
- •Ответы по электромагнитной совместимости
- •1. Понятие об электромагнитной совместимости.
- •2. Величины, характеризующие электромагнитную совместимость
- •3. Последствия нарушения электромагнитной совместимости.
- •4. Электромагнитные помехи, механизмы их воздействия на аппаратуру, понятие помехоустойчивости
- •5. Нарушения функционирования систем и их причины.
- •7. Виды поступающих в устройство и исходящих из него помех
- •8. Атмосферные разряды и их воздействие на электронную аппаратуру
- •9. Разряды статического электричества, как источник помех.
- •10. Технические электромагнитные процессы и их воздействие на электронную аппаратуру
- •11. Ядерные взрывы, как источники электромагнитных помех.
- •12. Внутренние источники помех электронной аппаратуры
- •13. Систематизация разновидностей помехи и их основные параметры
- •14. Источники и уровни помех на объектах электроэнергетики
- •15. Нормы и рекомендации по электромагнитной совместимости.
- •16. Мероприятия по обеспечению электромагнитной совместимости
- •17. Гальваническое влияние помех через цепи питания и сигнальные контуры и методы снижения их влияния
- •18. Гальваническое влияние помех по контурам заземления и методы его снижения
- •19. Емкостное влияние помех в гальванически разделенных контурах и методы его снижения
- •20. Емкостное влияние помех в контурах с общим проводом системы опорного потенциала и методы его снижения
- •21. Емкостное влияние помех в токовых контурах с большой емкостью относительно «земли» и методы его снижения
- •22. Фильтры, их принцип действия и основные характеристики
- •23. Разрядники, их виды, принцип действия и основные характеристики
- •24. Варисторы, принцип действия и характеристики
- •25. Кремниевые лавинные диоды и их основные характеристики
- •26. Принципы построения защитных элементов
- •27. Принцип действия экранов. Материалы для изготовления экранов
- •28. Воздушные защитные промежутки, принцип действия и основные характеристики.
18. Гальваническое влияние помех по контурам заземления и методы его снижения
Контуры заземления относятся к наиболее частым причинам электромагнитных влияний. На рис. показаны два устройства, соединенных между собой двухпроводной линией или кабелем. По условиям безопасности корпусы обоих приборов должны быть заземлены.
Между
точками 1 и 2 может возникнуть разность
потенциалов U12,
обусловленная током в контуре заземления,
например, током замыкания на землю, или
током молнии. Эта разность потенциалов
вызывает ток помехи In.
При синусоидальном напряжении V12
напряжение помехи рассчитывается по
формуле
Мероприятия по снижению влияния через контур заземления заключаются в снижении разности потенциалов U12 за счет уменьшения сопротивления между точками 1 и 2. Это достигается, например, выполнением пола в виде проводящей эквипотенциальной поверхности, соединением приборов массивными проводниками или же экранированием линий с заземлением экранов у обоих концов.
Другим методом снижения влияния через контур заземления является уменьшение тока помехи Iп . Наиболее простой способ разрыв контура заземления. Однако при этом между сигнальным контуром и корпусом прибора остается емкостная связь.
19. Емкостное влияние помех в гальванически разделенных контурах и методы его снижения
Причиной емкостной связи могут быть паразитные, т. е. неустранимые схемным путем, емкости между проводами или проводящими предметами, принадлежащими разным токовым контурам.
Система
проводников 1,2 оказывает воздействие
на контур с проводниками 3,4. Из рис.
3.8,6 можно установить, что напряжение
помехи равно нулю, если соблюдается
условие
Это условие можно обеспечить попарным скручиванием провода 1 с проводом 2 и провода 3 с проводом 4. Другой возможностью снижения емкостной связи гальванически разделенных контуров является экранирование проводов 1, 2 и проводов 3,4.
20. Емкостное влияние помех в контурах с общим проводом системы опорного потенциала и методы его снижения
Такие контуры типичны для аналоговых и цифровых схем. В качестве примера на рис. 3.9,а приведена логическая схема, в которой может произойти непредусмотренное изменение состояния триггера D при изменении сигнала на выходе элемента А из-за наличия паразитной емкости C13.
На
рис. 3.9,б приведена соответствующая
схема замещения. Обычно выходное
сопротивление источника мало и соблюдается
условие
и
.
В этом случае емкость С13 и RИ
образуют частотно — зависимый делитель
напряжения и максимально возможное
напряжение определяется по формуле
.
Мероприятия по снижению такого влияния следующие:
- обеспечение малой емкости С13 из-за сокращения длины проводов l, уменьшения диаметра провода D, увеличения расстояния d между проводами 1 и 3, ислючения их параллельной прокладки, применения изоляции проводов с малой диэлектрической проницаемостью;
- увеличение емкости С34 путем скрутки сигнальных проводов, использования плоских проводов;
- выполнение предельно низкоомными токовых контуров, подверженных влиянию;
-
ограничения скорости изменения
напряжения
- экранирование проводов и контуров, чувствительных к влиянию.