2) Схемы замещения

Каждый элемент реальной электрической цепи на схеме замещения можно представить той или иной совокупностью идеализированных схемных элементов.

Так, резистор для низких частот можно представить одним ре-зистивным элементом R (рис. 1.14, а). Для высоких частот тот же резистор должен быть представлен уже иной схемой (рис. 1.14, б). В ней малая (паразитная) индуктивность Lп учитывает магнитный поток, сцепленный с резистором, а малая паразитная емкость Cп учитывает протекание тока смещения между зажимами резистора. Конденсатор на низких частотах замещают одним емкостным элементом (рис. 1.14, в), а на высоких частотах конденсатор представляют схемой (рис. 1.14, г). В этой схеме резистор Rп учитывает потери в неидеальном диэлектрике конденсатора, a Lп паразитная индуктивность подводящих контактов.

Индуктивную катушку в первом приближении можно представитьодним индуктивным элементом L (pис. 1.14, д). Более полно она может быть представлена схемой (рис. 1.14, е). В ней R учитывает тепловые потери в сопротивлении обмотки и в сердечнике, на котором она намотана, а паразитная емкость Cп учитывает токи смещения между витками катушки.

Реальную электрическую цепь, представленную в виде совокупности идеализированных схемных элементов, в дальнейшем будем называть схемой замещения электрической цепи или, короче, схемой электрической цепи.

Если можно считать, что напряжение и ток на всех элементах реальной цепи не зависят от пространственных координат, то такую цепь называют цепью с сосредоточенными параметрами, если зависят — цепью с распределенными параметрами

9)Бп в режиме ключа Способы повышения быстродействия транзисторных ключей

Схема ТК с нелинейной ОС

Если транзисторный ключ закрыт, то напряжение коллектора близко к +E. При этом потенциал на катоде диода выше чем потенциал на аноде. Диода закрыт и не оказывает ни какого влияния на состояние схемы Рассмотрим действие на входе разнополярной последовательности импульсов. В момент времени t1, когда начинает действовать положительный импульс, диод VD находится в закрытом состоянии. Входной ток будет протекать через сопротивления Rб‘,Rб”и базу транзистора. При этом величина суммарного сопротивления (Rб‘+Rб”)() такая, что этот ток обеспечивает необходимую степень насыщения s.При большом токе базы происходит форсированное нарастание тока коллектора. Ключ открывается. Напряжение между коллектором эмиттером транзистора падает до остаточного уровня uкэн.Соотношение Rб‘,Rб” и рассчитывается таким образом, что в момент времени, когда значение Ik достигает Ikн, и напряжение на коллекторе снизится до остаточного уровня uкэн, потенциал катода диода станет ниже потенциала анода. Диод откроется и часть входного тока будет ответвляться через диод и открытый транзистор в коллекторную и эмиттерную цепь. Ток базы в этот момент равен: Iб= Iвх- Iд.При этом величина сопротивления Rб”выбирается такой, чтобы ток базы снижался до уровня uбн. Ток коллектора остается на уровне Ikн. Степень насыщения s=1. В базе не происходит накопления избыточного заряда. Поэтому в момент времени t3 (момент смены полярности входного напряжения) сразу же начинается снижение тока коллектора. При этом не требуется время на рассасывание избыточного заряда. За счет исключения времени рассасывания значительно повышается быстродействие ключа при закрывании...За счет нелинейной обратной связи, через диод VD, происходит автоматическое поддерживание тока базы iб2 на уровне тока насыщения. Такой режим работы называется ненасыщенным режимом (s=1), а такой ключ называют ненасыщенным ключом.Ненасыщенный ключ имеет наиболее высокое быстродействие.