3.2.1. Транзисторная логика с непосредственными связями

    Транзисторная логика с непосредственными связями (ТЛНС) основана на параллельном соединении транзисторных ключей с общей коллекторной нагрузкой (рис. 3.10). Управляющие сигналы Х₁, и Х₂ подаются на базы транзисторов VT1 и VT2 с коллекторов предыдущих ЛЭ и имеют размах от   до уровня  . Если на входы Х₁, и Х₂ поданы сигналы  , то транзисторы VT1 и VT2 заперты, ток от источника Е_к течет через резистор R_к в базовую цепь транзистора VТЗ и на выходе ЛЭ устанавливается напряжение  .

    Если на одном из входов действует высокий уровень  , то соответствующий транзистор открывается и на выходе ЛЭ устанавливается напряжение  , недостаточное для отпирания транзистора VТЗ. Такой же (рис. 3.10) уровень получается при отпирании обоих транзисторов. Следовательно, ЛЭ выполняет операцию ИЛИ–НЕ с логическим перепадом  .

    Серьезным недостатком рассмотренной схемы является неравномерное распределение токов между базами нагрузочных транзисторов, что делает работу схемы ненадежной. Чтобы выровнять базовые токи в базовые цепи включают резисторы с сопротивлением порядка сотен Ом. При этом уровень логической единицы возрастает до 1,5...2 В. Такая схема называется транзисторной логикой с резистивной связью (РТЛ).

Рис. 3.10

    Включение резисторов в базовые цепи делает схему менее быстродействующей, так как при этом увеличивается длительность фронта в транзисторном ключе. Повысить быстродействие удается путем включения конденсаторов, шунтирующих базовые резисторы. Такая схема называется транзисторной логикой с резистивно-емкостной связью (РЕТЛ).

    Схемы РТЛ и РЕТЛ применялись на первом этапе развития микроэлектроники. Схема ТЛНС получила свое дальнейшее развитие в логических элементах с инжекционным питанием.