4. Вах характеристика

Напряжение пробоя p-n-перехода определяется в основном лавинными процессами размножения носителей заряда в сильном электрическом поле, которое возникает при напряженности . Поэтому для оценочных расчетов можно принимать

Точные значения позволяют найти следующее выражение для резкого перехода:

,

где −ширина запрещенной зоны полупроводника эВ;

−концентрация примеси в слаболегиро­ванной области ;

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода описывается выражением

Так как имеем все необходимые значения построим ВАХ:

Рисунок 6

6. Заключение

   В курсовой работы я рассмотрел процессы происходящие в полупроводниках и рассмотрел технологию производства диодов. С помощью программ Maple 13 я посчитал основные характеристики электронно-дырочного перехода в кремниевом диоде и получили результаты:

Диффузионная емкость = 3,04∙10^-15 Ф

Барьерная емкость = 9,2∙10^-11 Ф

Напряжение пробоя =18,5 В

Ток насыщения = 1,54 А

Построил графики:

1. зависимости концентрации от глубины залегания p-n перехода, при температуре в 1250 К,

2. Вольт-амперную характеристику диода.

Построил трехмерную модель диода в в современном твердотельном САПРе

7. Библиографический список

1. Королёв, В. Л., Карпов, Л. Д. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: учеб. пособие/ В. Л. Королёв  – Красноярск: Изд-во КрПИ., 1992. – 118 с.

2. Трутко, А.Ф. Методы расчета транзисторов: учеб. пособие/ А.Ф. Трутко. – Челябинск:  Изд-во М., Энергия, 1971. ­­­– 272с.

3. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: учебн. пособие/ Н.М. Тугов.- Москва:Изд-во М., Энергоатомидздат, 1990.-576 с.