Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Chernovik_Kurs_proekt_Boyarintsev_gotov.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
307.02 Кб
Скачать

3.2 Резонанс токов

Резонанс токов (РТ) возникает в параллельном колебательном контуре (рис. 5),

условием которого является равенство нулю входной реактивной проводимости или

Резонансные свойства цени с двумя ветвями R\L и R^C (см. рис. 5) удобно изучать применительно к её эквивалентной схеме замещения с тремя иарашельно соединёнными ветвями с параметрами g, bi и (рис. 6, а), равными

Тогда добротностъ параллельного колебательного контура

Добротность Q равна также отношению тока Iс в ветви с конденсатором (при R2=0, см. рис.5) при режиме РТ и тока Iрт на зажимах контура, т.е.

Ток I при РТ имеет минимальное значение,

так как полная проводимость контура в этом режиме Ypj = g,pj-i= Упшь а сопротивление контура Zpt =1 /Урт =Zmax

Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) тока 1(f) и фазо-частот- иая характеристика (ФЧХ) φ(f) реального и идеального контуров приведены на рис. 6, б и в.

Векторные диаграммы токов ветвей и тока на входе реального (а) и идеального (в) колебательных контуров для режима РТ представлены на рис. 7, б и г; ток I1 в первой ветви отстаёт от напряжения по фазе на угол Ш(φ1), а ток I2 во второй ветви его опережает по фазе на угол φ2 (рис. 7. б)

При режиме РТ ток I на входе контура, как правило, меньше токов I1 и I2 ветвей, а дня идеального контура ток Iрт = 0 (рис. 7, г). При подключении приёмника RH паратлелыю конденсатору (при R2=0, см. рис. 7, а) добротность нагруженного контура снижается тем сильнее, чем меньше Rн

4. исследование явления резонанса в последовательном и параллельном резонансных контурах

4.1 вычисление формул в Mathcad

4.1.1 расчёт параметров элементов схем контуров

Для определения параметров схем контуров применяем математический пакет MatCad.

Исходные данные:

Исходные данные:

R1,L1,C1 -Контур

R1,L1,C1 -Контур

Е, (В)

6,389

R2, Om

0,2

R1, Om

4,082

R3, Om

0,2

L1, mГн

40,825

L2,mГн

10,206

C1, мкФ

160

C2, мкФ

160

4.1.2 Расчёт параметров колебательных контуров

Расчёт напряжения на элементах схемы:

F рн

F рт

Реактивное сопротивление индуктивности в цепи резонанса напряжений расчитываем по формулам :

или

Добротность контура расчитывается по формуле :

4.2 Моделирование и анализ работы схем в Multisim.

Для получения данных моделируем схему и производим симуляцию её работы.

Т аблица полученных значений:

Положение ключа “S”

Ток, напр; угол ψ

Расчитано

Измерено

Частота

Частота f, Гц

fрн

fрт

30

40

50

60

70

80

90

110

130

140

fp

Нижн

I0, A

0,736

0,58

0,475

0,402

0,347

0,306

0,273

0,224

0,190

0,177

UR, B

3,004

2,367

1,940

1,640

1,417

1,247

1,113

0,915

0,776

0,772

Ul, B

5,663

5,949

6,097

6,182

6,235

6,270

6,294

6,325

6,343

6,349

UC, B

0,024

0,014

9,531мВ

6,650мВ

4,957мВ

3,782мВ

3,012мВ

2,032мВ

1,465мВ

1,253мВ

Верхн

I1,A

55,61

31,445

31,442

31,440

31,437

31,435

31,432

41,430

43,423

31,415

31,411

I2, A

31,027

31,207

31,291

31,337

31,435

31,383

31,395

31,411

31,420

31,423

I, A

62,238

62,504

62,627

62,693

62,732

62,755

62,770

62,784

62,786

62,784

ψ1, град

ψ2, град

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]