
- •1.3. Параметры цифровых интегральных микросхем
- •Параметры цифровых микросхем
- •Уровни логического нуля и единицы
- •Входные и выходные токи цифровых микросхем
- •Параметры, определяющие быстродействие цифровых микросхем
- •Описание логической функции цифровых схем
- •2.1. Основы схемотехники элементов ттл
- •Стандартные серии ттл
- •5.1. Классификация и обозначение полевых транзисторов
- •Логические уровни ттл микросхем
- •Семейства ттл микросхем
- •. Диодно-транзисторная логика (дтл)
- •3.2.3. Транзисторно-транзисторная логика
- •3.2.4. Эмиттерно-связанная логика
- •3.2.5. Логические элементы с инжекционным питанием
- •1. Основы микроэлектроники
- •1.1. Гибридные интегральные схемы
- •1.2. Элементы полупроводниковых интегральных схем
- •1.2.1. Биполярные транзисторы и диоды
- •1.2.2. Многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы
- •1.2.3. Транзистор с диодом Шоттки
- •1.2.4. Металл, диэлектрик, полупроводник-транзисторы
- •1.2.5. Резисторы и конденсаторы
- •1.3. Технология изготовления интегральных схем
- •1.3.1. Базовые технологические операции
- •1.3.2. Эпитаксиально-планарная технология
- •1.3.3. Изопланарная технология
- •1.3.4. Технология изготовления мдп-структур
- •2. Аналоговые интегральные схемы
- •2.1. Типовые элементы аналоговых интегральных схем
- •2.1.1. Составные транзисторы
- •2.1.2. Генераторы стабильного тока
- •2.1.3. Динамическая нагрузка
- •2.1.4. Схемы сдвига потенциальных уровней
- •2.2. Усилительные каскады и повторители
- •2.3. Дифференциальные каскады
- •2.4. Выходные каскады аналоговых интегральных схем
- •2.5. Операционные усилители
- •2.6. Применение операционных усилителей
- •2.6.1. Принцип отрицательной обратной связи
- •2.6.2. Инвертирующий усилитель
- •2.6.3. Интегратор и дифференциатор
- •2.6.4 Неинвертирующий усилитель
- •2.6.5. Суммирующий усилитель
- •2.6.6. Дифференциальный усилитель
- •3. Цифровые интегральные схемы
- •3.1. Электронные ключи
- •3.1.1. Электронные ключи на биполярных транзисторах
- •3.1.2. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •3.2. Логические элементы интегральных микросхем
- •3.2.1. Транзисторная логика с непосредственными связями
1.3. Параметры цифровых интегральных микросхем
Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров ИС, применяемые в науке, технике и производстве, установлены согласно ГОСТам: ГОСТ 19480-74 (СТ СЭВ 1817-79, 4755-84, 4756-84) «Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров». ГОСТ 17021-88 «Микросхемы интегральные. Термины и определения».
В табл. 1.4 приведен перечень основных электрических параметров, их буквенные обозначения и определения, установленные этими ГОСТами. Вместе с тем в перечень не включены обозначения и определения параметров, широко распространенных в научно-технической литературе по радиотехнике, таких, как частота f, длительность импульса tи, входное напряжение Uвх и другие. Читателям, которые желают ознакомиться с полным перечнем электрических параметров, их буквенными обозначениями и определениями, рекомендуем обратиться к упомянутым ГОСТам.
Таблица 1.4. Параметры, характерные для цифровых интегальных микросхем |
||||
Термин |
обозначение |
Определение |
||
международное |
отечественное |
|||
Напряжение питания |
Ucc |
Uип |
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы взаданном режиме |
|
Входное напряжение низкого уровня |
UIL |
|
Значение входного напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы |
|
Входное напряжение высокого уровня |
UIH |
|
Значение входного напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы |
|
Выходное напряжение низкого уровня |
UOL |
|
Значение выходного напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы |
|
Выходное напряжение высокого уровня |
UOH |
|
Значение выходного напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы |
|
Входной ток низкого уровня |
IIL |
|
Значение входного тока при напряжении низкого уровня на входе интегральной микросхемы |
|
Входной ток высокого уровня |
IIH |
|
Значение входного тока при напряжении высокого уровня на входе интегральной микросхемы |
|
Выходной ток низкого уровня |
IOL |
|
Значение выходного тока при напряжении низкого уровня на выходе интегральной микросхемы |
|
Выходной ток высокого уровня |
IOH |
|
Значение выходного тока при напряжении высокого уровня на выходе интегральной микросхемы |
|
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения |
ICCL |
|
Значение тока, потребляемого интегральной микросхемой от источника питания при низком уровне выходного напряжения |
|
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения |
ICCH |
|
Значение тока, потребляемого интегральной микросхемой от источника питания при высоком уровне выходного напряжения |
|
Средняя потребляемая мощность |
Pсс |
Pпот ср |
Значение мощности, равное полусумме мощностей, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях |
|
Время задержки распространения при включении |
tPHL |
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном значении напряжения |
|
Время задержки распространения при выключении |
tPLH |
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном значении напряжения |
|
Время задержки включения |
tDHL |
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения |
|
Время задержки выключения |
tDLH |
|
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
Время перехода при включении |
tTHL |
|
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
Время перехода при выключении |
tTLH |
|
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
Коэффициент разветвления по выходу |
N |
Kраз |
Число единичных нагрузок, которое можно подключить к выходу интегральной микросхемы |
Цифровая или микропроцессорная микросхема, ее элемент или компонент; цифровая микросборка, ее элемент или компонент обозначаются на принципиальных схемах условно-графическим обозначением в соответствии с ГОСТ2.743-91. Условно-графическое обозначение (УГО) микросхемы имеет форму прямоугольника, к которому подводят линии выводов. Условное графическое обозначение микросхемы может содержать три поля: основное и два дополнительных, которые располагают слева и справа от основного (рисунок 1). В первой строке основного поля условно-графического обозначения микросхемы помещают обозначение функции, выполняемой данным логическим элементом. В последующих строках основного поля располагают информацию по ГОСТ 2.708.
Рисунок 1.
Условно-графическое изображение цифровых
микросхем.
В дополнительных полях помещают информацию о назначениях выводов (метки выводов, указатели). Дополнительные поля на условно-графическом изображении цифровых микросхем могут отсутствовать. Входы на условно-графическом изображении цифровых микросхем располагают слева, а выходы — справа. Номера выводов микросхем помещают над линией вывода ближе к изображению микросхемы.