Закон действующих масс
В примесном полупроводнике имеются основные и неосновные носители заряда. Для полупроводника n-типа (электронного) основными являются электроны, а дырки – неосновными. Для полупроводника р-типа (дырочного) основными являются дырки, электроны – неосновными.
В полупроводнике равновесная концентрация электронов в зоне проводимости определяется выражением (4.99), а дырок в валентной зоне – (4.101). Перемножив эти выражения, получим
.
(4.117)
Обозначим концентрации: электронов
(основных носителей) и дырок
(неосновных носителей) в полупроводнике
n-типа; дырок
(основных носителей) и электронов
(неосновных носителей) в полупроводнике
р-типа. Тогда соотношение (4.117)
можно переписать в следующем виде
.
(4.118)
Соотношение (4.134) называется законом действующих масс: для данной температуры произведение равновесных концентраций основных и неосновных носителей заряда есть величина постоянная и равная квадрату концентрации собственных носителей.
Выражение (4.134) обычно используют для определения концентрации неосновных носителей заряда.
Вырожденные полупроводники. Степень вырожденности полупроводника определяется положением уровня Ферми. Для ее оценки удобно пользоваться величиной приведенного уровня Ферми.
Концентрацию электронов в зоне проводимости, используя (4.76) и безразмерные параметры
,
(4.119)
можно представить в виде
,
(4.120)
где
(4.121)
называется интегралом Ферми.
Величина
называется приведенным уровнем Ферми.
При
интеграл Ферми можно аппроксимировать
выражением
,
(4.122)
что соответствует статистике Больцмана, и, следовательно, полупроводник является невырожденным.
Условие
отвечает случаю полного вырождения
полупроводника. Интеграл Ферми при этом
может быть аппроксимирован функцией
(4.123)
и равновесная концентрация электронов в вырожденном донорном полупроводнике определяется из (4.120)
,
(4.124)
где
– уровень Ферми при абсолютном нуле.
При условии
полупроводник
считается слабо вырожденным.
Контрольные вопросы и задачи
В чем суть адиабатического и одноэлектронного приближения при решении уравнения Шредингера для электронов в кристалле?
Что такое идеальная кристаллическая решетка и как она влияет на движение электрона в кристалле?
В чем сущность модели Кронига-Пенни?
Что такое зона Бриллюэна?
Чем определяется число уровней в энергетической зоне?
Эффективная масса электрона в кристалле и ее физическая суть.
Что такое дырка с точки зрения зонной теории?
Понятие полупроводника, металла и диэлектрика в зонной теории.
Что такое водородоподобная модель примесного состояния?
Как возникают уровни Тамма?
Что собой представляют экситоны?
Что такое энергия Ферми и как она зависит от концентрации электронов в металле?
Рассчитайте энергию Ферми при
для натрия и лития (допуская, что
).Определить температуру Ферми и фермиевскую скорость электронов для меди, которая является одновалентным металлом (предполагая, что ).
В полупроводнике ZnSb ширина запрещенной зоны
.
Найти:
– энергию ионизации доноров;
– радиус орбиты электрона в основном состоянии;
– при какой минимальной концентрации доноров станут заметны эффекты, связанные с перекрытием орбит соседних примесных атомов?
Литература к главе
Фридрихов, С.Ф. Физические основы электронной техники [Текст]: учеб. / С.Ф. Фридрихов, С.М. Мовнин. – М.: Высш. школа, 1982. – 608 с.
Епифанов, Г.И. Физика твердого тела [Текст]: учеб. пособие / Г.И.Епифанов. – М.: Высш. школа, 1977. – 288 с.
Шалимова, К.В. Физика полупроводников [Текст]: учеб. пособие / К.В.Шалимова. – М.: Энергия, 1971. – 312 с.
Черняков, Е.І. Фізика твердого тіла [Текст]: навч. посібник/ Е.І. Черняков, О.С.Замковий, Г.Г.Канарик. – Харків: Колегіум, 2006. – 264 с.
Гуртов, В.А. Физика твердого тела для инженеров [Текст]: учеб. пособие / В.А. Гуртов, Р.Н. Осауленко. – М.: Техносфера, 2007. – 520 с.
Содержание гл 4