24. Псофометрический метод расчета мешающих влияний

Раб токи и напряжения ВВЛ(высоковольтн линий) содержат гармоники 0,1 до 150Гц, причем наиб амплитуды имеют гармоники в диапазоне тональных частот. Токи одинаковой амплитуды, но разной частоты ухо чел-ка воспринимает с разной чувствительностью. Наиб чувс-ть тока с f=800÷1200Гц. Величина акустич воздействия тока частоты 800Гц прината за 1. Для хар-ки акуст воздействия на др частотах введен коэф-т акуст воздействия Р,=отношению акуст воздействию тока частотой f, акустич воздействие тока такой же величины, но частотой 800Гц: Р_f=A_f/ A_f=800. Для расчета мешающих воздействий отдельных гармоник I и U в канале тональной частоты исп-т псофометрич напряжение. Это напряжение с f=800Гц, которое оказывает на тел передачу такое же мешающ действие, как и индуцированное напряжение с различными частотами. ; ; U_i ,I_i – действительные значения i-ой гармоники напряжения и тока. P_i – коэф-т акуст воздействия на частоте i-ой гармоники. Для измерения псофометрич напряжения исп-ся псофометр. При передаче на вход псофометра напряжения шума, состоящего из 7и различных частот, показание прибора будет соответствовать восприятию этого шума системы телефон-ухо.

25. Основные принципы экранирования

По принципу действия экраны подразделяют на электростати­ческие, магнитостатические и электромагнитные

Э лектростатическое экранирование основано на замыкании эл поля на поверхности металлического экрана и отводе эл зарядов в землю.

Е сли между проводом А, несущем помеху, и проводником в подверженном влиянию поместить экран, соединенный с землей, то экран будет перехватывать эл силовые линии, защищая провод от помех. Эффект электростатического экранирования не зависит от ма­териала и толщины экрана. Поэтому экран из любого металла в одинаковой степени локализует электростатическое поле помех. Электростатические экраны эффективно работают только на низ­ких частотах. Магнитостатическое экранирование основано на замыкании магнитного поля в толще экрана из-за повышенной его магнито­проводности. Такие экраны изготавливают из материалов с большой магнитной проницаемостью. В кабелях связи роль таких экранов могут выполнять стаьные оболочки и броневые покровы. Экранирующее действие магнитных экранов улучшается с увеличением магнитной проницаемости µ и толщи­ны экрана l. Магнитостатическое экранирование, как и электро­статическое, эффективно лишь в диапазоне НЧ. В диа­пазоне ВЧ магнитостатический режим экранирования переходит в электромагнитный.

Эл/маг экранирование основано на принципах отражения эл/маг волн от поверхности экрана и по­глощения энергии в толще экрана. Эл/маг экраны наиболее эффективно работают на ВЧ, при этом они защищают как от маг, так и от эл ме­шающих полей. Эл/маг волна с амплитудой W, падающая на экран, на границе диэлектрик-металл частично отражается, а частично проходит в экран, затухая при этом в его толще. Дос­тигнув 2й границы металл-диэлектрик, волна вторично от­ражается. В результате в экранирующее пространство проникает лишь оставшаяся часть энергии W_э. Амплитуда отраженных составляющих W₀₁ и W₀₂ зависит от соотношения волновых сопро­тивлений диэлектрика и металла. Чем 6ольше их различие, тем более интенсивно энергия мешающего поля отражается. Затуха­ние энергии в толще самого экрана обусловлено тепловыми поте­рями на вихревые токи. Экранирующее действие экранов количественно оценивается коэф экранирования, который для однородных экранов=отношению эл Е_э (маг Н_э) поля в рас­сматриваемой точке при наличии экрана к напряженности эл Е (маг H) поля в этой же точке при отсутствии экрана. S=Eэ/E=Hэ/H Коэфф экранирования S изменяется от 0 до 1. Идеаль­ный экранирующий эффект хар-ся S=0. Для оценки экранирующих св-в экранов исп-ся также затухание экранирования: Аэ=20lg(1/S). Чем меньше коэфф экранирования S и больше затуха­ние экранирования Аэ, тем лучше кабельные цепи защищены от помех.