия или его соединений
К(2) - для кремния или его соединений
Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен прибор
А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия)
И(4) - соединения индия (например фосфид индия)
Второй элемент
Буква, определяющая подкласс (или группу) приборов
Д - Диоды выпрямительные и импульсные
Ц - выпрямительные столбы и блоки
В - варикапы
И - туннельные диоды
А - сверхвысокочастотные диоды
С - стабилитроны
Г - генераторы шума
О - оптопары
Н - диодные тиристоры
У - триодные тиристоры
Третий элемент
Назначение прибора: |
Условное обозначение: |
Диоды выпрямительные с прямым током А: |
|
1. менее 0.3 |
«1» |
2. 0.3...10 |
«2» |
Генераторы шума: |
|
1.низкочастотные |
«1» |
2.высокочастотные |
«1» |
Туннельные диоды: |
|
1.усилительные |
«2» |
2.генераторные |
«2» |
3.переключательные |
«3» |
4.обращенные |
«4» |
Четвертый элемент
Число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа
Пятый элемент
Буква, условно определяющая разбраковку по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии
Транзисторы
Первый элемент
Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор
Г(1) - для германия или его соединений
К(2) - для кремния или его соединений
А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия)
И(4) - соединения индия (например фосфид индия)
Второй элемент
Буква, определяющая подкласс (группу) транзисторов
Т - для биполярных П - для полевых
Третий элемент
Цифра, определяющая основные функциональные возможности
Цифра |
Максимальная граничная частота |
Максимальная мощность |
1 2 3 |
не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц |
0,3 Вт |
4 5 6 |
не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц |
1,5 Вт |
7 8 9 |
не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц |
Больше 1,5 Вт |
Четвёртый элемент
Число, обозначающее порядковый номер разработки.
Пятый элемент
Буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзистора, изготовленного по единой технологии.