
- •1.3. Параметры цифровых интегральных микросхем
- •Параметры цифровых микросхем
- •Уровни логического нуля и единицы
- •Входные и выходные токи цифровых микросхем
- •Параметры, определяющие быстродействие цифровых микросхем
- •Описание логической функции цифровых схем
- •2.1. Основы схемотехники элементов ттл
- •Стандартные серии ттл
- •5.1. Классификация и обозначение полевых транзисторов
- •Логические уровни ттл микросхем
- •Семейства ттл микросхем
- •. Диодно-транзисторная логика (дтл)
- •3.2.3. Транзисторно-транзисторная логика
- •3.2.4. Эмиттерно-связанная логика
- •3.2.5. Логические элементы с инжекционным питанием
- •1. Основы микроэлектроники
- •1.1. Гибридные интегральные схемы
- •1.2. Элементы полупроводниковых интегральных схем
- •1.2.1. Биполярные транзисторы и диоды
- •1.2.2. Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы
- •1.2.3. Транзистор с диодом Шоттки
- •1.2.4. Металл, диэлектрик, полупроводник-транзисторы
- •1.2.5. Резисторы и конденсаторы
- •1.3. Технология изготовления интегральных схем
- •1.3.1. Базовые технологические операции
- •1.3.2. Эпитаксиально-планарная технология
- •1.3.3. Изопланарная технология
- •1.3.4. Технология изготовления мдп-структур
- •2. Аналоговые интегральные схемы
- •2.1. Типовые элементы аналоговых интегральных схем
- •2.1.1. Составные транзисторы
- •2.1.2. Генераторы стабильного тока
- •2.1.3. Динамическая нагрузка
- •2.1.4. Схемы сдвига потенциальных уровней
- •2.2. Усилительные каскады и повторители
- •2.3. Дифференциальные каскады
- •2.4. Выходные каскады аналоговых интегральных схем
- •2.5. Операционные усилители
- •2.6. Применение операционных усилителей
- •2.6.1. Принцип отрицательной обратной связи
- •2.6.2. Инвертирующий усилитель
- •2.6.3. Интегратор и дифференциатор
- •2.6.4 Неинвертирующий усилитель
- •2.6.5. Суммирующий усилитель
- •2.6.6. Дифференциальный усилитель
- •3. Цифровые интегральные схемы
- •3.1. Электронные ключи
- •3.1.1. Электронные ключи на биполярных транзисторах
- •3.1.2. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •3.2. Логические элементы интегральных микросхем
- •3.2.1. Транзисторная логика с непосредственными связями
3.2.4. Эмиттерно-связанная логика
Основу
схемы эмиттерно-связанная
логика (ЭСЛ)
составляет переключатель тока (рис.
3.14, а).
В этой схеме транзисторы VT1 и
VT2 образуют
дифференциальный каскад, работающий в
режиме переключения токов. Путем выбора
величин резисторов RК1,
RК2,
тока I0 и
уровня
в
схеме обеспечиваются такие условия,
что транзисторы работают в активном
режиме. Тем самым обеспечивается
повышенная скорость переключения из-за
уменьшения избыточных зарядов,
накапливаемых в базах транзисторов. На
базу транзистора VT2 подается
опорное напряжение Ео,
которое имеет величину
Если
,
то оба транзистора открыты, и через
каждый протекает ток iК=iК1=iК2=i0/2.
Напряжение на эмиттерах
.
Известно, что в активном режиме ток
коллектора очень сильно зависит от
напряжения Uбэ:
.
(3.5)
Согласно
этой формуле изменение Uбэ на
величину U =
2,3 т
(60 мВ при Т = 25 °С) приводит к изменению
коллекторного тока на порядок. Поэтому,
если напряжение на входе станет меньше
Е0 на
величину U
≥ 0,06 В,
то напряжение Uбэ1 = Uвх – UЭ тоже
уменьшится, что приведет к резкому
уменьшению тока iК1 (рис.
3.14, б),
а так как суммарный ток транзисторов
задан генератором тока I0 (iк1+
iк2 = I0),
то ток iК2 возрастет,
т. е. произойдет переключение тока в
правое плечо схемы iк2 ≈ I0,
iк1 ≈
0). Транзистор VT1 будет закрыт и на первом
выходе установится напряжение высокого
уровня
,
транзистор VT2 будет открыт, на втором
выходе установится напряжение низкого
уровня
.
Если напряжение на входе увеличить
относительно величины Е0 на U,
то произойдет переключение тока в левое
плечо схемы (iк1 ≈ I0,
iк2 ≈
0,
,
).
Таким образом, для переключения тока I0 из
одного плеча в другое достаточно изменить
входное напряжение на величину 2U
≥ 0,12 В относительно уровня Е0.
Схема
базового элемента ЭСЛ отличается от
рассмотренной схемы переключателя тока
тем, что она содержит в левом плече не
один, а несколько транзисторов (VT1,VТ'1,
... и т. д.), включенных параллельно, т. е.
имеет не один, а несколько входов. При
подаче на любой из входов сигнала
происходит
переключение тока в левое плечо, а при
наличии на всех входах сигналов
ток
переключается в правое плечо. Следовательно,
при снятии выходного напряжения с левого
плеча схема выполняет операцию ИЛИ–НЕ,
а при снятии сигнала с правого плеча
операцию ИЛИ.
Рис. 3.14
При цепочечном включении логических элементов выходное напряжение предыдущего элемента является входным для последующего. При этом последующий элемент не должен переходить в режим насыщения при подаче на его вход логической единицы. С этой целью к выходам подключают эмиттерные повторители, благодаря которым выходные потенциалы схемы ЭСЛ снижаются на 0,7 В относительно потенциалов коллекторов VT1 и VT2. Поскольку эмиттерные повторители обладают низким выходным сопротивлением, то подключение к выходу схемы внешних нагрузок слабо влияет на работу схемы. Поэтому коэффициент разветвления для элемента ЭСЛ достигает 25.
Принципиальной особенностью микросхем ЭСЛ является питание от источника с заземленным плюсом. Такое включение позволило повысить помехоустойчивость схемы, так как в этом случае коллекторные шины питания делаются большого сечения, и уменьшается их сопротивление. В этом случае на коллекторной шине питания броски тока не создают значительного паразитного падения напряжения, которое воспринимается последующим логическим элементом как помеха. Повышению помехоустойчивости способствует также наличие двух заземляемых выводов: одного непосредственно от логического элемента, другого – от коллекторной шины эмиттерных повторителей.
Основным достоинством схем ЭСЛ является их высокое быстродействие, обусловленное прежде всего работой транзисторов в активном режиме и уменьшением времени перезаряда емкостных составляющих схемы за счет малого логического перепада. В настоящее время разработаны сверхбыстродействующие ЭСЛ-схемы с частотой переключения до 3 ГГц.