- •Опишите полупроводниковые приборы, их достоинства и недостатки.
- •Опишите виды примесей и проводимости в полупроводниках.
- •Раскройте понятие собственный и примесный полупроводник.
- •Раскройте понятие электронно-дырочный p-n- переход и опишите его свойства.
- •Опишите вольтамперную характеристику p-n- перехода.
- •Раскройте понятия полупроводниковый диод; опишите его устройство, принцип действия и применения.
- •Раскройте понятие о пробое диода, виды пробоя.
- •Раскройте понятие стабилитрон
- •Раскройте понятие биполярный транзистор. Опишите его устройство, принцип действия и применения.
- •Опишите схему включения транзисторов. Раскройте понятие о статических входных и выходных характеристиках транзистора.
- •Каскад с общим коллектором
- •Каскад с общей базой
- •Раскройте понятие о полевом транзисторе.
- •Опишите тиристоры, их устройство, свойства, применение.
- •Раскройте понятие динистор.
- •Опишите условно-графические обозначения и буквенно-цифровые обозначения полупроводниковых приборов.
- •Опишите общие понятия о фотоэлектронных явлениях.
- •Дайте краткие сведения о фотодиодах, фототранзисторах, солнечных фотоэлементах. Перечислите области их применения.
- •Раскройте основные сведения о выпрямителях. Опишите схемы выпрямителей однофазного тока.
- •Раскройте понятия сглаживающие фильтры.
- •Раскройте понятия управляемые выпрямители.
- •Опишите схему выпрямителя трехфазного тока.
- •Опишите соотношения между переменными и выпрямленными токами и напряжениями для различных схем выпрямления.
- •Раскройте понятия трехфазные электронные выпрямители. Опишите их принцип действия и область применения.
- •Перечислите назначение и классификацию усилителей.
- •Опишите основные технические показатели и характеристики усилителей.
- •Раскройте понятие усилительный каскад.
- •Перечислите назначение элементов схемы усилительного каскада.
- •Опишите принцип действия усилительного каскада.
- •Опишите выходные каскады усилителей.
- •Раскройте понятие дифференциальный усилитель.
- •Раскройте понятие Операционные усилители.
- •Перечислите назначение и классификацию электронных генераторов.
Раскройте понятие о пробое диода, виды пробоя.
Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного тока через диод при достижении обратным напряжением некоторого критического для данного диода значения. В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают лавинный, туннельный, поверхностный и тепловой пробои.
Лавинный пробой (ударная ионизация) является наиболее важным механизмом пробоя p-n-перехода. Напряжение лавинного пробоя определяет верхний предел обратного напряжения большинства диодов. Пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, при котором носители приобретают энергии, достаточные для образования новых электронно-дырочных пар в результате ударной ионизации атомов полупроводника.
Туннельным
пробоем электронно-дырочного перехода
называют электрический пробой перехода,
вызванный квантовомеханическим
туннелированием носителей заряда сквозь
запрещённую зону полупроводника без
изменения их энергии. Туннелирование
электронов возможно при условии, если
ширина потенциального барьера, который
необходимо преодолеть электронам,
достаточно мала. При одной и той же
ширине запрещённой зоны (для одного и
того же материала) ширина потенциального
барьера определяется напряжённостью
электрического поля, то есть наклоном
энергетических уровней и зон. Следовательно,
условия для туннелирования возникают
только при определённой напряжённости
электрического поля или при определённом
напряжении на электронно-дырочном
переходе — при пробивном напряжении.
Значение этой критической напряжённости
электрического поля составляет примерно
8
105
В/см для кремниевых переходов и 3
105
В/см — для германиевых. Так как вероятность
туннелирования очень сильно зависит
от напряжённости электрического поля,
то внешне туннельный эффект проявляется
как пробой диода.
Поверхностный пробой (ток утечки). Реальные p-n-переходы имеют участки, выходящие на поверхность полупроводника. Вследствие возможного загрязнения и наличия поверхостных зарядов между p- и n- областями могут образовываться проводящие плёнки и проводящие каналы, по которым идёт ток утечки Iут. Этот ток увеличивается с ростом обратного напряжения и может превысить тепловой ток I0 и ток генерации Iген. Ток Iут слабо зависит от температуры. Для уменьшения Iут применяют защитные плёночные покрытия.
Тепловой пробой — это пробой, развитие которого обусловлено выделением в выпрямляющем электрическом переходе тепла вследствие прохождения тока через переход. При подаче обратного напряжения практически всё оно падает на p-n-переходе, через который идёт, хотя и небольшой, обратный ток. Выделяющаяся мощность вызывает разогрев p-n-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника. При недостаточном теплоотводе эта мощность вызывает дальнейшее увеличение тока, что приводит к пробою. Тепловой пробой, в отличие от предыдущих, необратим.
Раскройте понятие стабилитрон
Стабилитрон – диод предназначенный для стабилизации напряжения в схеме.
Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения[1][2]. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В[3]. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.
