
- •1.3. Параметры цифровых интегральных микросхем
- •Параметры цифровых микросхем
- •Уровни логического нуля и единицы
- •Входные и выходные токи цифровых микросхем
- •Параметры, определяющие быстродействие цифровых микросхем
- •Описание логической функции цифровых схем
- •2.1. Основы схемотехники элементов ттл
- •Стандартные серии ттл
- •5.1. Классификация и обозначение полевых транзисторов
- •Логические уровни ттл микросхем
- •Семейства ттл микросхем
- •. Диодно-транзисторная логика (дтл)
- •3.2.3. Транзисторно-транзисторная логика
- •3.2.4. Эмиттерно-связанная логика
- •3.2.5. Логические элементы с инжекционным питанием
- •1. Основы микроэлектроники
- •1.1. Гибридные интегральные схемы
- •1.2. Элементы полупроводниковых интегральных схем
- •1.2.1. Биполярные транзисторы и диоды
- •1.2.2. Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы
- •1.2.3. Транзистор с диодом Шоттки
- •1.2.4. Металл, диэлектрик, полупроводник-транзисторы
- •1.2.5. Резисторы и конденсаторы
- •1.3. Технология изготовления интегральных схем
- •1.3.1. Базовые технологические операции
- •1.3.2. Эпитаксиально-планарная технология
- •1.3.3. Изопланарная технология
- •1.3.4. Технология изготовления мдп-структур
- •2. Аналоговые интегральные схемы
- •2.1. Типовые элементы аналоговых интегральных схем
- •2.1.1. Составные транзисторы
- •2.1.2. Генераторы стабильного тока
- •2.1.3. Динамическая нагрузка
- •2.1.4. Схемы сдвига потенциальных уровней
- •2.2. Усилительные каскады и повторители
- •2.3. Дифференциальные каскады
- •2.4. Выходные каскады аналоговых интегральных схем
- •2.5. Операционные усилители
- •2.6. Применение операционных усилителей
- •2.6.1. Принцип отрицательной обратной связи
- •2.6.2. Инвертирующий усилитель
- •2.6.3. Интегратор и дифференциатор
- •2.6.4 Неинвертирующий усилитель
- •2.6.5. Суммирующий усилитель
- •2.6.6. Дифференциальный усилитель
- •3. Цифровые интегральные схемы
- •3.1. Электронные ключи
- •3.1.1. Электронные ключи на биполярных транзисторах
- •3.1.2. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •3.2. Логические элементы интегральных микросхем
- •3.2.1. Транзисторная логика с непосредственными связями
Входные и выходные токи цифровых микросхем
Ещё один важный параметр любой микросхемы — это предельно допустимый выходной ток. Для цифровых микросхем есть два различных значения выходного тока: ток единицы (высокого потенциала) и ток нуля (низкого потенциала). В цифровых микросхемах эти значения различаются. Путь протекания тока единицы цифровых микросхем показан на рисунке 4.
Рисунок 4.
Путь протекания выходного тока единицы
цифровых микросхем
На этом рисунке видно, что в простейшем случае выходной ток цифровой микросхемы (вытекающий ток) совпадает с входным током единицы нагрузочной цифровой микросхемы (микросхемы-приёмника). Часто требуется подавать сигнал с выхода одной микросхемы на несколько других микросхем. В этом случае выходной ток микросхемы будет определяться как сумма входных токов микросхем-приёмников. Количество однотипных микросхем, которые могут быть одновременно подключены к выходу микросхемы, определяют предельную нагрузочную способность микросхемы.
Путь протекания выходного тока нуля (втекающий ток) показан на рисунке 5. В этом случае выходной ток микросхемы тоже определяется суммой входных микросхем, подключенных к ее выходу.
Рисунок 4.
Путь протекания выходного тока нуля
цифровых микросхем
Для того, чтобы цифровые микросхемы могли нагружаться на несколько микросхем, входной ток должен быть меньше выходного. Для ТТЛ микросхем нагрузочная способность составляет обычно 10. Для КМОП микросхем она может достигать 100, то есть на выход одной КМОП микросхемы можно нагружать до сотни входов других КМОП микросхем.
Параметры, определяющие быстродействие цифровых микросхем
Быстродействие цифровых микросхем определяется скоростями их перехода из одного состояния в другое. При этом оно определяется временем задержки выходного сигнала относительно входного. Не следует путать это время с длительностью фронта выходного импульса цифровой микросхемы. В общем случае длительность переднего (rising — нарастающего) фронта и заднего (falling — спадающего) фронта не совпадают. Длительность фронта определяется как время нарастания (спада) выходного сигнала от напряжения 0,1 U до напряжения 0,9 U, где U — это разность напряжений между уровнем логической единицы и уровнем логического нуля. На рисунке 5 длительность переднего (rising — нарастающий) фронта обозначена как tф01, а длительность заднего (falling — спадающий) фронта обозначена как tф10.
Рисунок 5.
Определение длительности переднего и
заднего фронта выходного импульса
Время задержки выходного сигнала относительно входного обычно больше длительности фронта выходного сигнала и именно этот параметр приводится в качестве характеристики цифровой микросхемы, определяющей её быстродействие. Это время определяется по точке пересечения входным и выходном сигналами порогового уровня. В цифровых микросхемах время задержки переднего фронта и время задержки заднего фронта обычно не совпадает. Времена задержки t01 и t10 показаны на временной диаграмме, приведенной на рисунке 6.
Рисунок 6.
Определение времени задержки цифровой
микросхемы